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公开(公告)号：CN113488588B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110608381.1
申请日：2021-06-01
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法，该忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；自组装异质结材料包括钙钛矿量子点和二维纳米材料，其制备方法为：分别配置二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液，将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，最后通过旋涂制得。本发明利用自组装异质结材料中非共价键的弱相互作用，对导电细丝的形成或断裂行为进行物理约束，从而实现电压控制的忆阻器，同时异质结结构材料中较长的电流衰减时间，进一步降低了器件的工作能耗，提高了忆阻器的功能性和实用性。
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公开(公告)号：CN114318265A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111646259.X
申请日：2021-12-29
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明的一种可快速更换靶材的磁控溅射阴极及更换靶材方法，包括靶材安装座及靶材位于烟囱压紧装置和磁箍冷却组件之间，烟囱压紧装置安装在腔体安装法兰上，磁箍冷却组件穿过腔体安装法兰与伸缩驱动机构连接，伸缩驱动机构另一端安装在腔体安装法兰上。更换靶材时，伸缩驱动机构驱动下，磁箍冷却组件下移，利用磁控溅射设备自带的传样系统抓取靶材安装座边上的支耳，从阴极屏蔽罩侧边取出靶材安装座及其中的靶材后送至传样系统的腔室内；再利用传样系统将腔室内的新靶材安装座及靶材送到原磁箍冷却组件正上方，使烟囱压紧装置压住靶材安装座。该发明在不破坏主真空腔真空环境下，实现快速换靶，大幅降低更换靶材的时间，也减少了主真空腔的污染。
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公开(公告)号：CN113488588A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110608381.1
申请日：2021-06-01
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法，该忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；自组装异质结材料包括钙钛矿量子点和二维纳米材料，其制备方法为：分别配置二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液，将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，最后通过旋涂制得。本发明利用自组装异质结材料中非共价键的弱相互作用，对导电细丝的形成或断裂行为进行物理约束，从而实现电压控制的忆阻器，同时异质结结构材料中较长的电流衰减时间，进一步降低了器件的工作能耗，提高了忆阻器的功能性和实用性。
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公开(公告)号：CN113506850B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110609349.5
申请日：2021-06-01
摘要： 本发明公开了一种具有非单调变化电阻态的忆阻器在碰撞预测中的应用，该忆阻器的介电层材质为可光调控的介电材料；在光信号刺激下，忆阻器的电阻态呈现非单调变化。本发明利用忆阻器对光强大小具有电学响应性，通过光照产生的瞬态焦耳热对CF的几何形状的改变实现忆阻器电阻态的动态调控，从而识别出运动光源的远近，并对即将发生的碰撞行为进行预测，有效的将光学信号的感知和处理整合在单一忆阻器中，解决由于现有移动机器人的计算体系复杂引起的一系列问题。此外，本发明基于忆阻器焦耳热效应构建的碰撞预测方法同时具有成本低、稳定性高、操作简单等优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于移动机器人系统的智能碰(56)对比文件文常保;姚世朋;朱玮;洪吉童;巨永锋.一种基于忆阻器的大测量范围新型曝光量传感器.传感技术学报.2017,(第07期),全文.
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公开(公告)号：CN114059014A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111170284.5
申请日：2021-10-08
摘要： 本发明公开了一种具有电感耦合放电清洗功能的样品台，包括样品架，所述样品架下方设有等离子体源机构，所述等离子体源机构包括绝缘壳体、容纳于所述绝缘壳体的电感线圈；所述绝缘壳体具有与样品台外部连通的开口，所述电感线圈的输出引线穿过所述开口并与样品台外部的射频电源连接。本发明可以在样品沉积前直接对样品表面进行清洗，去除污染，无需取出再清洗，样品薄膜沉积效果更佳，避免造成二次污染。此外，相对于样品架加负偏压的方案，本发明采用电感线圈激发产生的电感耦合等离子体密度更高，且该等离子体主要聚集在样品上方，对样品清洗效果更佳。
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公开(公告)号：CN113584449A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110872823.3
申请日：2021-07-30
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明的一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极，包括靶材、磁体、磁轭及靶座，还包括运动机构；靶材安装在靶座上方，磁体安装在磁轭上，位于靶座下方，磁体与阴极中轴偏心安装，即磁体中心与阴极中轴不重合；运动机构设置在磁轭的下方，磁轭连接到运动机构上，运动机构牵引磁轭从而带动磁体绕阴极中轴螺旋式周期旋转运动，旋转半径逐渐增大。本发明的磁体及磁轭通过运动机构实现螺旋式周期运动，靶材表面磁场同步螺旋式周期运动，靶材被均匀刻蚀，利用率大幅提高。
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公开(公告)号：CN116709625A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310709552.9
申请日：2023-06-14
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明公开了一种高效电子回旋共振等离子体发生装置，具体涉及等离子体技术领域，包括微波源、过渡结构、真空腔体和磁场系统，所述过渡结构的两端分别与微波源和真空腔体固定连接；所述过渡结构包括：波导、L型内导体、天线、真空法兰和绝缘件；所述波导的一端与微波源连接，所述波导的另一端与真空法兰连接，所述真空法兰的另一侧与真空腔体连接，所述L型内导体的一端与波导的内壁连接，所述L型内导体的另一端与天线连接；所述磁场系统套在真空腔体上。本发明通过优化设计微波传输，降低驻波，提高微波能量传输效率，使微波能量高效馈入至真空腔体内的等离子体；将石英玻璃罩换成真空法兰，提高真空腔体的真空度。
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公开(公告)号：CN113584449B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110872823.3
申请日：2021-07-30
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明的一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极，包括靶材、磁体、磁轭及靶座，还包括运动机构；靶材安装在靶座上方，磁体安装在磁轭上，位于靶座下方，磁体与阴极中轴偏心安装，即磁体中心与阴极中轴不重合；运动机构设置在磁轭的下方，磁轭连接到运动机构上，运动机构牵引磁轭从而带动磁体绕阴极中轴螺旋式周期旋转运动，旋转半径逐渐增大。本发明的磁体及磁轭通过运动机构实现螺旋式周期运动，靶材表面磁场同步螺旋式周期运动，靶材被均匀刻蚀，利用率大幅提高。
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公开(公告)号：CN114045468B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111283138.3
申请日：2021-11-01
摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜。
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公开(公告)号：CN114045468A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111283138.3
申请日：2021-11-01
摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜。
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