-
公开(公告)号：CN116976276A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310896847.1
申请日：2023-07-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种基于电路版图的提高电路设计精度的方法。本发明首先将电路里配对的mosfet连接到测试设备中，然后在外接端点上添加应用激励，从而判断配对的两颗mosfet的性能，对其中性能相对更好的器件进行器件老化，通过老化方法使得性能相对好的器件匹配性能相对差的器件，从而消除工艺局部偏差，使得总体性能匹配。本发明主要应用于对电路性能有较高要求的芯片产品中，且本发明无需修改电路设计，操作方便，且能够真实的削减芯片的局部偏差。本发明的老化过程可以在通常的HTOL测试流程中完成，即无需增加额外的步骤，便可以对芯片级进行电路性能调整。
-
公开(公告)号：CN116930711A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310893598.0
申请日：2023-07-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于描述器件性能特征的版图结构、制作及测试方法。本发明设计的版图结构能够在12个pad中放下14个器件，解决同时提供高测量精度并节省布局空间的问题。本发明布局满足如下条件：①使用相同焊盘B；②版图结构中NMOS1、NMOS3、NMOS5、NMOS7、NMOS9、NMOS11和NMOS13共享相同的一个sourcepadS1和一个gatepadG1；③版图结构中的NMOS2、NMOS4、NMOS6、NMOS8、NMOS10、NMOS12和NMOS14共享相同的另一个sourcepadS2和另一个gatepadG2；④NMOS1和NMOS2共享相同的一个drainpadD1。同时本发明通过测量IdVg和IdVd，消除版图结构中产生的寄生电阻的方法。本发明解决了同时提供高测量精度并节省布局空间。
-
公开(公告)号：CN116992801A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202211093426.7
申请日：2022-09-06
Applicant: 杭州电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京卓芯半导体科技有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种考虑TDDB效应的电路评估方法。本发明包括如下步骤：1、首先进行电路仿真，得到该仿真时间段内电路的电压波形；然后根据该波形计算TDDB效应造成电路失效的时间，并将该失效时间转换为退化指标；2、判断步骤1中得到的退化指标是否小于1，若小于1则说明该电路的裕量过小，需重新设计；若大于等于1，说明该电路在TDDB效应的影响下仍可以在设计的裕量下正常工作，未超出预期。本发明基于电压实时波形计算TDDB效应引起的退化，将其转化为退化指标来评估电路性能，具有灵活性、高可靠性以及易于实现的优点，能够在电路超出预期失效时间前准确地给出提示信号，更好地评估TDDB效应对电路性能的影响，有利于在设计阶段加强电路的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116885923A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310866264.4
申请日：2023-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学 , 北京卓芯半导体科技有限公司
IPC: H02M1/00 , H02M1/08 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种高dv/dt噪声抑制的高压侧驱动电路。本发明包括脉冲产生电路、高压电平移位电路、噪声消除电路、脉冲滤波电路、RS锁存器、输出级驱动电路；脉冲产生电路产生两路低压窄脉冲信号；高压电平移位电路将输入的两路低压窄脉冲VUP和VDOWN转换为两路高压脉冲VSET和VRST；噪声消除电路用于消除由浮动电源快速变换带来的dv/dt噪声；脉冲滤波电路用于滤除由于电路不匹配而产生的微小噪声；RS锁存器将两路脉冲信号还原成与输入信号同相的方波信号；输出级驱动电路用于增强信号的功率驱动能力，驱动电路输出HO控制高侧功率开关器件的导通与关断。本发明能够有效抑制浮动电源快速变化时所造成的dv/dt噪声，提高电路的稳定性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN119093713A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411221590.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 杭州电子科技大学 , 上海航天控制技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于高侧驱动的高性能电荷泵电路，包括振荡器电路、死区产生电路和电荷泵电路；振荡器电路用于产生周期性变化的方波信号，作为死区产生电路的时钟信号CLK；死区产生电路对CLK信号进行处理，产生两两有一定死区时间的时钟信号；电荷泵电路通过死区产生电路产生的信号控制开关管的开启与关闭来控制电容的充电或者放电，对电荷进行积累，实现电压泵升。本发明的电荷泵电路在死区产生电路的控制下，开关管反复的开启与关闭来控制电容的充电或者放电，实现电压泵升，转换效率高，损耗小，输出纹波小，且在稳压管的作用下，使输出电压固定在一个数值，稳定输出。本发明功耗小，转换效率高，输出纹波小且稳定，输出电压不会过高。
-
公开(公告)号：CN116976065A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211084330.4
申请日：2022-09-06
Applicant: 杭州电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京卓芯半导体科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种器件老化敏感点分析方法。本发明按照电路设计自带的模块层次依次对电路中的每个模块层次中的器件进行老化分析。即对电路中随机一个模块层次中的器件进行老化仿真时，其余模块层次中的器件重置为零，便于对当前模块层次中器件的老化分析。电路网仿真结束后，比较每个模块层次的电路网的老化性能衰退指标与老化性能衰退指标阈值的大小。如果当前模块层次的电路网的老化性能衰退指标大于老化性能衰退指标阈值，则对当前模块层次的电路网中下一层级的M个电路网表进行老化仿真，直到最低层级的器件为止。本发明能够大大降低电路可靠性敏感点分析的计算量，提升电路可靠性敏感点分析的效率、速度，并且不会影响敏感点分析的精度。
-
公开(公告)号：CN119134869A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411250577.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 杭州电子科技大学 , 北京卓芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于高压半桥栅极驱动电路的高串扰抑制电路，包括高侧串扰抑制电路和低侧串扰抑制电路。本发明在传统驱动电路的基础上，通过控制MOS管的开通关断来抑制桥臂串扰，相较于传统的抑制方法，该发明不会影响功率管的开关速度，而且没有增加额外的电源，节约成本；串扰抑制电路和延时电路结构简单，抑制效果显著，避免了电路的复杂性。
-
公开(公告)号：CN116827097A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310866262.5
申请日：2023-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学 , 北京卓芯半导体科技有限公司
IPC: H02M1/088 , H03K17/16 , H03K17/687 , H03K3/356
Abstract: 本发明公开了一种可抗dVS/dt噪声的高侧栅极驱动电路。本发明高压电平移位电路的输入来源于低侧脉冲边缘获取电路产生的双路窄脉冲，其输出作为电流源电路的输入，控制电流源电路是否工作；电流源电路的两路输出信号一方面作为RS触发器的输入，另一方面两路信号经过与非门和非门的逻辑转换后，产生传输门的控制信号；传输门的输入信号为RS触发器电路的输出信号，其输出信号为输出驱动电路的输入信号，反相器为输出驱动电路的一部分，输出驱动级电路通过输出驱动信号控制外部功率管的开与关。本发明抗共模噪声能力更强，且在电源电压稳定时，不影响电路的正常工作状况。本发明中无需加入额外滤波电路，电路传输延时大大降低，有效提高信号的传输效率。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.102 seconds)
