公开(公告)号：CN119816189A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411951916.5

申请日：2024-12-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  文郅淇 ,  彭煜 ,  胡元太 ,  杨万里 ,  张文豪 ,  甘卓成 ,  仇乐琪

IPC: H10N30/85 ,  H10N30/87 ,  H10N30/01

Abstract: 本发明属于微电子及压电电子学技术领域，涉及一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法，其包括基底、绝缘层、发射区、集电区及金属电极；所述基底为凸形结构，记所述基底中间凸起部分为基区，两端未凸起部分为衬底；所述基底的两端的衬底上均覆盖所述绝缘层，所述发射区与所述集电区分别位于所述基底两端的绝缘层上；所述金属电极包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极；所述第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极分别设置在所述集电区、发射区以及基区上，且相互之间不接触，所述发射区、集电区的材料均为N型ZnO，所述基底为硅，达到提高其压电效应的稳定性和可调控性的技术效果。

公开(公告)号：CN118782679A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410837676.X

申请日：2024-06-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  邓怀成 ,  许庭玮 ,  包晓庆 ,  胡世娇 ,  彭煜 ,  张文豪 ,  甘卓成 ,  文郅淇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明涉及一种光电探测器的全背面无开孔钝化方法，属于光电子器件技术领域。该方法以本征硅做为处理对象，在本征硅两端用离子注入制备P型区和N型区，形成PIN结构，在PIN结构的N型掺杂面沉积全背面钝化隧穿功能层，全背面钝化隧穿功能层的材料为氧化物或氮化物；在全背面钝化隧穿功能层上沉积N型多晶硅，并在保护性气氛条件下退火，N型多晶硅与全背面钝化隧穿功能层共同形成无开孔背面钝化层。该方法不仅提供了一种无需开孔的背面钝化技术，有效降低器件的暗电流，同时在背面形成异质结促进多子的传输，提升了PIN光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN117117021A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311058897.9

申请日：2023-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  包晓庆 ,  许庭玮 ,  邓怀成 ,  彭煜 ,  胡世娇 ,  李康华 ,  陈超

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明提供了一种光伏器件的界面优化方法，包括：形成CdSe层作为吸光层；在CdSe层表面形成ZnTe作为空穴传输层，以形成CdSe/ZnTe异质结；对CdSe/ZnTe异质结的CdSe层与ZnTe层同时进行退火，以在CdSe/ZnTe异质结的界面生成第一过渡层；第一过渡层表征了在进行退火时，CdSe层与ZnTe层中的粒子在CdSe/ZnTe异质结的界面扩散、反应形成的结构层；对ZnTe层进行掺杂。本发明提供的技术方案解决了光伏器件中CdSe/ZnTe异质结的界面缺陷的问题，在提高CdSe吸光层与ZnTe空穴传输层的薄膜结晶度的同时，实现CdSe吸光层与ZnTe空穴传输层之间界面的良好过渡，降低了界面态，优化了界面接触，提升了器件效率；改善了载流子传输，从而实现了对ZnTe空穴传输层的电学性质的调控，提升了光伏器件的性能。

公开(公告)号：CN112186482B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202010923234.9

申请日：2020-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱广志 ,  吴明朗 ,  钱烨烽 ,  宋恩茂 ,  龙少杰 ,  彭煜

IPC: H01S3/08 ,  H01S3/081 ,  H01S3/082 ,  H01S3/102 ,  H01S3/131

Abstract: 本发明公开了一种激光输出状态可调的固体激光器，属于激光技术领域，包括第一谐振腔、第一增益介质、第二谐振腔、第二增益介质、泵浦光源和谐振腔损耗调制模块；谐振腔损耗调制模块用于调节谐振腔损耗；减小第二谐振腔损耗，第二增益介质增加对第一激光的吸收能力，使第二增益介质的增益快速达到阈值并产生第二激光，实现第一激光与第二激光均为脉冲输出激光；增大第二谐振腔损耗，第二增益介质降低对第一激光的吸收能力，使第二增益介质的增益速度变慢，实现第一激光与第二激光均为连续输出激光。本发明通过控制所搭建子腔内具有饱和吸收特性的激光晶体的吸收漂白特性，控制该激光器工作在连续、稳定的脉冲、稳定的多脉冲和混沌脉冲的状态。

公开(公告)号：CN118610235A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410846320.2

申请日：2024-06-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  胡世娇 ,  许庭玮 ,  包晓庆 ,  彭煜 ,  邓怀成 ,  甘卓成 ,  文郅淇 ,  张文豪

IPC: H01L29/267 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/428

Abstract: 本发明涉及一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件、制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明同质PN结器件包括硅衬底、SiO2氧化层、Cu掺杂的P型MoS2薄膜和N型MoS2薄膜。制备方法为：将硫源和钼源加入到溶剂中，再加入铜盐，得到前驱体溶液，采用激光辐照前驱体溶液制备Cu掺杂P型MoS2薄膜与衬底上表面接触，再制备N型MoS2薄膜与P型MoS2薄膜接触，由此形成MoS2同质PN结。本发明实现了薄膜生长与掺杂一步完成，使用该方法制备的P型MoS2薄膜均匀性良好、结晶度得到良好提升；实现了无需转移制备PN结，采用同质结构，界面态少。

公开(公告)号：CN112186482A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010923234.9

申请日：2020-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱广志 ,  吴明朗 ,  钱烨烽 ,  宋恩茂 ,  龙少杰 ,  彭煜

IPC: H01S3/08 ,  H01S3/081 ,  H01S3/082 ,  H01S3/102 ,  H01S3/131

Abstract: 本发明公开了一种激光输出状态可调的固体激光器，属于激光技术领域，包括第一谐振腔、第一增益介质、第二谐振腔、第二增益介质、泵浦光源和谐振腔损耗调制模块；谐振腔损耗调制模块用于调节谐振腔损耗；减小第二谐振腔损耗，第二增益介质增加对第一激光的吸收能力，使第二增益介质的增益快速达到阈值并产生第二激光，实现第一激光与第二激光均为脉冲输出激光；增大第二谐振腔损耗，第二增益介质降低对第一激光的吸收能力，使第二增益介质的增益速度变慢，实现第一激光与第二激光均为连续输出激光。本发明通过控制所搭建子腔内具有饱和吸收特性的激光晶体的吸收漂白特性，控制该激光器工作在连续、稳定的脉冲、稳定的多脉冲和混沌脉冲的状态。