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公开(公告)号：CN110416141B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910342112.8
申请日：2019-04-26
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 黑濑英司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544
摘要： 本发明涉及一种形成半导体封装体的方法。所述方法可以包括：提供具有多个器件的晶圆；在所述晶圆的第一侧上在所述多个器件中的每个之间蚀刻一个或多个沟槽；将模塑料施加到所述晶圆的所述第一侧以填充所述一个或多个沟槽；将所述晶圆的第二侧研磨至所期望的厚度；以及暴露包括在所述一个或多个沟槽中的所述模塑料。所述方法可以包括：蚀刻所述晶圆的所述第二侧以暴露所述模塑料的高度来形成从所述晶圆延伸的一个或多个台阶；将背面金属化层施加到所述晶圆的第二侧；以及在所述一个或多个台阶处切割所述晶圆以形成多个半导体封装体。所述一个或多个台阶可以从所述背面金属化层的基部延伸。
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公开(公告)号：CN109411421A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810693672.3
申请日：2018-06-29
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
摘要： 本发明公开了半导体封装和用于形成半导体封装的方法。半导体封装的实施方式可包括：具有第一侧和第二侧的半导体管芯；所述晶圆的所述第一侧上包括的一个或多个凸块，所述凸块包括具有第一金属的第一层和具有第二金属的第二层。所述第一层可具有第一厚度，并且所述第二层可具有第二厚度。所述半导体封装还可具有包封除所述一个或多个凸块的一面以外的所有所述半导体管芯的模塑料。
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公开(公告)号：CN111725074A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010024571.4
申请日：2020-01-10
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 黑濑英司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/544 , H01L23/31 , H01L23/498
摘要： 本发明题为“扇出型晶片级芯片尺寸封装和制造方法”。在一般方面，一种用于生产扇出型晶片级封装半导体器件的方法可以包括：将半导体晶片分离成多个半导体管芯；以及在将半导体晶片分离成多个半导体管芯之后，增加多个半导体管芯之间的间距。该方法还可以包括：将多个半导体管芯包封在模塑料中；以及确定设置在模塑料内的一个或多个对准特征的相应位置。该方法还可以进一步包括基于确定的相应位置在模塑料中形成一个或多个对准标记。
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公开(公告)号：CN107482048A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710415808.X
申请日：2017-06-06
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 黑濑英司
摘要： 本公开涉及包括通孔的电子器件及其形成方法。提供了形成电子器件的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面蚀刻所述衬底以限定沟槽；在所述沟槽内形成通孔；将包括粘合剂的胶带施加在所述第一表面上方，其中所述胶带的所述粘合剂与所述第一表面间隔开一定距离；以及在所述衬底的所述第二表面上执行操作。
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公开(公告)号：CN110416141A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910342112.8
申请日：2019-04-26
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 黑濑英司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544
摘要： 本发明涉及一种形成半导体封装体的方法。所述方法可以包括：提供具有多个器件的晶圆；在所述晶圆的第一侧上在所述多个器件中的每个之间蚀刻一个或多个沟槽；将模塑料施加到所述晶圆的所述第一侧以填充所述一个或多个沟槽；将所述晶圆的第二侧研磨至所期望的厚度；以及暴露包括在所述一个或多个沟槽中的所述模塑料。所述方法可以包括：蚀刻所述晶圆的所述第二侧以暴露所述模塑料的高度来形成从所述晶圆延伸的一个或多个台阶；将背面金属化层施加到所述晶圆的第二侧；以及在所述一个或多个台阶处切割所述晶圆以形成多个半导体封装体。所述一个或多个台阶可以从所述背面金属化层的基部延伸。
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