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公开(公告)号：CN113938624A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111201996.9
申请日：2021-10-15
IPC分类号： H04N5/357
摘要： 本发明公开了一种多载波系统中载波串扰与偏振串扰联合补偿方法，通过采用三个自适应滤波器将相邻子载波进行频率移位得到的信号与同频率不同偏振的另一信号共同对原信号进行载波串扰补偿和偏振模色散补偿，并且滤波器的抽头系数随着信号的输入不断更新，通过每个滤波器不同的抽头系数比例对原信号进行恢复，可以很有效的消除原信号的频谱串扰和偏振模色散干扰。基于本发明提出的对载波间串扰和偏振模色散联合补偿方法，可以有效地提升发送信号的频谱效率，提高在光纤中传输的距离，有效地增大接收端的信噪比和减小误码率。在高速率高密集多载波的光纤传输系统中有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN113938624B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111201996.9
申请日：2021-10-15
IPC分类号： H04N5/357
摘要： 本发明公开了一种多载波系统中载波串扰与偏振串扰联合补偿方法，通过采用三个自适应滤波器将相邻子载波进行频率移位得到的信号与同频率不同偏振的另一信号共同对原信号进行载波串扰补偿和偏振模色散补偿，并且滤波器的抽头系数随着信号的输入不断更新，通过每个滤波器不同的抽头系数比例对原信号进行恢复，可以很有效的消除原信号的频谱串扰和偏振模色散干扰。基于本发明提出的对载波间串扰和偏振模色散联合补偿方法，可以有效地提升发送信号的频谱效率，提高在光纤中传输的距离，有效地增大接收端的信噪比和减小误码率。在高速率高密集多载波的光纤传输系统中有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN116840536A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310819443.2
申请日：2023-07-05
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： G01R13/28 , G06F18/10 , G06F18/2132 , G06F17/14 , G06F17/11
摘要： 本发明公开了一种可以应用于宽带取样示波器的抖动分离的方法，该发明能够较好地将总抖动中的确定性抖动与随机性抖动分离出来。本发明首先对提取出的时域上的总抖动直方图进行离散傅里叶变换，利用确定性抖动在频谱上呈现一定频谱范围内高峰的特点，分离出确定性抖动，而后将频域上的抖动转换回时域上，用混合高斯模型对随机性抖动进行描述。该发明结合了时域和频域处理抖动分离的优点，在保证了一定的精确度的同时，还兼具了处理的速度。
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公开(公告)号：CN116796136A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310815920.8
申请日：2023-07-04
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： G06F18/10 , G06F18/2131 , G06F18/2132 , G06F18/2135
摘要： 本发明公开了一种用于减小高速采样示波器时基抖动的方法，所述方法包括：对信号进行采样和波型构建，基于香农准则标准化频谱，根据局部最大值算法分割频谱，使用经验尺度函数和经验小波对每段频谱进行积分卷积等处理，对得到的细节系数和近似系数进行处理，计算协方差矩阵得到主成分，再以主成分贡献率为标准确定主成分个数，再进行卷积运算得到新数据，最后对其重构还原真实信号。本发明所述技术方案可以减小高速采样示波器的时基抖动，从而测量减小误差。
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公开(公告)号：CN106480498B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610888922.X
申请日：2016-10-12
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN105088181B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN105088181A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN108418095B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810119727.X
申请日：2018-02-06
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n‑InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
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公开(公告)号：CN105448675B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410514645.7
申请日：2014-09-29
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN106654860A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610986904.5
申请日：2016-11-09
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34326
摘要： 本发明公开了一种1.55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法，属于光通信用激光器材料和半导体光电子材料及其制造技术领域。所述材料包括在单晶InP衬底上依次制备得到的下DBR结构、激光器外延材料结构和上DBR结构，所述的下DBR结构包括多层介质图形结构及在其中生长的InP缓冲层和InP侧向外延层。本发明将纳米尺度侧向外延方法与传统Si/SiO2多层介质结构相结合，同时实现高反射率的下DBR结构与InP晶格匹配的虚拟衬底功能的方法；采用MOCVD方法解决了InP基长波长VCSEL外延材料的高反射率下DBR结构的材料制备问题，且省去了复杂的下DBR结构外延过程，减少VCSEL外延材料制备的成本，更适合于产业化的材料制备要求。
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