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公开(公告)号：CN115236880B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210857713.4
申请日：2022-07-20
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
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公开(公告)号：CN118759617A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410959570.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种基于相变材料与MIM结构的长波红外光吸收器，属于集成光子器件的领域，吸收器包括：反射层、双介质层和超表面层；超表面层用于使光波通过衍射的方式进入双介质层内；反射层与超表面层构成两个反射面，用于使光波经过多次反射，发生FP腔共振；当超表面层为晶态，且光波偏振态与超表面层非平行状态时，反射层与超表面层同时具备金属特性，用于当入射光波的频率与金属中自由电子的集体振荡频率相匹配时，发生等离子体共振；FP腔共振与等离子体共振均导致双介质层内电磁场的局域化和增强，进而增强对光波的吸收。本申请通过改变相变材料的相态，使吸收器在两种光波吸收状态之间发生可逆转换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115236880A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210857713.4
申请日：2022-07-20
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
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公开(公告)号：CN117750874A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311704748.5
申请日：2023-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种导电桥型阈值转换器件及其制备方法。所述导电桥型阈值转换器件包括：半导体衬底及从下至上依次设置在所述半导体衬底上的底电极、二维ZrSe2层、阻挡层以及顶电极；所述二维ZrSe2层的上表面有本征氧化层；所述阻挡层中设置有供顶电极在施加电压条件下与本征氧化层接触的缝隙，所述阻挡层用于在降低本征氧化层与顶电极的接触电阻的同时，抑制顶电极向本征氧化层的扩散过程。本发明的功能介质层选择为ZrSe2二维材料，导电丝的生长与断裂发生在二维材料经过本征氧化的表面区域，该区域很薄，能够将器件的开态电流限制在很低的范围内，有望用于神经形态器件的构建。
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公开(公告)号：CN118354614A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410394342.X
申请日：2024-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种OTS选通管初始化方法、装置、设备及存储介质，属于微纳米电子技术领域。本申请方案首先加热OTS选通管至初始化温度；再对所述OTS选通管施加初始化电压脉冲；随后将所述OTS选通管降温至室温。其中，初始化电压脉冲为梯形波脉冲、方波脉冲或三角波脉冲；初始化温度和室温相差50℃～300℃；初始化电压脉冲幅值为1V～15V，频率为0.01kHz～10kHz。通过本申请方法降低了选通管中形成稳定缺陷态所需的激活能，使其在高温下形成了十分稳定的缺陷态，极大提高了其在阈值开关过程中的可靠性，具体表现在阈值电压的稳定性提高以及选通管中漏电流的降低。
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公开(公告)号：CN118201476A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410329989.4
申请日：2024-03-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于二维材料的1S1R集成单元及及其制备方法，属于微电子技术领域。本申请包括依次堆叠的底电极、阻变功能层、中间金属层、选通功能层和顶电极；所述阻变功能层和选通功能层为二维过渡金属硒化物材料，其上表面具有本征氧化层；底电极、阻变功能层和中间金属层构成阻变存储单元；阻变存储单元中，本征氧化层用于氧空位导电丝的形成与断裂，非氧化部分用于降低本征氧化层与底电极的势垒；中间金属层、选通功能层和顶电极构成一个选通管单元；选通管单元中，本征氧化层用于银导电丝的形成与断裂，非氧化部分用于降低本征氧化层与中间金属层的势垒。本申请公开技术方案能有效缩小1S1R集成单元尺寸，提高集成密度。
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公开(公告)号：CN117769347A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311703721.4
申请日：2023-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种阈值转换器件、其制备方法及基于其的随机密码生成方法，属于微电子器件技术领域，阈值转换器件包括：底电极、硒化物层、氧化产物层和顶电极；底电极和顶电极用于接入施加信号；硒化物层用于防止金属原子大于预设数量地进入氧化产物层；且用于改善底电极和氧化产物层之间的界面接触，降低接触电阻；氧化产物层用于在接入正向施加信号后呈低阻态，在n次撤回施加信号或接入反向施加信号后呈高阻态；超过n次撤回施加信号或接入反向施加信号仍呈低阻态；本发明生成的随机密码安全性很高，且阈值开关器件功耗很低、有望实现高密度集成。
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