半导体封装
    1.
    发明公开
    半导体封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN117374019A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311226904.1

    申请日:2018-07-25

    IPC分类号: H01L23/31 H01L21/56

    摘要: 本发明涉及半导体封装,包括:管芯,所述管芯包括位于所述管芯的第六侧的周边周围的凹槽和与所述第六侧相对的第一侧,所述管芯的所述第一侧包括多个电触点;第二模塑料,所述第二模塑料耦接在所述管芯的所述第六侧上并进入所述凹槽中,其中,所述第二模塑料被磨削到所需厚度,所述管芯的一部分与所述第二模塑料一起被磨削掉;耦接在所述管芯的所述第一侧上的第一模塑料,所述第一模塑料在所述第一侧上方形成厚度;以及耦接到所述管芯的所述第六侧的金属层。

    半导体封装及其形成方法

    公开(公告)号:CN109411369B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN201810824906.3

    申请日:2018-07-25

    IPC分类号: H01L21/56 H01L23/31

    摘要: 本发明涉及半导体封装及其形成方法。形成半导体封装的方法的实施方式可包括在晶圆的第一侧中形成多个凹槽,晶圆的第一侧包括多个电触点。所述方法还可包括使用模塑料涂布晶圆的第一侧和多个凹槽的内部,磨削晶圆的第二侧以将所述晶圆减薄到所需厚度,在晶圆的第二侧上形成背金属,通过磨削模塑料的第一侧来暴露多个电触点,以及在多个凹槽处对所述晶圆进行切单以形成多个半导体封装。

    半导体封装和用于形成半导体封装的方法

    公开(公告)号:CN109411421A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201810693672.3

    申请日:2018-06-29

    IPC分类号: H01L23/31 H01L21/56

    摘要: 本发明公开了半导体封装和用于形成半导体封装的方法。半导体封装的实施方式可包括:具有第一侧和第二侧的半导体管芯;所述晶圆的所述第一侧上包括的一个或多个凸块,所述凸块包括具有第一金属的第一层和具有第二金属的第二层。所述第一层可具有第一厚度,并且所述第二层可具有第二厚度。所述半导体封装还可具有包封除所述一个或多个凸块的一面以外的所有所述半导体管芯的模塑料。