芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置

    公开(公告)号:CN116930670B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311205204.4

    申请日:2023-09-19

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置,属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括:构建测试装置;根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征;将当前被测芯片连接到测试装置上;采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片;记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段,在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征,然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试,最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征,为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础,该方法适用范围广。

    芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置

    公开(公告)号:CN116930670A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311205204.4

    申请日:2023-09-19

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置,属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括:构建测试装置;根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征;将当前被测芯片连接到测试装置上;采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片;记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段,在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征,然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试,最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征,为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础,该方法适用范围广。

    变电站复杂环境下的二次设备可靠性监测装置

    公开(公告)号:CN116946079A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310700176.7

    申请日:2023-06-13

    摘要: 本发明涉及变电站二次设备监测领域,公开了一种变电站复杂环境下的二次设备可靠性监测装置,包括底座、支撑机构、监测件以及控制组件,支撑机构包括安装于底座的横向两侧的支撑杆、辅助杆、伸缩驱动件,控制组件能够检测底座是否处于横向倾斜状态,当底座处于横向倾斜状态时,控制组件控制伸缩驱动件驱动相对高度较低的一侧的支撑杆围绕纵向方向的轴线转动,并且辅助杆相对于支撑杆向下伸出以支撑承载面,从而驱动底座返回横向平衡状态。通过上述技术方案,控制组件可以检测底座是否处于倾斜状态,当底座倾斜时可以控制支撑杆向外转动并伸出辅助杆,以支撑地面而获得反作用力,通过反作用力使得底座返回平衡状态,保障了巡检装置的安全运行。