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公开(公告)号：CN109054814B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201811053118.5
申请日：2018-09-10
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种紫外激发白光多元非铅钙钛矿荧光粉及其制备方法，该荧光粉具有钙钛矿结构，其化学式满足A2B1xB21‑xB3yB41‑yX1mX2nX36‑m‑n，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0＜m≤6，0＜n≤6，0≤6‑m‑n≤6；此外，A为Cs+；B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+；X1、X2、X3分别为F‑、Cl‑、Br‑。本发明通过对多元非铅钙钛矿荧光粉关键的组成，相应制备方法的整体流程工艺设置以及各个步骤所采用的参数条件进行改进，与现有技术相比能够有效扩展了近紫外激发的单一基质荧光粉其种类，实现了激发光谱和吸收光谱连续可调的功能，实现了对LED发光色温的调节。
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公开(公告)号：CN108659827B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810622237.1
申请日：2018-06-15
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用，该双钙钛矿材料的化学式满足A2B1‑xCxB′1‑yLnyX6，其中，A、B和C为正一价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合，A、B、C三者互不相同；B′为Al、Bi、In正三价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合；Ln为正三价的各种稀土元素中的一种或几种的组合。双钙钛矿材料尤其可作为白光荧光材料的应用。本发明通过对双钙钛矿中的两类B位元素的组成进行改进，将部分B被C取代，部分B′被稀土元素Ln取代，并通过控制取代对应的摩尔分数x、y，对应得到的近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料与YAG:Ce3+相比发射光谱范围更宽、制备简单，尤其适用于白光LED器件中。
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公开(公告)号：CN109054814A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811053118.5
申请日：2018-09-10
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种紫外激发白光多元非铅钙钛矿荧光粉及其制备方法，该荧光粉具有钙钛矿结构，其化学式满足A2B1xB21‑xB3yB41‑yX1mX2nX36‑m‑n，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0＜m≤6，0＜n≤6，0≤6‑m‑n≤6；此外，A为Cs+；B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+；X1、X2、X3分别为F‑、Cl‑、Br‑。本发明通过对多元非铅钙钛矿荧光粉关键的组成，相应制备方法的整体流程工艺设置以及各个步骤所采用的参数条件进行改进，与现有技术相比能够有效扩展了近紫外激发的单一基质荧光粉其种类，实现了激发光谱和吸收光谱连续可调的功能，实现了对LED发光色温的调节。
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公开(公告)号：CN108659827A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810622237.1
申请日：2018-06-15
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用，该双钙钛矿材料的化学式满足A2B1-xCxB′1-yLnyX6，其中，A、B和C为正一价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合，A、B、C三者互不相同；B′为Al、Bi、In正三价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合；Ln为正三价的各种稀土元素中的一种或几种的组合。双钙钛矿材料尤其可作为白光荧光材料的应用。本发明通过对双钙钛矿中的两类B位元素的组成进行改进，将部分B被C取代，部分B′被稀土元素Ln取代，并通过控制取代对应的摩尔分数x、y，对应得到的近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料与YAG:Ce3+相比发射光谱范围更宽、制备简单，尤其适用于白光LED器件中。
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公开(公告)号：CN114220922B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111370767.X
申请日：2021-11-18
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于热蒸发制备钙钛矿材料领域，公开了一种原位钝化热蒸发钙钛矿材料的方法，该方法是在热蒸发钙钛矿的同时，在同一热蒸发装置中的另一蒸发源中同时蒸发钝化剂，将钝化剂引入钙钛矿材料中。如此利用钙钛矿和钝化剂的共蒸发，可实现热蒸发钙钛矿的原位钝化，即在钙钛矿晶体结构形成的过程中实时引入钝化官能团，实现钙钛矿体内、晶界、表面、界面等的全方位钝化，进而大大提升制得的钙钛矿薄膜的荧光量子产率；此外利用热蒸发方法引入钝化剂，该钙钛矿制备方法相同，设备兼容，工艺简单，可满足大面积大批量的热蒸发钙钛矿薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN111031624B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911377883.7
申请日：2019-12-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于半导体材料及器件领域，公开了一种稳定混合卤素钙钛矿材料电致发光光谱的方法及应用，该方法是先以混合卤素钙钛矿发光材料作为发光层材料构建发光二极管器件，通过向该二极管器件施加交流电作为工作电压，能够抑制所述混合卤素钙钛矿发光材料在电场下的卤素漂移和分相过程，稳定该二极管器件的发光光谱，稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱；其中，交流电中的正向电压波形能够驱动二极管器件工作，反向电压波形能够驱动二极管器件内离子迁移。本发明通过引入交流电，利用交流电正反向电压对钙钛矿中的卤素的离子迁移进行抑制和回复，稳定钙钛矿的结构相，与现有技术相比能够有效稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱。
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公开(公告)号：CN106637403B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201611066423.9
申请日：2016-11-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿单晶的制备方法，包括取第一卤化物和第二卤化物混合，并用极性溶剂搅拌溶解，制得钙钛矿溶液，第一卤化物、第二卤化物和极性溶剂的质量比要求使钙钛矿溶液过饱和；将钙钛矿溶液进行过滤处理；将所述进行过滤处理的钙钛矿溶液置于疏水容器中，加热析出钙钛矿单晶。本发明中选择疏水材料作为钙钛矿单晶的生长容器，由于疏水容器壁的疏水性，疏水容器壁上生成的晶核数急剧减少，长出的单晶数量相对减少，单位时间内长出的晶体更大，碎晶的数量减少，溶液利用率得到提升，晶体质量显著提高。
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公开(公告)号：CN107248538B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710375865.X
申请日：2017-05-25
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用，其中该后处理方法包括以下步骤：对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理，然后冷却，接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理，从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率，降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题，并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。
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公开(公告)号：CN107299393A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710426889.3
申请日：2017-06-08
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种多元钙钛矿材料及其制备与应用，其中该多元钙钛矿材料为多元全无机金属非铅卤盐，并且具有钙钛矿结构；所述多元钙钛矿材料的化学式满足：其中，0≤x≤1，0≤y≤1，A为Cs+，B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+，X为卤族元素。本发明通过对钙钛矿材料关键的化学元素的种类及配比等进行改进，与现有技术相比能够有效解决现有双钙钛矿种类少且不好调控、环境污染大的问题。
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公开(公告)号：CN118284094A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410357835.6
申请日：2024-03-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件领域，公开了一种Ce基稀土电致黄光器件及其制备方法，该器件自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极；其中，所述发光层是基于主客体发光体系，具体是以TAPC材料、CsI材料和CeI3材料三者独立的作为蒸发源，通过三源共蒸热蒸发法沉积得到的；并且，所述发光层对应的CsI、CeI3、TAPC三者的摩尔比为CsI：CeI3：TAPC＝0.05～0.08：0.02：2～5。本发明通过对发光层的组成进行改进，采用主客体发光体系的策略，通过使用由TAPC、CsI和CeI3这三个组分共同组成的三元共掺的主客体体系材料作为发光层，相比于OLED发光层材料，其稳定性较好、不易老化、寿命长。
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