公开(公告)号：CN110937893A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911154752.2

申请日：2019-11-22

申请人： 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

发明人： 沈孟 ,  姜胜林 ,  张光祖

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01L35/34 ,  H01L35/18 ,  H01L35/22

摘要： 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法，其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料，利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数，同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率，从而提高该复合陶瓷材料的能量密度，由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂，成本高，难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。

公开(公告)号：CN110937893B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201911154752.2

申请日：2019-11-22

申请人： 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

发明人： 沈孟 ,  姜胜林 ,  张光祖

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01L35/34 ,  H01L35/18 ,  H01L35/22

摘要： 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法，其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料，利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数，同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率，从而提高该复合陶瓷材料的能量密度，由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂，成本高，难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。

公开(公告)号：CN110981467B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201911248704.X

申请日：2019-12-09

申请人： 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

发明人： 姜胜林 ,  沈孟 ,  张光祖

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种能量密度及温度稳定性提高的无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法。其为在陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaZrxTi1‑xO3中引入SiO2纳米颗粒后获得，其中x为原子比，0≤x≤0.25；且SiO2纳米颗粒占陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaZrxTi1‑xO3的质量百分数不大于0.2％。在热释电陶瓷晶界位置中引入SiO2纳米颗粒，使其形成SiO2三维网络结构，加快复合陶瓷的热传递，从而提升了复合陶瓷的能量密度及其温度稳定性。

公开(公告)号：CN110981467A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911248704.X

申请日：2019-12-09

申请人： 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

发明人： 姜胜林 ,  沈孟 ,  张光祖

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种能量密度及温度稳定性提高的无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法。其为在陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaZrxTi1-xO3中引入SiO2纳米颗粒后获得，其中x为原子比，0≤x≤0.25；且SiO2纳米颗粒占陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaZrxTi1-xO3的质量百分数不大于0.2％。在热释电陶瓷晶界位置中引入SiO2纳米颗粒，使其形成SiO2三维网络结构，加快复合陶瓷的热传递，从而提升了复合陶瓷的能量密度及其温度稳定性。

公开(公告)号：CN105330287A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510736091.X

申请日：2015-11-03

申请人： 华中科技大学

发明人： 张光祖 ,  陈墨 ,  王庆 ,  沈孟 ,  刘品 ,  姜胜林 ,  曾亦可

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/61

摘要： 本发明公开了一种电卡材料及其制备方法。电卡材料由覆盖在柔性衬底上的BST陶瓷纳米线阵列构成，所述BST陶瓷纳米线阵列中，Ba和Sr的摩尔比为(1～3):1。本发明首次将BST陶瓷纳米线阵列用作电卡材料，通过将BST陶瓷纳米线阵列转移到柔性衬底上，充分利用铁电陶瓷良好的电卡效应和纳米线阵列特殊微结构具有的柔韧性，制得具有良好柔韧性和理想电卡效应的电卡材料，实现了无机柔性电卡材料的制备。

公开(公告)号：CN105330287B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201510736091.X

申请日：2015-11-03

申请人： 华中科技大学

发明人： 张光祖 ,  陈墨 ,  王庆 ,  沈孟 ,  刘品 ,  姜胜林 ,  曾亦可

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种电卡材料及其制备方法。电卡材料由覆盖在柔性衬底上的BST陶瓷纳米线阵列构成，所述BST陶瓷纳米线阵列中，Ba和Sr的摩尔比为(1～3):1。本发明首次将BST陶瓷纳米线阵列用作电卡材料，通过将BST陶瓷纳米线阵列转移到柔性衬底上，充分利用铁电陶瓷良好的电卡效应和纳米线阵列特殊微结构具有的柔韧性，制得具有良好柔韧性和理想电卡效应的电卡材料，实现了无机柔性电卡材料的制备。