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公开(公告)号：CN113488596A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110741110.3
申请日：2021-06-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件领域，公开了一种Ce3+基卤化物电致发光器件，自上而下依次包括顶电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Ce3+基卤化物材料，其结构通式为AmCenXk，其中A为Na，K，Rb，Cs中的一种或多种，X为Cl，Br，I中的一种或多种，Ce的化学价态为+3，m+3n＝k；该类Ce基卤化物材料具有高效光致发光效率、优良的热稳定性和较短的激发态寿命，可用于电致发光器件。所述空穴传输层和电子传输层分别用于将空穴和电子注入到发光层中。该电致发光器件具有制备工艺简单、成本更低、毒性低的特点。
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公开(公告)号：CN111834501A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010549496.3
申请日：2020-06-16
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种稀土电致蓝光器件，包括：从上至下依次排列的第一功能层、发光层和第二功能层；其中，发光层的材料为稀土卤化物或其衍生物，其类型为非掺杂型，其中稀土离子的跃迁方式为f-d允许跃迁；由于该材料为无机材料，其稳定性好、不易老化、寿命长，且其具有发光峰位受晶体场可调的性质，在制备发光层的过程中，可以通过改变其材料的结晶性来调整其晶体场，进而调整其中稀土离子的发光峰位，以产生纯正的蓝光。另外，发光层材料具有f-d允许跃迁发光性质，其发射强度大，亮度高，且由于f-d的非掺杂稀土化合物5d轨道贡献化合物的导带或者价带，可以实现大电荷注入，使本发明所提出的电致蓝光器件所产生的蓝光具有较高的外量子效率和高亮度。
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公开(公告)号：CN111031624A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911377883.7
申请日：2019-12-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于半导体材料及器件领域，公开了一种稳定混合卤素钙钛矿材料电致发光光谱的方法及应用，该方法是先以混合卤素钙钛矿发光材料作为发光层材料构建发光二极管器件，通过向该二极管器件施加交流电作为工作电压，能够抑制所述混合卤素钙钛矿发光材料在电场下的卤素漂移和分相过程，稳定该二极管器件的发光光谱，稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱；其中，交流电中的正向电压波形能够驱动二极管器件工作，反向电压波形能够驱动二极管器件内离子迁移。本发明通过引入交流电，利用交流电正反向电压对钙钛矿中的卤素的离子迁移进行抑制和回复，稳定钙钛矿的结构相，与现有技术相比能够有效稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱。
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公开(公告)号：CN111031624B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911377883.7
申请日：2019-12-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于半导体材料及器件领域，公开了一种稳定混合卤素钙钛矿材料电致发光光谱的方法及应用，该方法是先以混合卤素钙钛矿发光材料作为发光层材料构建发光二极管器件，通过向该二极管器件施加交流电作为工作电压，能够抑制所述混合卤素钙钛矿发光材料在电场下的卤素漂移和分相过程，稳定该二极管器件的发光光谱，稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱；其中，交流电中的正向电压波形能够驱动二极管器件工作，反向电压波形能够驱动二极管器件内离子迁移。本发明通过引入交流电，利用交流电正反向电压对钙钛矿中的卤素的离子迁移进行抑制和回复，稳定钙钛矿的结构相，与现有技术相比能够有效稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱。
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公开(公告)号：CN112467515A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011256036.8
申请日：2020-11-11
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件领域，公开了一种深蓝光激光器，该激光器是以铕基卤化物材料作为增益介质，利用该增益介质的荧光特性，通过谐振腔的选模作用，能够实现激光器输出激光波长在深蓝光波段发射。本发明首次使用铕基卤化物材料作为增益介质，利用铕基卤化物发光效率高、发光纯度高等特点，通过谐振腔的选模作用，能够实现低阈值、高效率的深蓝光激光器，可广泛应用于彩色显示、白光照明、高密度数据存储、生物医学、水下通讯等领域。
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公开(公告)号：CN113488596B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110741110.3
申请日：2021-06-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件领域，公开了一种Ce3+基卤化物电致发光器件，自上而下依次包括顶电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Ce3+基卤化物材料，其结构通式为AmCenXk，其中A为Na，K，Rb，Cs中的一种或多种，X为Cl，Br，I中的一种或多种，Ce的化学价态为+3，m+3n＝k；该类Ce基卤化物材料具有高效光致发光效率、优良的热稳定性和较短的激发态寿命，可用于电致发光器件。所述空穴传输层和电子传输层分别用于将空穴和电子注入到发光层中。该电致发光器件具有制备工艺简单、成本更低、毒性低的特点。
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公开(公告)号：CN112467044B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011256112.5
申请日：2020-11-11
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件领域，公开了一种稀土电致深蓝光器件，自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Eu基钙钛矿型材料，Eu基钙钛矿型材料中，Eu元素占据钙钛矿ABX3结构中的B位，且不含Pb；所述电子传输层和所述空穴传输层用于将电子或空穴局域在所述发光层，并调节电子和空穴的注入平衡。本发明通过使用Eu基钙钛矿型材料(如CsEuBr3)作为发光层材料构建稀土电致深蓝光器件，由于该材料为无机材料，其稳定性好、不易老化、寿命长，能够拓宽现有显示的色域，解决OLED稳定性差、易老化容易导致蓝光色彩失真的技术问题。
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公开(公告)号：CN111834501B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010549496.3
申请日：2020-06-16
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种稀土电致蓝光器件，包括：从上至下依次排列的第一功能层、发光层和第二功能层；其中，发光层的材料为稀土卤化物或其衍生物，其类型为非掺杂型，其中稀土离子的跃迁方式为f‑d允许跃迁；由于该材料为无机材料，其稳定性好、不易老化、寿命长，且其具有发光峰位受晶体场可调的性质，在制备发光层的过程中，可以通过改变其材料的结晶性来调整其晶体场，进而调整其中稀土离子的发光峰位，以产生纯正的蓝光。另外，发光层材料具有f‑d允许跃迁发光性质，其发射强度大，亮度高，且由于f‑d的非掺杂稀土化合物5d轨道贡献化合物的导带或者价带，可以实现大电荷注入，使本发明所提出的电致蓝光器件所产生的蓝光具有较高的外量子效率和高亮度。
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公开(公告)号：CN112467044A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011256112.5
申请日：2020-11-11
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件领域，公开了一种稀土电致深蓝光器件，自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Eu基钙钛矿型材料，Eu基钙钛矿型材料中，Eu元素占据钙钛矿ABX3结构中的B位，且不含Pb；所述电子传输层和所述空穴传输层用于将电子或空穴局域在所述发光层，并调节电子和空穴的注入平衡。本发明通过使用Eu基钙钛矿型材料(如CsEuBr3)作为发光层材料构建稀土电致深蓝光器件，由于该材料为无机材料，其稳定性好、不易老化、寿命长，能够拓宽现有显示的色域，解决OLED稳定性差、易老化容易导致蓝光色彩失真的技术问题。
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