-
公开(公告)号：CN112736643A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110003808.5
申请日：2021-01-04
Applicant: 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层；非线性晶体层，位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
-
公开(公告)号：CN113917712B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111210037.3
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及了一种可以消除铌酸锂热电效应的D型光纤M‑Z电光调制器。该调制器包括以下部分：光纤波导区、耦合区、调制区、消除热电效应区、平板波导区、D型光纤波导区。光经光纤波导区传输，逐渐耦合进入耦合区波导，分成两路经调制区波导后产生相位差，经耦合区干涉实现强度调制，并通过耦合区逐渐耦合进入光纤波导。消除热电效应区包裹于D型光纤波导区与平板波导区的Z面，形成回路，将M‑Z电光调制器工作过程中产生的热电荷对外加电场的影响消除掉，帮助器件散热，并有利于实现阻抗匹配，提高调制器效率，保障器件工作稳定。
-
公开(公告)号：CN112736643B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110003808.5
申请日：2021-01-04
Applicant: 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层；非线性晶体层，位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
-
公开(公告)号：CN113917712A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111210037.3
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及了一种可以消除铌酸锂热电效应的D型光纤M‑Z电光调制器。该调制器包括以下部分：光纤波导区、耦合区、调制区、消除热电效应区、平板波导区、D型光纤波导区。光经光纤波导区传输，逐渐耦合进入耦合区波导，分成两路经调制区波导后产生相位差，经耦合区干涉实现强度调制，并通过耦合区逐渐耦合进入光纤波导。消除热电效应区包裹于D型光纤波导区与平板波导区的Z面，形成回路，将M‑Z电光调制器工作过程中产生的热电荷对外加电场的影响消除掉，帮助器件散热，并有利于实现阻抗匹配，提高调制器效率，保障器件工作稳定。
-
公开(公告)号：CN109192799B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811025273.6
申请日：2018-09-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器及其制备方法。其中，所述石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器包括：铜衬底、氧化亚铜层、石墨烯层以及欧姆接触电极；所述氧化亚铜层处于所述铜衬底和所述石墨烯层之间；所述欧姆接触电极设置于所述石墨烯层表面。本发明实施例提供的石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器选用以铜作为石墨烯的衬底，将氧化亚铜层作为光吸收面，实现了光电信号的转换，并且石墨烯层、氧化亚铜层以及铜衬底均具有良好的柔性以及电学性质，与现有的集成电路工艺兼容性较好，同时有适用于可能发生较大形变电子设备的潜力，如柔性可穿戴电子设备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113381293A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110453120.7
申请日：2021-04-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本公开实施例提供了一种贝塞尔光束发射器及贝塞尔光束发射器的制作方法，该贝塞尔光束发射器包括：有源层，有源层包括用于产生光束的发光子层；上分布反射镜层，上分布反射镜层位于有源层的一侧，上分布反射镜层包括偶数数量个第一折射率子层；下分布反射镜层，下分布反射镜层位于有源层的另一侧，下分布反射镜层包括偶数数量个第二折射率子层，第一折射率子层的数量小于第二折射率子层的数量；欧姆接触层，欧姆接触层位于上分布反射镜层的远离有源层的一侧，欧姆接触层用于连接电极；光束转换层，光束转换层位于欧姆接触层远离上分布反射镜层的一侧，有源层产生的光束能够进入光束转换层，光束转换层能够对光束进行转换得到贝塞尔光束。
-
公开(公告)号：CN113054048A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110277300.4
申请日：2021-03-15
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0336 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管包括硅吸收层，所述硅吸收层两侧为P+高掺杂层，硅吸收层下面依次为场控层、倍增层非耗尽层，硅吸收层上面为二维类材料，二维类材料与硅吸收层组成的异质结共同成为雪崩光电二极管的吸收层。二维材料具有超大的比表面积，良好的面内热电导率，超高的载流子迁移率，以及相对较小的杨氏模量，提高了高频光电探测器的响应度；吸收层位于器件的表层，形成倒装结构，避免了离子注入产生的缺陷吸收，从而使入射的蓝绿光波段能够被充分有效的吸收；产生的电场为垂直电场，提高器件的量子效率，减小了漏电流。
-
公开(公告)号：CN111766710A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010572254.6
申请日：2020-06-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于光纤端面角锥的贝塞尔光束形成方法，所述方法包括：将光纤的一端浸入腐蚀液中进行至少两次腐蚀操作，得到具有光纤端面角锥的光纤，所述光纤的一端为去除涂覆层的裸纤，将光束由所述光纤的另一端输入，经所述光纤端面角锥输出，形成贝塞尔光束，其中：每次腐蚀操作中所述腐蚀液的温度保持不变，且不同腐蚀操作中所述腐蚀液的温度不同，所述腐蚀液的温度为25℃-100℃；在每次腐蚀操作后，将所述光纤的一端用去离子水清洗；将清洗后的所述光纤的一端在惰性气体中干燥。采用本发明实施例，可以提高光纤端面角锥的加工效率。
-
公开(公告)号：CN109586146B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910023024.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种太赫兹波发生器。该发生器包括衬底、N‑型DBR反射镜、至少两个激光发射组件、钝化层、N‑型电极、P‑型电极、光栅层和非线性晶体；激光发射组件用于发射激光；N‑型DBR反射镜沉积于衬底的任一端面上；每一激光发射组件沉积于每一凸起结构上；钝化层覆盖沉积在激光发射组件和N‑型DBR反射镜表面上，且钝化层的第一部位处设有开口；非线性晶体相对开口、固定置于与开口相距预设距离的位置；N‑型电极贯穿钝化层与N‑型DBR反射镜电连接；P‑型电极环绕开口、贯穿钝化层与激光发射组件电连接；且各个激光发射组件之间的连接方式为串联连接或并联连接。应用本发明实施例提供的发生器具有高的集成度。
-
公开(公告)号：CN119689647A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510015469.0
申请日：2025-01-06
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种反转T型波导结构的光栅耦合器，涉及光电集成器件技术领域，包括光子芯片及光纤(1)。光子芯片结构从上至下依次包括以下部分：波导耦合光栅(2)、波导层(3)、二氧化硅掩埋层(4)、反射镜层(5)、衬底层(6)；其中，反射镜层(5)由多组折射率差较大的不同材料层交替形成，波导耦合光栅在波导层(3)上刻蚀形成，光纤(1)被设置在光子芯片上方，与垂直方向z轴形成倾斜角。反转T型结构可有效增强相邻光栅之间的相互作用，增加向上衍射的光束，减少横向透射光带来的插入损耗，以提高光栅耦合器的耦合效率，并实现大带宽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.067 seconds)
