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公开(公告)号：CN112736643A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110003808.5
申请日：2021-01-04
申请人： 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层；非线性晶体层，位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
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公开(公告)号：CN113917712B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111210037.3
申请日：2021-10-18
申请人： 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及了一种可以消除铌酸锂热电效应的D型光纤M‑Z电光调制器。该调制器包括以下部分：光纤波导区、耦合区、调制区、消除热电效应区、平板波导区、D型光纤波导区。光经光纤波导区传输，逐渐耦合进入耦合区波导，分成两路经调制区波导后产生相位差，经耦合区干涉实现强度调制，并通过耦合区逐渐耦合进入光纤波导。消除热电效应区包裹于D型光纤波导区与平板波导区的Z面，形成回路，将M‑Z电光调制器工作过程中产生的热电荷对外加电场的影响消除掉，帮助器件散热，并有利于实现阻抗匹配，提高调制器效率，保障器件工作稳定。
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公开(公告)号：CN112736643B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110003808.5
申请日：2021-01-04
申请人： 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层；非线性晶体层，位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
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公开(公告)号：CN113917712A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111210037.3
申请日：2021-10-18
申请人： 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及了一种可以消除铌酸锂热电效应的D型光纤M‑Z电光调制器。该调制器包括以下部分：光纤波导区、耦合区、调制区、消除热电效应区、平板波导区、D型光纤波导区。光经光纤波导区传输，逐渐耦合进入耦合区波导，分成两路经调制区波导后产生相位差，经耦合区干涉实现强度调制，并通过耦合区逐渐耦合进入光纤波导。消除热电效应区包裹于D型光纤波导区与平板波导区的Z面，形成回路，将M‑Z电光调制器工作过程中产生的热电荷对外加电场的影响消除掉，帮助器件散热，并有利于实现阻抗匹配，提高调制器效率，保障器件工作稳定。
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公开(公告)号：CN117723578A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311729922.1
申请日：2023-12-15
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： G01N23/223 , G06N3/0499 , G06N3/084
摘要： 本发明公开一种X射线荧光光谱的元素识别方法、系统、设备及介质，属于X射线荧光光谱识别领域。利用能量色散型X射线荧光光谱仪测试并记录不同参考样品的X射线荧光光谱数据，采用哈尔小波基最大重叠离散小波变换对X射线荧光光谱数据进行预处理，根据预处理后的X射线荧光光谱数据，利用麻雀搜索算法对BP神经网络进行优化和训练，使用训练好的BP神经网络识别X射线荧光光谱的全元素。本发明能够更好地适应全元素的X射线荧光光谱检测，且只经过一步预处理和BP神经网络的识别，即可实现X射线荧光光谱的快速、高精度元素识别。
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公开(公告)号：CN115472506A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110775018.9
申请日：2021-07-08
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了一种双栅极器件的制备方法及双栅极器件，该方法包括：制备底栅极；在底栅极上制备底栅介质层；将单层或多层低维材料覆盖至底栅介质层；在低维材料上制备顶栅介质层；在顶栅介质层上制备顶栅极；将电子束负胶覆盖在顶栅介质层及顶栅极和低维材料上并对其图形化和刻蚀；将电子束正胶覆盖在衬底上并对其图形化和刻蚀，暴露低维材料同时形成电极掩膜；刻蚀掉暴露出的低维材料；对电子束负胶覆盖的剩余部分低维材料镀膜，得到与低维材料两端侧面接触的端接触电极，制备出端接触双栅极器件。通过上述方案能缩减器件尺寸，深入研究多层低维材料在双栅极器件中的工作机理，增强栅极对导电沟道的控制力，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN114910996A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110168933.1
申请日：2021-02-07
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明提供一种端面耦合器，包括硅衬底、埋氧层和二氧化硅包层，二氧化硅包层内设有：输入段波导，其包括至少四条条形波导，各条形波导的第一端端面与端面耦合器的第一端端面之间均具有第一距离，各条形波导的几何中心线与垂直于条形波导延伸方向的截面的交点围成正多边形，各条形波导的垂直于其几何中心线的横截面面积沿延伸方向逐渐增大；转换波导，自输入段波导的第二端朝向端面耦合器的第二端延伸，转换波导的端部与各条形波导的第二端均相接；输出段波导，其自转换波导的远离输入段波导的一端朝向与端面耦合器的第二端延伸，且输出段波导的端部与转换波导的端部相接。该端面耦合器对准容差大、耦合损耗小，从而具有较高的耦合效率。
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公开(公告)号：CN112565939B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202011298482.5
申请日：2020-11-18
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H04Q11/00 , H04L41/0896 , H04L41/0893
摘要： 本发明提供一种无源光网络数据传输方法、网络切片带宽分配方法及装置，所述数据传输方法将输出队列的数据按照队列优先级序数等分，在一个传输周期内发送各传输队列中的第一个数据段，同时，在每个传输周期内都调低各传输队列的队列优先级序数以调整优先级。可以在保证优先级较高的数据帧能够快速传输的同时，使得优先级较低的数据帧也能够实时传输。所述网络切片带宽分配方法在一个传输周期内，结合各传输队列的优先级对各传输队列的第一个数据段分别配置带宽。能够极大提高资源利用率，提高无源光网络整体的传输速度。
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公开(公告)号：CN111766710A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010572254.6
申请日：2020-06-22
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明实施例提供了一种基于光纤端面角锥的贝塞尔光束形成方法，所述方法包括：将光纤的一端浸入腐蚀液中进行至少两次腐蚀操作，得到具有光纤端面角锥的光纤，所述光纤的一端为去除涂覆层的裸纤，将光束由所述光纤的另一端输入，经所述光纤端面角锥输出，形成贝塞尔光束，其中：每次腐蚀操作中所述腐蚀液的温度保持不变，且不同腐蚀操作中所述腐蚀液的温度不同，所述腐蚀液的温度为25℃-100℃；在每次腐蚀操作后，将所述光纤的一端用去离子水清洗；将清洗后的所述光纤的一端在惰性气体中干燥。采用本发明实施例，可以提高光纤端面角锥的加工效率。
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公开(公告)号：CN107426129B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710557218.0
申请日：2017-07-10
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H04L27/26 , H04L25/03 , H04L27/34 , H04B10/69 , H04B10/2575
摘要： 本发明实施例提供了一种GFDM信号的调制、解调方法及装置，调制方法包括：获得待调制的原始信号；进行脉冲整形，得到随机滤波器脉冲；将待调制信号序列与随机滤波器脉冲进行循环卷积处理，得到第一调制信号；将随机滤波器脉冲映射为一随机相位序列；将第一调制信号与随机相位序列的数量积作为第二调制信号，并返回获得与所述待调制信号对应的随机二进制序列的步骤，直到循环次数达到预设值；计算每路时域信号的峰均功率比；确定峰均功率比最小的一路时域信号作为调制后的待传输信号。可见，经过脉冲整形及随机相位序列的映射处理，可以确定峰均功率比最小的一路信号作为待传输信号，明显降低GFDM信号的峰均功率比。
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