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公开(公告)号：CN104372403A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410631857.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有该隔热块的铸锭炉。本发明不仅可以缩短硅锭铸造过程中化料时间，降低能耗，而且能够有效抑制形核初期坩埚壁附近晶粒优先生长，获得微凸和比较平直的凝固界面，进而提高硅锭质量。
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公开(公告)号：CN104499045B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410854713.4
申请日：2014-12-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，属于晶体生长装置，克服使用现有泡生法装置需要人工干预完成放肩过程的问题。本发明包括炉体、坩埚、坩埚盖、炉盖和籽晶杆，炉体内敷设有侧壁保温层和底部保温层，围绕炉体内的坩埚设置有侧面加热器和底部加热器，并设置有侧反射屏、底部反射屏和上部反射屏；所述坩埚盖由顶部圆盘和下部圆柱连为一体构成，下部圆柱底端为内凹曲面；工作时，坩埚盖的内凹曲面与熔液接触，可以简化放肩过程，并抑制熔液自然对流和表面张力引起的流动。使用本发明，无需人工干预完成放肩过程，通过合理控制热场，能够把定向凝固过程与放肩过程统一起来，有效提高蓝宝石单晶的质量，并显著提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104562185A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410829489.3
申请日：2014-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种提拉法晶体生长炉，属于提拉法单晶生长装置，解决现有提拉法晶体生长炉内由于冷却气的非对称流动引起的不稳定性和熔体内包裹体杂质在晶体中聚集的问题。本发明包括炉体、基座、内隔热层、电磁感应加热器、炉盖、坩埚、坩埚盖和籽晶杆；坩埚内固定有坩埚整流筒，坩埚整流筒下端具有沿圆周均布的矩形孔；籽晶杆下部通过径向呈辐射状均匀分布的肋条与隔热环连接，所述隔热环为圆环形，其外径与内隔热层的内径相适应。本发明设计简单可靠，能够有效的调节冷却气和熔体的流场，进而改善温度场，提高生长过程的稳定性，有利于提高高质量单晶的生长效率，节约成本，适用于各种不同温度梯度生长条件的晶体制备。
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公开(公告)号：CN104514032A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410794501.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室，生长室设置有坩埚，绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈，主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈，主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距，有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内，绝热外壳的顶部设置有气流出口，气流出口作为籽晶杆移动通道，绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整生长室局部温度的顶部辅助电阻加热器，所述可伸缩遮热板能调整伸入生长室的长度。本发明能有效的抑制晶体缺陷，提高晶体质量，也能显著的提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104498904B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410844764.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于MOCVD设备的喷淋头，属于气体喷淋装置，解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题，同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本发明包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管，顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体；多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖，多根下层气管平行穿过下隔板和底盖，各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴；长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本发明通过对长、短喷嘴的分配方式，可以提高反应腔内气体均匀性，提高反应速率，抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体成品率，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104372403B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410631857.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有该隔热块的铸锭炉。本发明不仅可以缩短硅锭铸造过程中化料时间，降低能耗，而且能够有效抑制形核初期坩埚壁附近晶粒优先生长，获得微凸和比较平直的凝固界面，进而提高硅锭质量。
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公开(公告)号：CN104611764A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510029789.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为1:9的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够进一步提高晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN104576913A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410837309.6
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种半导体温差发电片，属于半导体温差发电器件，解决现有半导体温差发电片功率较低、厚度较大的问题，以便于夹紧和应用至微型电子器件中。本发明由上绝缘导热板、下绝缘导热板及其之间的2N个温差发电单元构成，各温差发电单元包括左、右温差电偶臂，上导流片和左、右导流片，左、右温差电偶臂均为矩形，面积为(0.1mm～10mm)×(0.1mm～10mm)，面长比为0.52mm～8.33mm，均采用多浓度梯度温差耦合材料制作。本发明厚度薄、功率大、能有效减小体积和投资成本，不仅能够在不同温度梯度和荷载条件下稳定运行，也能够提高所匹配负载的额定功率，尤其适用于热源品味小、使用空间狭窄、负载额定功率较大的工况条件。
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公开(公告)号：CN104498904A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410844764.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565
Abstract: 一种用于MOCVD设备的喷淋头，属于气体喷淋装置，解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题，同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本发明包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管，顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体；多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖，多根下层气管平行穿过下隔板和底盖，各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴；长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本发明通过对长、短喷嘴的分配方式，可以提高反应腔内气体均匀性，提高反应速率，抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104611764B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510029789.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为1:9的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够进一步提高晶体生长的成品率。
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