阵列基板、阵列基板的制作方法和显示装置

    公开(公告)号:CN112068360A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202011011445.1

    申请日:2020-09-23

    IPC分类号: G02F1/1339 G02F1/1343

    摘要: 本申请涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示装置,阵列基板包括第一基板、第一公共电极层、第二公共电极层、封框胶及导电胶;第一公共电极层呈网格状设置于第一基板的边缘;第二公共电极层设置于第一公共电极层的内侧,包括呈网格状设置的透光部,透光部上设置有栅绝缘层;封框胶设置于第一公共电极层上;导电胶设置于封框胶中并部分延伸至透光部对应的栅绝缘层上,导电胶用于与彩膜基板的公共电极电连接。本申请的阵列基板,通过在第二公共电极层中设置呈网格状的透光部,从而使得延伸至透光部对应的栅绝缘层上的导电胶能够接受光照而固化,固化效果好。

    一种石墨烯薄膜和石墨烯材料的制作方法以及显示面板

    公开(公告)号:CN111943175A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010745867.5

    申请日:2020-07-29

    IPC分类号: C01B32/184 H01L27/12

    摘要: 本发明公开了一种石墨烯薄膜和石墨烯材料的制作方法以及显示面板,所述石墨烯薄膜的制作方法包括步骤:获得氧化石墨烯分散液;通过电化学沉积方法将氧化石墨烯分散液还原成石墨烯材料;将石墨烯材料制备成石墨烯薄膜。本申请通过电化学沉积法还原制备石墨烯,因而可以在还原过程中根据需要控制电化学参数,使得形成的石墨烯粒径较小,由这些粒径小的石墨烯构成的石墨烯薄膜致密度高,石墨烯粒子结合紧密,使得导电效果提高,进而得到性能较好的导电薄膜。

    栅极驱动电路、显示模组及显示装置

    公开(公告)号:CN111883074A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010735669.0

    申请日:2020-07-28

    发明人: 郑佳阳 叶利丹

    IPC分类号: G09G3/36

    摘要: 本发明公开一种栅极驱动电路、显示模组及显示装置,该栅极驱动电路包括N个级联设置的阵列基板行驱动电路,设置为在其信号输入端接收到第N-1级阵列基板行驱动电路输出的栅极驱动信号时,输出第N级栅极驱动信号,以控制第N级子像素进行充电;第N级辅助电路的输入端接入第N-1级栅极驱动信号,第N级辅助电路的受控端与第N级阵列基板行驱动电路的上拉控制信号端连接,第N级辅助电路的输出端与第N级阵列基板行驱动电路的栅极驱动信号输出端连接;第N级辅助电路在其输入端接入的第N-1级栅极驱动信号及受控端接入的第N-1级上拉控制信号均为高电平时,控制第N级子像素进行充电。本发明提高了显示装置的画面品质。

    一种显示面板及其制作方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111785763A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010742447.1

    申请日:2020-07-29

    摘要: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法,包括步骤:形成感光元件层;在所述感光元件层上形成光准直层;在所述光准直层上形成主动发光矩阵层;其中,所述形成光准直层的步骤包括:提供一金属基材,放入电解液,通过二次氧化法制备多孔氧化金属,作为所述光准直层,光准直层过滤一些光线,仅使一定角度范围内的光线通过,使得感光元件接收到的光线更符合要求,检测的结果更精确,有利于提升显示面板的性能。

    石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列

    公开(公告)号:CN112538611A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202011391307.0

    申请日:2020-12-02

    摘要: 本发明公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及应用该石墨烯碳纳米管复合膜的薄膜晶体管阵列,其中,制备方法包括以下步骤:采用原子层沉积法在基底表面沉积金属催化层;采用原子层沉积法在所述金属催化层的表面沉积碳纳米管纳米膜,且所述金属催化层部分显露于所述碳纳米管纳米膜的表面;采用原子层沉积法在所述碳纳米管纳米膜的表面沉积石墨烯纳米膜,并采用催化层去除剂去除所述金属催化层,清洗,得到石墨烯碳纳米管复合膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯碳纳米管复合膜具有好的导电性能,可以替代传统氧化铟锡材料并广泛应用于薄膜晶体管。

    石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列

    公开(公告)号:CN112456470A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011393435.9

    申请日:2020-12-02

    摘要: 本发明公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及应用该石墨烯碳纳米管复合膜的薄膜晶体管阵列。其中,所述石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法包括以下步骤:采用电化学沉积法在金属基底的表面制备石墨烯薄膜;采用化学气相沉积法在所述石墨烯薄膜背向所述金属基底的表面制备碳纳米管膜;采用去除剂去除所述金属基底,清洗后得到石墨烯碳纳米管复合膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯碳纳米管复合膜具有好的导电性能,可以替代传统ITO材料并广泛应用于薄膜晶体管。