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公开(公告)号：CN117750868B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410186184.9
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H10N30/853 , H10N30/88 , H10N30/072
摘要： 本发明公开了一种复合压电衬底及其制备方法。该复合压电衬底包括：层叠设置的支撑基板、辅助键合层和压电材料层；辅助键合层与压电材料层键合连接；压电材料层的材料包括铌酸锂或钽酸锂；支撑基板的材料包括采用化学气相沉积法制备的多晶碳化硅，支撑基板内部的多晶碳化硅晶粒具有预设长度比、预设取向的晶粒占比之差和预设尺寸范围；其中，预设长度比为多晶碳化硅晶粒平行于支撑基板的厚度方向的长度与多晶碳化硅晶粒平行于支撑基板的延伸方向的长度之间的比值。本发明实施例的技术方案可在保证压电器件具有较高Q值的情况下，降低支撑基板的加工难度和成本。
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公开(公告)号：CN117750868A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410186184.9
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H10N30/853 , H10N30/88 , H10N30/072
摘要： 本发明公开了一种复合压电衬底及其制备方法。该复合压电衬底包括：层叠设置的支撑基板、辅助键合层和压电材料层；辅助键合层与压电材料层键合连接；压电材料层的材料包括铌酸锂或钽酸锂；支撑基板的材料包括采用化学气相沉积法制备的多晶碳化硅，支撑基板内部的多晶碳化硅晶粒具有预设长度比、预设取向的晶粒占比之差和预设尺寸范围；其中，预设长度比为多晶碳化硅晶粒平行于支撑基板的厚度方向的长度与多晶碳化硅晶粒平行于支撑基板的延伸方向的长度之间的比值。本发明实施例的技术方案可在保证压电器件具有较高Q值的情况下，降低支撑基板的加工难度和成本。
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公开(公告)号：CN117305987B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311611073.X
申请日：2023-11-29
摘要： 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法。长晶依托于长晶装置，包括炉体，炉体内设有用于盛放长晶原料的石墨坩埚，石墨坩埚上方设有籽晶杆，一籽晶托，设于籽晶杆一端，籽晶托上设有碳化硅籽晶，加热装置，用于提供晶体生长所需温度，抽真空装置，用于提供晶体生长所需真空环境；消除气泡包裹的方法包括如下步骤：a装料、b化料、c回熔、d提拉、e旋转、f再回熔、g长晶、h待晶体生长完成，进行冷却，冷却后取下晶体，完成长晶。本发明提供的方法，长晶过程中消除籽晶表面气泡，使籽晶表面光滑，可生长出高质量的碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN117305986A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311610360.9
申请日：2023-11-29
摘要： 本申请涉及半导体材料技术领域，具体涉及单晶碳化硅长晶原料、单晶碳化硅长晶方法及单晶碳化硅。单晶碳化硅长晶原料，被配置为SixCryAlz(M+AlN）h。单晶碳化硅长晶方法，依托于长晶装置，长晶装置包括腔体；腔体内设有石墨坩埚；石墨坩埚上方设有籽晶杆；籽晶托，设于所述籽晶杆一端，籽晶托上设有碳化硅籽晶；加热装置，用于提供晶体生长所需温度；抽真空装置，用于提供晶体生长所需真空环境；石墨坩埚内盛放的长晶原料为上述长晶原料。单晶碳化硅，由上述长晶方法制得。长晶过程中，通过铝的持续供应，减少溶剂夹杂及二维成核，使单晶碳化硅生长面长时间维持光滑，可进行持续生长，能够生长大厚度的高质量单晶碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN117305985A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311610357.7
申请日：2023-11-29
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及碳化硅单晶生长，具体涉及石墨坩埚、其制备方法及碳化硅单晶长晶方法技术领域。石墨坩埚，所述石墨坩埚内壁设有石墨‑铝复合层。还包括石墨坩埚的制备方法，制备铝、石墨浆料；将铝、石墨浆料置于石墨坩埚内壁上，烧结所述石墨坩埚，烧结后冷却，制得具有石墨‑铝复合层的石墨坩埚。及采用上述石墨坩埚的单晶碳化硅长晶方法。生长出的单晶碳化硅表面能够长时间维持光滑，减少溶剂夹杂及二维成核，利于制造大厚度的高质量的单晶碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN117241654A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311508028.1
申请日：2023-11-14
IPC分类号： H10N30/082 , H10N30/085 , H10N30/086
摘要： 本发明涉及一种基于机械减薄技术制备复合压电衬底的方法，所述方法包括：首先，将压电材料与半导体材料衬底进行键合，得到含有压电层的键合体；然后，将压电层中远离键合面一侧的边缘圆角通过加工L型倒角去除，控制L型倒角的水平段位于键合面的上方，得到倒角后的键合体；之后，依次进行腐蚀处理、机械减薄处理和抛光处理，得到复合压电衬底。本发明提供的方法通过对压电层加工L型倒角和腐蚀处理能够去除倒角痕迹，避免机械减薄时出现边缘撕裂、崩边等问题，还能使复合压电衬底与抓取结构更加匹配，避免因结构受力不均导致在机械或人工抓取、运输、存储等过程中发生衬底崩边问题，且外形美观，产品良率较高。
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公开(公告)号：CN117156947A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311423341.5
申请日：2023-10-31
摘要： 本发明涉及一种复合压电衬底的制备方法，所述制备方法包括：首先，将压电材料供体的待键合面进行离子注入，在压电材料供体的待键合面形成损伤层，得到含有损伤层的压电材料供体；然后，将含有损伤层的压电材料供体和半导体材料衬底进行键合，得到键合体；之后，将键合体的支撑层与压电材料陪片进行临时键合，得到第一复合衬底；接着，将第一复合衬底进行热处理，得到第二复合衬底和压电材料供体剩余部分；最后，将第二复合衬底进行解键合，得到复合压电衬底和压电材料陪片。本发明提供的制备方法能够实现压电材料供体完整剥离，减少复合压电衬底的加工步骤，避免现有技术中产生的碎屑污染，提升产品良率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116754791A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311041163.X
申请日：2023-08-18
摘要： 本发明涉及一种溶液法生长碳化硅晶体中溶液流动的观察方法和观察装置，观察方法包括：对硅合金溶液进行保温，使硅合金溶液表面析出碳化硅晶体；通过调整硅合金溶液内温度梯度、施加电磁搅拌、旋转籽晶杆或旋转坩埚来改变硅合金溶液的流动参数，同时采用照相设备进行拍摄，得到含有流场参数的照片，实现对溶液流动的观测；其中，硅合金溶液的温度为1700‑2100℃；保温的时间为1‑3h；析出碳化硅晶体的溶液面积为硅合金溶液表面面积的30‑60%。本发明提供的观察方法，通过观察碳化硅晶体在硅合金溶液表面的流动过程，获得了溶液法生长碳化硅晶体过程中不同工艺条件下硅合金溶液的流动特点，具有流程简单，实现成本低的优点。
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公开(公告)号：CN116657256A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310935008.6
申请日：2023-07-28
摘要： 本发明提供了一种碳化硅长晶用原料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将粒径为8‑40目的碳化硅粉料装填至模具中，然后进行预压，得到预压块体；将所述预压块体进行热压，得到所述碳化硅长晶用原料。本发明所述制备方法能够得到颗粒间结合力大且孔隙率可调的碳化硅长晶用粉料块体，该块体作为原料长晶时，经碳化后很难被温度梯度驱动带入到晶体生长的界面，有效解决了来自碳化硅粉料碳化的碳颗粒包裹物缺陷，因其多孔性，保证了气相组分的升华量和物质输运通道的畅通，提高了晶体的良率和晶片的产率。
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公开(公告)号：CN116136029B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310348702.8
申请日：2023-04-04
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体的生长装置和生长方法，所述生长装置包括坩埚、坩埚盖、籽晶杆和籽晶托；所述坩埚的顶部敞口处设置有所述坩埚盖，所述籽晶杆的底端穿过所述坩埚盖伸入所述坩埚的内腔中，所述籽晶杆的底端连接所述籽晶托，所述籽晶托的底面设置有籽晶；所述坩埚的内腔底面设置有凸台，所述凸台的顶面低于所述籽晶的底面，所述凸台的顶面与所述籽晶的底面平行设置，以所述凸台的顶面为基准，所述籽晶的底面的投影面与所述凸台的顶面存在部分重合；所述坩埚的外周设置有加热组件。本发明的凸台顶面和籽晶底面之间能形成Couette剪切流，能够提高扩散到晶体生长界面的C溶质含量。
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