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公开(公告)号：CN113816751B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111021540.4
申请日：2021-09-01
申请人： 华东理工大学 , 上海交通大学 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/66 , C04B35/495 , C04B35/488 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种四方相高熵热障涂层材料，其由ZrO2、Y2O3、M2O3、Ta2O5和Nb2O5氧化物粉末形成，组元为Zr1‑4xYxMxTaxNbxO2，其中，0
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公开(公告)号：CN113816751A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111021540.4
申请日：2021-09-01
申请人： 华东理工大学 , 上海交通大学 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/66 , C04B35/495 , C04B35/488 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种四方相高熵热障涂层材料，其由ZrO2、Y2O3、M2O3、Ta2O5和Nb2O5氧化物粉末形成，组元为Zr1‑4xYxMxTaxNbxO2，其中，0
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公开(公告)号：CN1072628C
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN97106760.0
申请日：1997-12-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/453
摘要： 一种高频用Nb2O5-ZnO-Bi2O3三元系介质陶瓷材料及制备工艺，属于介质陶瓷领域。本发明提供的新组成区域(mol%)为：NbO5/235.0-41.0%，ZnO20.0-25.0mol%，BiO3/238.0-44.0。本发明制备工艺与传统氧化物陶瓷工艺相同，在制备过程中，作为烧结助剂用低熔点化合物(单独或复合添加)的加入量(wt%)为：LiF0.01-3.0，CuO0.01-1.0，V2O50.01-1.0，H3BO30.01-1.0，Pb3O40.01-3.0。作为调节电性能，取代Zn的二价元素为Ba、Sr、Ca，其单独或复合取代加入量(mol%)为：Ba0.5-6.0，Sr0.5-6.0，Ca1.0-24.0。本发明提供有关介质陶瓷的烧结温度≤900℃，烧结温度范围较宽，约为60-80℃，并具有较佳的介电性能。
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公开(公告)号：CN1218779A
公开(公告)日：1999-06-09
申请号：CN97106760.0
申请日：1997-12-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/453
摘要： 一种高频用Nb2O5－ZnO－Bi2O3三元系介质陶瓷材料及制备工艺,本发明提供的新组成区域(mol%)为:NbO5/235.0－41.0%,ZnO20.0－25.0mol%,BiO3/238.0－44.0。在制备过程中,作为烧结助剂用低熔点化合物(单独或复合添加)的加入量(wt%)为:LiF0.01－3.0,CuO0.01—1.0,V2O50.01—1.0,H3BO30.01—1.0,Pb3O40.01—3.0。作为调节电性能,取代Zn的二价元素为Ba、Sr、Ca,其单独或复合取代加入量(mol%)为:Ba0.5—6.0,Sr0.5—6.0,Ca1.0—24.0。本发明提供有关介质陶瓷的烧结温度≤900℃,烧结温度范围较宽,约为60—80℃,并具有较佳的介电性能。
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公开(公告)号：CN1068572C
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN97125212.2
申请日：1997-12-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/453 , H01B3/12
摘要： 一种高频用Nb2O5-ZnO-Bi2O3三元系介质陶瓷材料，属于介质陶瓷领域。本发明提供的新组成区域(mol%)为：NbO5/233.0-44.0，ZnO21.0-32.0，BiO3/229.0-39.0。本发明制备工艺与传统氧化物陶瓷工艺相同。在制备过程中，作为调节电性能，用二价元素Ba，Sr，Ca部分取代Zn，其单独和及Ca与Ba或Sr复合取代加入量(mol%)为：Ba0.5-6.0，Sr0.5-6.0，Ca3.0-26.0，复合取代最大加入量为26.0，并有着较佳的介电性能。
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公开(公告)号：CN1189479A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：CN97125212.2
申请日：1997-12-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/453
摘要： 一种高频用Nb2O5－ZnO－Bi2O3三元系介质陶瓷材料及制备方法,属于介质陶瓷领域。本发明提供的新组成区域(mol%)为:NbO5/233.0—44.0,ZnO21.0—32.0,BiO3/229.0—39.0。本发明制备工艺与传统氧化物陶瓷工艺相同。在制备过程中,作为调节电性能,用二价元素Ba,Sr,Ca部分取代Zn,其单独和及Ca与Ba或Sr复合取代加入量(mol%)为:Ba0.5—6.0,Sr0.5—6.0,Ca3.0—26.0,复合取代量大加入量为26.0,并有着较佳的介电性能。
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公开(公告)号：CN109678511A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811576879.9
申请日：2018-12-23
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/5622 , C04B35/58078 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3244 , C04B2235/3804 , C04B2235/424 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/666 , C04B2235/96 , C04B2235/9615
摘要： 本发明涉及一种致密HfC(Si)-HfB2复相陶瓷的制备方法，将氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体按摩尔比为1～10∶1～20∶1～5的比例混合，获得混合粉体，经过进行球磨混合均匀，然后进行干燥，形成均匀的混合粉体；将得到的均匀混合粉体装入石墨模具中进行放电等离子体烧结，即原位碳-硼热还原反应-烧结致密化一步工艺完成，制备得到致密度为94.0％～100％且晶粒均匀弥散分布的HfC(Si)-HfB2复相陶瓷。与现有技术相比，本发明烧结制备得到物相组成和晶粒尺寸均匀分布，同时其陶瓷烧结体具有较高的致密性和断裂韧性，避免传统先制备粉体过程中难以控制成分和晶粒尺寸，后期烧结陶瓷过程中难以致密化。
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公开(公告)号：CN109678511B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201811576879.9
申请日：2018-12-23
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及一种致密HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷的制备方法，将氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体按摩尔比为1～10∶1～20∶1～5的比例混合，获得混合粉体，经过进行球磨混合均匀，然后进行干燥，形成均匀的混合粉体；将得到的均匀混合粉体装入石墨模具中进行放电等离子体烧结，即原位碳‑硼热还原反应‑烧结致密化一步工艺完成，制备得到致密度为94.0％～100％且晶粒均匀弥散分布的HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷。与现有技术相比，本发明烧结制备得到物相组成和晶粒尺寸均匀分布，同时其陶瓷烧结体具有较高的致密性和断裂韧性，避免传统先制备粉体过程中难以控制成分和晶粒尺寸，后期烧结陶瓷过程中难以致密化。
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公开(公告)号：CN116579431A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310562233.X
申请日：2023-05-18
申请人： 中国船舶集团有限公司第七一六研究所 , 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种多粒度集群态势不确定推理规则集构建方法，包括以下步骤：构建集群知识框架网络，采用偏微分方程作为底层数值驱动特征模式表示定解问题知识；采用随机偏微分方程作为中层数据驱动特征模式表示模拟逼近知识；采用高斯映射矩阵作为高层不确定交互特征模式表示实体关系知识；采用多特征模式层次结构框架网络，组织定解问题、模拟逼近、实体关系知识规则，构建不确定推理规则集；构建多领域多视图设计结构矩阵，形成可变粒度集群态势不确定推理规则集。与现有技术相比，本发明可以融合数学物理理论和结构化、半结构化、非结构化数据，适用于水下、空中以及跨介质集群的自主协同决策。
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公开(公告)号：CN111807817B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010716998.0
申请日：2020-07-23
申请人： 明光市铭垚凹凸棒产业科技有限公司 , 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种高比表面积莫来石晶须‑凹凸棒多孔陶瓷及其制备方法，制备方法包括首先将凹凸棒、碳化硅及硫酸铝混合并球磨，得到陶瓷混合粉料；再将陶瓷混合粉料与Li2MoO4、Na2MoO4混合并球磨，得到陶瓷粉料与熔盐的混合粉料；之后将混合粉料通过冷等静压预压成型，得到陶瓷坯体；最后将陶瓷坯体进行低温煅烧及后处理过程后，即得到莫来石晶须‑凹凸棒多孔陶瓷。与现有技术相比，本发明采用熔盐法辅助原位反应烧结法制备纳米棒状晶体自组装结构、多级孔均匀分布且比表面积较大的莫来石晶须‑凹凸棒多孔陶瓷，具有制备温度低、工艺简单可控、反应烧结效率高、对设备要求低等优点。
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