公开(公告)号：CN118281107A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410357984.2

申请日：2024-03-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴燕庆 ,  陈扬 ,  熊雄

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种柔性透明的二维横向异质结光电探测器及制备方法，属于半导体器件技术领域，光电探测器包括：透明柔性衬底；缓冲涂覆层，位于透明柔性衬底上方；二维横向异质结，位于缓冲涂覆层上方，具有锐利界面；源漏接触透明电极，位于二维横向异质结上方，仅覆盖二维横向异质结两侧的部分；透明顶栅介质，位于二维横向异质结未被源漏接触透明电极覆盖的中间部分上方，且外延覆盖部分源漏接触透明电极；透明氧化物顶栅电极，位于透明顶栅介质上方。部分覆盖的顶栅结构使得器件栅极漏电路径大大减小，抑制器件暗电流，可以实现沟道‑栅的自对准，减少器件制备过程中对二维横向异质结的损坏，提升器件开关比。

公开(公告)号：CN111933707B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202010671333.2

申请日：2020-07-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴燕庆 ,  张誉宝 ,  李学飞

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/16 ,  H03F1/26

摘要： 本发明公开了一种异质结双极晶体管HBT及包括HBT的低噪声放大器，所述HBT包括：从下到上依次分布的衬底、介质层、发射极主体、基极主体、集电极主体；所述发射极主体和所述集电极主体为以MoS2为代表的n型二维过渡金属硫化物，所述基极主体为p型单层石墨烯Gr；还包括：发射极电极、基极电极、集电极电极；其中，所述发射极电极和所述基极主体在所述发射极主体上，且二者互不接触；所述基极电极和所述集电极主体在所述基极主体上，且二者互不接触；所述集电极电极在所述集电极主体上。本发明中HBT器件部分采用二维材料，减小渡越时间；具有肖特基势垒拥有更小的正向压降和更快的恢复速度；无源器件部分采用共面波导结构，可避免打孔，简化了工艺。

公开(公告)号：CN109994539A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201910252565.1

申请日：2019-03-29

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴燕庆 ,  胡奔 ,  李学飞

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872

摘要： 本发明公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述碳化硅结势垒肖特基二极管包括：从下到上依次分布的阴极电极、碳化硅衬底、第一漂移层和第二漂移层，以及第一场限环、第二场限环、钝化层和阳极电极；所述第一场限环深度小于所述第一漂移层，间隔分布在所述第一漂移层中，与所述第一漂移层上表面平齐；所述第二场限环宽度小于所述第一场限环，深度与所述第二漂移层相同，间隔分布在所述第二漂移层中；所述第一场限环与所述第二场限环数量相同，对应呈倒T形或L形分布；所述阳极电极位于主结上方，所述钝化层位于所述阳极电极两侧。本发明的肖特基二极管击穿电压提高，且制备的工艺难度减小。

公开(公告)号：CN111933708B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010752951.X

申请日：2020-07-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴燕庆 ,  詹丹 ,  李学飞

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氮化镓MIS‑HEMT钝化设计及其制备方法，其中，钝化结构包括两次叠层的掺硅氧化铪HfSiO材料以及P型CuO。优选的，MIS‑HEMT器件采用凹槽栅结构；栅介质采用高介电常数掺硅氧化铪材料；源漏电极制备采用低温无金接触工艺。本发明通过对钝化结构的关键组成、具体构造，配合氮化镓MIS‑HEMT器件的栅介质材料进行改进，利用两次叠层高介电常数材料(HfSiO)与低介电常数P型氧化物材料(CuO)构建钝化结构，本发明与现有技术相比能够实现更好的电学性能。

公开(公告)号：CN111933707A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010671333.2

申请日：2020-07-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴燕庆 ,  张誉宝 ,  李学飞

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/16 ,  H03F1/26

摘要： 本发明公开了一种异质结双极晶体管HBT及包括HBT的低噪声放大器，所述HBT包括：从下到上依次分布的衬底、介质层、发射极主体、基极主体、集电极主体；所述发射极主体和所述集电极主体为以MoS2为代表的n型二维过渡金属硫化物，所述基极主体为p型单层石墨烯Gr；还包括：发射极电极、基极电极、集电极电极；其中，所述发射极电极和所述基极主体在所述发射极主体上，且二者互不接触；所述基极电极和所述集电极主体在所述基极主体上，且二者互不接触；所述集电极电极在所述集电极主体上。本发明中HBT器件部分采用二维材料，减小渡越时间；具有肖特基势垒拥有更小的正向压降和更快的恢复速度；无源器件部分采用共面波导结构，可避免打孔，简化了工艺。

公开(公告)号：CN110172736B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201910491868.9

申请日：2019-06-06

申请人： 华中科技大学

发明人： 李学飞 ,  徐晓乐 ,  吴燕庆

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B25/00

摘要： 本发明属于二维材料制备领域，公开了一种大尺寸三层硫化钼单晶的化学气相沉积制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：分别准备清洁且干燥的钼箔和钠钙玻璃，并分别称量硫粉和三氧化钼作为前驱体；S2：在CVD沉积管内放置装有钼箔、钠钙玻璃及三氧化钼的第一载物舟以及装有硫粉的第二载物舟；S3：对所述CVD沉积管进行双温区温度控制的化学气相沉积，从而在钠钙玻璃上实现三层硫化钼单晶的沉积。本发明通过对制备方法中关键CVD工艺所采用的衬底材料、双温区温度设置等进行改进，与现有技术相比，提供了一种制备大尺寸三层二硫化钼单晶的新方法，得到的三层硫化钼单晶其内部最长长度可达90μm，并且制备的三层二硫化钼单晶质量好。

公开(公告)号：CN111304738A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010181843.1

申请日：2020-03-16

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴燕庆 ,  宋健 ,  李学飞

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B33/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

摘要： 本发明属于二维材料领域，公开了一种熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法，该方法是利用预先设定的温度条件，在小反应室处于预先设定的温度条件下时，卤化物能够熔融与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，载气气流则能够携带硒源材料产生的气态硒元素与中间产物产生的气态钨元素在衬底上基于化学气相沉积的原理生长多层二硒化钨单晶。本发明通过对制备方法关键的反应参与物和反应腔室进行改进，使用卤化物与钨源材料混合参与反应，利用卤化物熔融盐与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，能够有效控制化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶，可控性好且能够制得较大尺寸的多层二硒化钨单晶。

公开(公告)号：CN110212031A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910437440.6

申请日：2019-05-24

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴燕庆 ,  王欣 ,  李学飞

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种碳化硅MOS器件及其制备方法，包括：对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；对由碳化硅外延片和高介电常数介质层构成的层叠结构进行退火处理；在退火处理之后的高介电常数介质层的上表面制备栅电极，得到碳化硅MOS器件。本发明引入高介电常数材料作为介质层，高介电常数材料通过沉积的方式层叠在碳化硅外延片上，得到的介质层的厚度比较均匀，同时避免了氧化碳化硅时碳残余导致的碳化硅和介质层界面处的界面态较大的问题。另外，通过在高介电常数介质层和碳化硅外延片之间增加一层氧化硅，进一步有效提高了碳化硅和介质层之间的界面质量。

公开(公告)号：CN111933708A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010752951.X

申请日：2020-07-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴燕庆 ,  詹丹 ,  李学飞

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氮化镓MIS-HEMT钝化设计及其制备方法，其中，钝化结构包括两次叠层的掺硅氧化铪HfSiO材料以及P型CuO。优选的，MIS-HEMT器件采用凹槽栅结构；栅介质采用高介电常数掺硅氧化铪材料；源漏电极制备采用低温无金接触工艺。本发明通过对钝化结构的关键组成、具体构造，配合氮化镓MIS-HEMT器件的栅介质材料进行改进，利用两次叠层高介电常数材料(HfSiO)与低介电常数P型氧化物材料(CuO)构建钝化结构，本发明与现有技术相比能够实现更好的电学性能。

公开(公告)号：CN111446302A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010054657.1

申请日：2020-01-17

申请人： 华中科技大学

发明人： 李学飞 ,  童安泽 ,  吴燕庆

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/78

摘要： 本发明公开了一种柔性横向肖特基整流二极管、制备方法及系统，属于半导体器件技术领域，所述方法包括：在刚性衬底上生长二维过渡金属硫化物材料；控制二维过渡金属硫化物材料的生长过程的温度，使生长过程结束后，产生包含金属相和半导体相的二维材料；将二维材料转移至柔性衬底上；分别在所述二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，得到横向的肖特基整流二极管。本发明通过使同种二维过渡金属硫化物材料之间形成半导体相与金属相的横向异质结，并分别在二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，使得生成的横向肖特基整流二极管具有非常小的寄生电容，截止频率高，能够在高频下工作。