-
公开(公告)号：CN112652713B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202011476276.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。该选通管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料为非晶碳，第二子层的材料为具有选通性能的硫系化合物。第一子层的非晶碳作为缓冲层与第一金属电极层和第二金属电极层接触，可以阻止高温导致的具有选通性能的硫系化合物材料中的原子漂移，还可以避免引入新材料交叉污染。由于非晶碳的低热导率，本申请的选通管不仅能够保证选通管阈值电压不受影响，还使得与相变存储单元集成后，相变材料融化时扩散到选通管单元的热量更小。
-
公开(公告)号：CN119007794A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410964032.7
申请日：2023-01-10
Abstract: 本公开的实施例提供了一种存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备。一种存储设备包括：存储芯片、电脉冲生成器和处理器，存储芯片包括多个存储单元。处理器被配置为：确定多个存储单元中泄露电流不低于阈值泄漏电流的目标存储单元，以及触发电脉冲生成器向目标存储单元施加电脉冲，施加的电脉冲使目标存储单元的泄露电流低于所述阈值泄露电流。以此方式，本公开的实施例能够提高存储设备的可靠性，从而使其例如经过高温工艺后泄漏电流的大小处于期望范围内，满足高密度集成的需求。
-
公开(公告)号：CN118338768A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310034160.7
申请日：2023-01-10
IPC: H10N70/20
Abstract: 本公开的实施例提供了一种存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备。一种存储设备包括：存储芯片、电脉冲生成器和处理器，存储芯片包括多个存储单元。处理器被配置为：确定多个存储单元中泄露电流不低于阈值泄漏电流的目标存储单元，以及触发电脉冲生成器向目标存储单元施加电脉冲，施加的电脉冲使目标存储单元的泄露电流低于所述阈值泄露电流。以此方式，本公开的实施例能够提高存储设备的可靠性，从而使其例如经过高温工艺后泄漏电流的大小处于期望范围内，满足高密度集成的需求。
-
公开(公告)号：CN110943102B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201911101947.0
申请日：2019-11-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高密度的相变存储器三维集成电路结构，其特征在于：包括选通管单元和n个相变存储单元，其n为整数，n≥2；所述选通管单元的第一端接地，第二端同时与所述n个相变存储单元相连；所述n个相变存储单元并列排布，各相变存储单元的一端共同连接在所述选通管单元的第二端，各相变存储单元的另一端分别连接各自的位线。本发明提出的1SnR结构，在阵列集成过程中可以与存储单元垂直多层堆叠，不需要占用额外的面积，大大增加空间利用面积，从而能够极大地增加存储密度；同时，两端存储器与选通管集成的结构具有三维方向上的堆叠能力，可以进一步提高存储密度。
-
公开(公告)号：CN113130741B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110220496.3
申请日：2021-02-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有高热阻绝热层的氧化钒选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。氧化钒选通管包括底电极层、顶电极层以及设置在底电极层和顶电极层之间的功能层，功能层包括开关层和热阻层；开关层的材料含有氧化钒，热阻层的材料的热阻高于开关层的材料的热阻。热阻层材料由于热阻高，具有高效绝热的作用，可以减少器件操作过程中的热扩散。同时，由于热阻高的绝热作用，可以使开关层的升温区域较为集中，在相同厚度下则会使开关层的升温区域减小，器件的有效相变面积减小，因此使其漏电流减小，功耗降低，选通管的稳定性更高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993787B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201911046676.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种选通管，其特征在于，包括第一金属电极层、二维材料层、开关层插塞柱和第二金属电极层；开关层插塞柱是在电流或电压激励下可以形成导电丝的材料；在选通管功能层和电极之间加一层类似于石墨烯的渗透性较差的二维材料，利用二维材料可以产生缺陷，而根据导电丝会沿着缺陷生长的性质，当缺陷的面积很小时，形成的导电丝很细，这样当施加给选通管的激励消失时，导电丝更容易消失，选通管更容易关闭，使选通管的性能得到了极大的改善，本发明有效克服了现有技术的种种缺点而具有高度产业价值。
-
公开(公告)号：CN112242488A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011100690.X
申请日：2020-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有二维材料新型结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。选通管包括依次堆叠的第一金属电极层、选通层以及第二金属电极层；选通层包括：二维材料层A、开关层B以及活性金属硫化物层，所述二维材料层A与所述开关层B交替堆叠形成AB不对称结构、BA不对称结构或ABA对称结构中任一结构，活性金属硫化物层的数量与二维材料层A的数量相同，活性金属硫化物层与二维材料层A远离开关层B的一面接触，活性金属硫化物层可以提供金属离子，金属离子穿过二维材料层的缺陷空隙，在开关层中形成导电丝。第一金属电极层与第二金属电极层均为惰性电极层，避免了由于电极失效造成的选通管失效，提高了选通管的稳定性。
-
公开(公告)号：CN117529220A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210900384.7
申请日：2022-07-28
Abstract: 本申请提供了一种选通管及其制备方法，该选通管包括衬底、第一金属电极层、开关层和第二金属电极层；第一金属电极层、开关层和第二金属电极层依次层叠设置于衬底上，其中，开关层为多层结构，包括缓冲层和选通层，缓冲层和选通层交替层叠设置，缓冲层具有导电性和非选通性，选通层具有选通性。本申请提供的选通管通过将开关层设置为多层结构，利用缓冲层将选通层分隔为多层结构，降低了选通层的厚度，实现了开关层的温度稳定性的提高，进而提高整个选通管的温度稳定性。
-
公开(公告)号：CN115987258A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211678450.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种奥式阈值开关型选通管的重置方法，属于微纳米电子技术领域，包括：当奥式阈值开关型选通管的电阻值低于奥式阈值开关型选通管处于正常状态时的最小电阻值Rlow时，对奥式阈值开关型选通管施加具有阶梯式递增幅值的序列电压脉冲，以对奥式阈值开关型选通管进行重置，从而使因操作次数的不断累加而导致开关性能发生退化甚至完全失去开关性能的选通管重新具备正常的阈值开关性能，进而抑制存储阵列中的漏电流，降低存储阵列的功耗。
-
公开(公告)号：CN110931637B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201911046710.7
申请日：2019-10-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种选通管的制备方法，包括如下步骤：S1、提供一半导体衬底；S2、沉积一层第一金属电极层；S3、制备电热绝缘层；S4、刻蚀小孔；S5、向小孔中依次填充二维材料层和开关层插塞柱；S6、制备第二金属电极层。开关层插塞柱是在电流或电压激励下可以形成导电丝的材料；在选通管功能层和电极之间加一层类似于石墨烯的渗透性较差的二维材料，利用二维材料可以产生缺陷，而根据导电丝会沿着缺陷生长的性质，当缺陷的面积很小时，形成的导电丝很细，这样当施加给选通管的激励消失时，导电丝更容易消失，选通管更容易关闭，使选通管的性能得到了极大的改善，有效克服了现有技术的种种缺点而具有高度产业价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.026 seconds)
