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公开(公告)号：CN103408062A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310334546.6
申请日：2013-08-02
IPC分类号： C01G9/02 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 一种铝镓共掺氧化锌纳米粉末及其高密度高电导溅射镀膜靶材的制备方法，制备步骤有：1、对高纯金属进行溶解成透明硝酸铝、硝酸锌及硝酸镓溶液；2、配料：将三种透明溶液按比例分装容器；3、化学沉淀：采用均相共沉淀法将三种透明溶液按比例和规定工序，制得铝镓共掺杂氧化锌纳米粉末；4、清洗：将混和沉淀物经去离子水冲洗并充分搅伴，直到无其他离子为止；5、煅烧：将纳米粉末放入高温炉进行煅烧，制得铝镓共掺杂氧化锌纳米粉末；6、造粒：将铝镓共掺杂纳米锌氧化物粉末加入粘合剂并干燥，制得铝镓共掺杂纳米氧化锌成型前粉未；7、成型：将铝镓共掺杂氧化锌成型前粉末压制成初胚；8、烧结：将初胚放入高温炉里，进行常压烧结或气压烧结。
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公开(公告)号：CN103408062B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310334546.6
申请日：2013-08-02
IPC分类号： C01G9/02 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 一种铝镓共掺氧化锌纳米粉末及其高密度高电导溅射镀膜靶材的制备方法，制备步骤有：1、对高纯金属进行溶解成透明硝酸铝、硝酸锌及硝酸镓溶液；2、配料：将三种透明溶液按比例分装容器；3、化学沉淀：采用均相共沉淀法将三种透明溶液按比例和规定工序，制得铝镓共掺杂氧化锌纳米粉末；4、清洗：将混和沉淀物经去离子水冲洗并充分搅伴，直到无其他离子为止；5、煅烧：将纳米粉末放入高温炉进行煅烧，制得铝镓共掺杂氧化锌纳米粉末；6、造粒：将铝镓共掺杂纳米锌氧化物粉末加入粘合剂并干燥，制得铝镓共掺杂纳米氧化锌成型前粉未；7、成型：将铝镓共掺杂氧化锌成型前粉末压制成初胚；8、烧结：将初胚放入高温炉里，进行常压烧结或气压烧结。
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公开(公告)号：CN102534573B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210006459.3
申请日：2012-01-10
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备，它是一种形状、构造相同的连续性结构，该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成，左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连接；主真空腔室和隔离板之间采用氩弧焊连接；隔离板和副真空腔室之间采用氩弧焊连接；隔离板和高真空密封阀门装置之间采用氟胶圈密封；副真空腔室和右法兰之间采用氩弧焊连接；高真空密封阀门装置和右法兰之间采用氟胶圈密封；右法兰和大密封板之间采用氟胶圈密封连接；重复按此顺序连接，就实现多真空腔室连接，从而展开无污染的多层膜制备。本发明在真空镀膜设备实时监控技术领域里有广阔地应用前景。
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公开(公告)号：CN102569517A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210006271.9
申请日：2012-01-10
申请人： 北京航空航天大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法，它有五大步骤：一、采用湿化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，获得金字塔状的绒面硅片衬底；二、采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极；三：采用等离子体增强化学气相沉积法，通入硅烷SiH4制备I层纳米硅薄膜，通入硅烷SiH4和磷烷PH3混合气体制备N层纳米硅薄膜，通入硅烷SiH4和硼烷B2H5混合气体制备P层纳米硅薄膜；四、在步骤三沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭园偏振光实时监控薄膜的生长；五、采用热蒸发方法或磁控溅射方法或丝网印刷技术制备纳米硅薄膜太阳能电池的透明导电膜电极和上电极。它在光电应用和新能源技术领域里具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102534573A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210006459.3
申请日：2012-01-10
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备，它是一种形状、构造相同的连续性结构，该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成，左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连接；主真空腔室和隔离板之间采用氩弧焊连接；隔离板和副真空腔室之间采用氩弧焊连接；隔离板和高真空密封阀门装置之间采用氟胶圈密封；副真空腔室和右法兰之间采用氩弧焊连接；高真空密封阀门装置和右法兰之间采用氟胶圈密封；右法兰和大密封板之间采用氟胶圈密封连接；重复按此顺序连接，就实现多真空腔室连接，从而展开无污染的多层膜制备。本发明在真空镀膜设备实时监控技术领域里有广阔地应用前景。
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公开(公告)号：CN104393116B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410668906.0
申请日：2014-11-20
申请人： 北京航空航天大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明一种纳米硅薄膜太阳能电池椭圆偏振光谱实时监控制备方法，它有七大步骤。采用化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，形成金字塔状的绒面硅片衬底；采用等离子体增强化学气相沉法制备晶态含量在50±5％之间，晶态峰在502?518cm?1之间的本征纳米硅膜，并通过在沉积过程中掺入PH3等制备N型纳米硅薄膜，掺入B2H5等制备P型纳米硅薄膜；在上述沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭圆偏振光谱实时监控薄膜生长过程的制备方法，这是本专利申请的核心技术；采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极和上电极及透明电极。经上述工艺便可制备出其具有重复性的高光电转换效率的纳米硅薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN104393116A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410668906.0
申请日：2014-11-20
申请人： 北京航空航天大学
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804 , C23C14/547
摘要： 本发明一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光谱实时监控制备方法，它有七大步骤。采用化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，形成金字塔状的绒面硅片衬底；采用等离子体增强化学气相沉法制备晶态含量在50±5％之间，晶态峰在502-518cm-1之间的本征纳米硅膜，并通过在沉积过程中掺入PH3等制备N型纳米硅薄膜，掺入B2H5等制备P型纳米硅薄膜；在上述沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭园偏振光谱实时监控薄膜生长过程的制备方法，这是本专利申请的核心技术；采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极和上电极及透明电极。经上述工艺便可制备出其具有重复性的高光电转换效率的纳米硅薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN202543327U
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201220009302.1
申请日：2012-01-10
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备，它是一种形状、构造相同的连续性结构，该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成，左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连接；主真空腔室和隔离板之间采用氩弧焊连接；隔离板和副真空腔室之间采用氩弧焊连接；隔离板和高真空密封阀门装置之间采用氟胶圈密封；副真空腔室和右法兰之间采用氩弧焊连接；高真空密封阀门装置和右法兰之间采用氟胶圈密封；右法兰和大密封板之间采用氟胶圈密封连接；重复按此顺序连接，就实现多真空腔室连接，从而展开无污染的多层膜制备。本实用新型在真空镀膜设备实时监控技术领域里有广阔地应用前景。
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