公开(公告)号：CN118610235A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410846320.2

申请日：2024-06-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  胡世娇 ,  许庭玮 ,  包晓庆 ,  彭煜 ,  邓怀成 ,  甘卓成 ,  文郅淇 ,  张文豪

IPC: H01L29/267 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/428

Abstract: 本发明涉及一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件、制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明同质PN结器件包括硅衬底、SiO2氧化层、Cu掺杂的P型MoS2薄膜和N型MoS2薄膜。制备方法为：将硫源和钼源加入到溶剂中，再加入铜盐，得到前驱体溶液，采用激光辐照前驱体溶液制备Cu掺杂P型MoS2薄膜与衬底上表面接触，再制备N型MoS2薄膜与P型MoS2薄膜接触，由此形成MoS2同质PN结。本发明实现了薄膜生长与掺杂一步完成，使用该方法制备的P型MoS2薄膜均匀性良好、结晶度得到良好提升；实现了无需转移制备PN结，采用同质结构，界面态少。

公开(公告)号：CN118782679A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410837676.X

申请日：2024-06-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  邓怀成 ,  许庭玮 ,  包晓庆 ,  胡世娇 ,  彭煜 ,  张文豪 ,  甘卓成 ,  文郅淇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明涉及一种光电探测器的全背面无开孔钝化方法，属于光电子器件技术领域。该方法以本征硅做为处理对象，在本征硅两端用离子注入制备P型区和N型区，形成PIN结构，在PIN结构的N型掺杂面沉积全背面钝化隧穿功能层，全背面钝化隧穿功能层的材料为氧化物或氮化物；在全背面钝化隧穿功能层上沉积N型多晶硅，并在保护性气氛条件下退火，N型多晶硅与全背面钝化隧穿功能层共同形成无开孔背面钝化层。该方法不仅提供了一种无需开孔的背面钝化技术，有效降低器件的暗电流，同时在背面形成异质结促进多子的传输，提升了PIN光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN117117021A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311058897.9

申请日：2023-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  包晓庆 ,  许庭玮 ,  邓怀成 ,  彭煜 ,  胡世娇 ,  李康华 ,  陈超

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明提供了一种光伏器件的界面优化方法，包括：形成CdSe层作为吸光层；在CdSe层表面形成ZnTe作为空穴传输层，以形成CdSe/ZnTe异质结；对CdSe/ZnTe异质结的CdSe层与ZnTe层同时进行退火，以在CdSe/ZnTe异质结的界面生成第一过渡层；第一过渡层表征了在进行退火时，CdSe层与ZnTe层中的粒子在CdSe/ZnTe异质结的界面扩散、反应形成的结构层；对ZnTe层进行掺杂。本发明提供的技术方案解决了光伏器件中CdSe/ZnTe异质结的界面缺陷的问题，在提高CdSe吸光层与ZnTe空穴传输层的薄膜结晶度的同时，实现CdSe吸光层与ZnTe空穴传输层之间界面的良好过渡，降低了界面态，优化了界面接触，提升了器件效率；改善了载流子传输，从而实现了对ZnTe空穴传输层的电学性质的调控，提升了光伏器件的性能。