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公开(公告)号：CN112595770A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011436751.X
申请日：2020-12-07
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于重金属离子检测技术领域，公开了一种用于重金属离子检测的量子点电化学传感器及其制备，其中制备方法包括以下步骤：(1)胶体量子点材料合成；(2)平面三电极的制备；(3)化学修饰电极的制备：将步骤(1)制得的胶体量子点材料修饰到步骤(2)得到的工作电极的表面形成薄膜，并进一步用无机盐溶液处理表面薄膜，干燥后即可得到用于重金属离子检测的量子点电化学传感器。本发明通过对关键的化学修饰电极功能材料进行改进，利用化学修饰的方法在电极表面进行分子设计，赋予电极量子点材料的化学和电化学特性，以获得对重金属离子检测的高响应，宽线性范围的量子点电化学传感器。
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公开(公告)号：CN110299430A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910490246.4
申请日：2019-06-06
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体光电子器件领域，公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液，将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积，对应得到20-500nm厚的薄膜，利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜；(2)将衬底进行整体退火敏化处理；制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计、以及关键化学浴沉积的参数条件等进行改进，能够解决现有半导体薄膜光电探测器制备条件复杂、大规模生产成本高昂、工艺可靠性低和难以实现柔性化的问题。
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公开(公告)号：CN109781947A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910143612.9
申请日：2019-02-27
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 本发明属于半导体器件与集成系统技术领域，具体公开了一种基于量子点的电子鼻芯片及其设计方法，其中设计方法包括以下步骤：(1)电子鼻芯片上气体传感器阵列的设计：(1-1)以量子点材料作为嗅觉受体材料，设计量子点气体传感器单元，设计得到在衬底上的电阻型或场效应晶体管型传感器单元；(1-2)基于量子点气体传感器单元设计采用MEMS或TFT器件结构的量子点传感器阵列；(2)设计信号处理单元与微控制单元。本发明使用量子点材料作为嗅觉受体材料，设计并制备微纳气体传感器，结合MEMS和TFT器件结构得到传感器阵列，并在芯片上集成包含模式识别算法的MCU和信号处理单元，可得到高灵敏、小体积、低功耗的量子点电子鼻芯片。
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公开(公告)号：CN110299430B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201910490246.4
申请日：2019-06-06
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体光电子器件领域，公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液，将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积，对应得到20‑500nm厚的薄膜，利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜；(2)将衬底进行整体退火敏化处理；制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计、以及关键化学浴沉积的参数条件等进行改进，能够解决现有半导体薄膜光电探测器制备条件复杂、大规模生产成本高昂、工艺可靠性低和难以实现柔性化的问题。
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公开(公告)号：CN112595763B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011448844.4
申请日：2020-12-09
申请人： 华中科技大学 , 郑州炜盛电子科技有限公司
摘要： 本发明属于重金属离子检测技术领域，公开了一种用于水体中重金属离子检测的化学修饰电极阵列传感器，其特征在于，该传感器包括一个对电极、一个参比电极和若干个工作电极，其中，在若干个工作电极形成的工作电极阵列上，不同工作电极修饰有不同的电极修饰材料，对电极、参比电极与任意一个工作电极之间均能够构成三电极体系；通过不同电极修饰材料对重金属离子选择性能够实现传感器对多种重金属离子的同时检测。本发明通过对传感器关键组件的结构及其设置方式等进行改进，设置多个工作电极，并在不同工作电极上修饰不同的功能材料，得到化学修饰阵列电极，可以同时监测水体中多种重金属离子，并具有较好的检测精度。
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公开(公告)号：CN109374687A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811299535.8
申请日：2018-11-02
申请人： 华中科技大学 , 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法，其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜；接着，在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理；然后，向所述电极施加老化电压持续老化6～10天，即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进，得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜，该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜，制作工艺简单，成本低，无需高温(400℃以上)处理，在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化，且响应速度快，在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112595770B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011436751.X
申请日：2020-12-07
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于重金属离子检测技术领域，公开了一种用于重金属离子检测的量子点电化学传感器及其制备，其中制备方法包括以下步骤：(1)胶体量子点材料合成；(2)平面三电极的制备；(3)化学修饰电极的制备：将步骤(1)制得的胶体量子点材料修饰到步骤(2)得到的工作电极的表面形成薄膜，并进一步用无机盐溶液处理表面薄膜，干燥后即可得到用于重金属离子检测的量子点电化学传感器。本发明通过对关键的化学修饰电极功能材料进行改进，利用化学修饰的方法在电极表面进行分子设计，赋予电极量子点材料的化学和电化学特性，以获得对重金属离子检测的高响应，宽线性范围的量子点电化学传感器。
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公开(公告)号：CN112595763A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011448844.4
申请日：2020-12-09
申请人： 华中科技大学 , 郑州炜盛电子科技有限公司
摘要： 本发明属于重金属离子检测技术领域，公开了一种用于水体中重金属离子检测的化学修饰电极阵列传感器，其特征在于，该传感器包括一个对电极、一个参比电极和若干个工作电极，其中，在若干个工作电极形成的工作电极阵列上，不同工作电极修饰有不同的电极修饰材料，对电极、参比电极与任意一个工作电极之间均能够构成三电极体系；通过不同电极修饰材料对重金属离子选择性能够实现传感器对多种重金属离子的同时检测。本发明通过对传感器关键组件的结构及其设置方式等进行改进，设置多个工作电极，并在不同工作电极上修饰不同的功能材料，得到化学修饰阵列电极，可以同时监测水体中多种重金属离子，并具有较好的检测精度。
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公开(公告)号：CN109781947B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910143612.9
申请日：2019-02-27
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 本发明属于半导体器件与集成系统技术领域，具体公开了一种基于量子点的电子鼻芯片及其设计方法，其中设计方法包括以下步骤：(1)电子鼻芯片上气体传感器阵列的设计：(1‑1)以量子点材料作为嗅觉受体材料，设计量子点气体传感器单元，设计得到在衬底上的电阻型或场效应晶体管型传感器单元；(1‑2)基于量子点气体传感器单元设计采用MEMS或TFT器件结构的量子点传感器阵列；(2)设计信号处理单元与微控制单元。本发明使用量子点材料作为嗅觉受体材料，设计并制备微纳气体传感器，结合MEMS和TFT器件结构得到传感器阵列，并在芯片上集成包含模式识别算法的MCU和信号处理单元，可得到高灵敏、小体积、低功耗的量子点电子鼻芯片。
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公开(公告)号：CN109374687B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811299535.8
申请日：2018-11-02
申请人： 华中科技大学 , 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法，其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜；接着，在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理；然后，向所述电极施加老化电压持续老化6～10天，即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进，得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜，该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜，制作工艺简单，成本低，无需高温(400℃以上)处理，在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化，且响应速度快，在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。
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