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公开(公告)号:CN115236160B
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202210820832.2
申请日:2022-07-13
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: G01N27/414 , G01N27/416 , G06T9/00 , H01L29/78
摘要: 本发明提供了一种基于场效应晶体管的嗅觉感知方法,属于智能传感器技术领域。构建具有气敏效应的场效应晶体管,利用晶体管电可调属性,调节栅压并采集晶体管输出电流数据,通过晶体管对不同气味输出特性电流数据进行插值处理,实现对气味分子的可视化三维图像编码,结合图像识别算法实现气味识别及定量分析。本发明方法具有高灵敏度、高特异性和高可靠性,结合现有的集成电路设计方法和晶圆级制造,能提升嗅觉传感器的集成化和智能化程度。
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公开(公告)号:CN115236160A
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202210820832.2
申请日:2022-07-13
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: G01N27/414 , G01N27/416 , G06T9/00 , H01L29/78
摘要: 本发明提供了一种基于场效应晶体管的嗅觉感知方法,属于智能传感器技术领域。构建具有气敏效应的场效应晶体管,利用晶体管电可调属性,调节栅压并采集晶体管输出电流数据,通过晶体管对不同气味输出特性电流数据进行插值处理,实现对气味分子的可视化三维图像编码,结合图像识别算法实现气味识别及定量分析。本发明方法具有高灵敏度、高特异性和高可靠性,结合现有的集成电路设计方法和晶圆级制造,能提升嗅觉传感器的集成化和智能化程度。
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公开(公告)号:CN115561294A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211064854.7
申请日:2022-09-01
申请人: 华中科技大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号: G01N27/414 , H01L29/778
摘要: 本发明提供了一种栅敏场效应晶体管嗅觉传感器及其制备方法,属于智能传感器领域。嗅觉传感器包括高电子迁移率晶体管和气敏薄膜;晶体管的栅极包括控制栅与延长栅,二者之间的气敏薄膜作为气味受体,与气体分子作用后薄膜电阻发生改变引起栅压变化,进而引起源漏电流的改变,实现信号转导与放大。本发明提供的嗅觉传感器具有高灵敏度、高信噪比与低功耗的特点,通过传感器阵列化并结合算法,可实现高可靠智能嗅觉感知。
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