公开(公告)号：CN116404041A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211090728.9

申请日：2022-09-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  刘芳 ,  付振 ,  段宝兴 ,  李秀伟 ,  李腾浩 ,  钟明琛 ,  马俊超 ,  李明哲 ,  杨银堂

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之间形成N型漂移区，在P型柱区和N型漂移区上部形成P型阻挡层，在P型阻挡层上形成GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上形成源区，源区内设置源极，对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部刻蚀形成介质沟槽，在介质沟槽内设置三氧化二铝薄氧化层和SIPOS场板，位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅和多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接，本发明还提出半超结场效应管以及超结、半超结场效应管的制作方法。

公开(公告)号：CN116190438A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211100004.8

申请日：2022-09-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  段宝兴 ,  刘芳 ,  张鹏 ,  胡毅 ,  吴峰霞 ,  马俊超 ,  李明哲 ,  杨银堂

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

摘要： 本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法；是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时，会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响，从而影响到导通电流的问题；包括GaN材料的衬底；依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上表面形成的源区，源区内设置源极；在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层，在N型漂移区上部形成P型阻挡层；通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽，介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层，在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板；在SIPOS场板上方淀积多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极和钝化层，两个源极共接。

公开(公告)号：CN116259659A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202210346188.X

申请日：2022-03-31

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 段宝兴 ,  马俊超 ,  杨珞云 ,  王雨龙 ,  杨银堂

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法，解决了传统的AlGaN/GaN垂直型器件在使用时，存在较低的耐压以及较高的导通损耗的技术问题。本发明晶体管包括：衬底、漏极、N型漂移区11、GaN沟道层7和AlGaN势垒层；N型漂移区11为氮化镓外延层；在AlGaN势垒层上表面形成源区；设置在源区内的源极；在N型漂移区11上部形成P型阻挡层9；通过对N型漂移区11、GaN沟道层7和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成介质沟槽；设置在介质沟槽内壁的二氧化硅10薄氧化层和SIPOS场板；位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅10和多晶硅8；设置在多晶硅8上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接。