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公开(公告)号：CN115793515A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211341060.0
申请日：2022-10-30
申请人： 华东光电集成器件研究所
IPC分类号： G05B19/042 , G02B26/08
摘要： 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。
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公开(公告)号：CN115520831A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211188875.X
申请日：2022-09-28
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明提供一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法，它包括取第一SOI硅片和第二SOI硅片，在第一SOI硅片的顶层硅上制作与第二SOI硅片键合连接的凸台、与凸台连接的下结构层硅引线；在第一SOI硅片的顶层硅表面生成保护氧化层，去除凸台表面的氧化层；将第二SOI顶层硅与凸台表面直接键合形成上下层；去除第二SOI硅衬底，露出顶层硅，在该层表面制作金属PAD点和上结构层硅引线。本发明具有步骤简便，立体交叉结构简单明了，适用于SOI体硅MEMS工艺的硅‑硅键合质量无损伤评价。
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公开(公告)号：CN112265954B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN110531242A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910816110.8
申请日：2019-08-30
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
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公开(公告)号：CN106449740A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610715458.4
申请日：2016-08-25
申请人： 华东光电集成器件研究所
IPC分类号： H01L29/732 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/0684 , H01L29/66234 , H01L29/66272
摘要： 本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N-阱，N-阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N-阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N-外延层，N-外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N-阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N-外延层中心还设有N-基区，N-基区上设有N+基区，N-基区中心设有P+发射区；发射极与N-阱通过深磷短接，接器件工作电压，使N-阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态，实现器件纵向集电自由，克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。
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公开(公告)号：CN112310577A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011026602.6
申请日：2020-09-25
申请人： 华东光电集成器件研究所
IPC分类号： H01P1/04
摘要： 本发明涉及微波元件应用及微波器件测量领域，特别涉及微波波导元件的紧固连接装置，将波两个夹片（Z1）的卡位内槽（K4）卡在两个对准配合的波导元件端面内侧，此时夹片与波导元件连接端口为面接触模式，转动手柄螺栓（Z2），其上部锥形体（K5）将两个夹片的上端部撑开，以定位螺栓（K4）为中心轴，两个夹片的下部的矩形板向内收缩，矩形板上的卡位内槽（K4）尺寸与波导元件连接端面外形尺寸相适，将两个波导元件平行夹紧。在紧固连接过程中，两个波导元件连接端口始终与两个夹片（Z1）中的卡位内槽（K4）处于面接触状态，因此波导元件连接端面在紧固过程中为均匀受力状态，在实现紧固连接的同时有效的避免了电磁泄漏的问题。
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公开(公告)号：CN112265954A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN115793515B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211341060.0
申请日：2022-10-30
申请人： 华东光电集成器件研究所
IPC分类号： G05B19/042 , G02B26/08
摘要： 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。
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