公开(公告)号：CN119816189A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411951916.5

申请日：2024-12-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  文郅淇 ,  彭煜 ,  胡元太 ,  杨万里 ,  张文豪 ,  甘卓成 ,  仇乐琪

IPC: H10N30/85 ,  H10N30/87 ,  H10N30/01

Abstract: 本发明属于微电子及压电电子学技术领域，涉及一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法，其包括基底、绝缘层、发射区、集电区及金属电极；所述基底为凸形结构，记所述基底中间凸起部分为基区，两端未凸起部分为衬底；所述基底的两端的衬底上均覆盖所述绝缘层，所述发射区与所述集电区分别位于所述基底两端的绝缘层上；所述金属电极包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极；所述第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极分别设置在所述集电区、发射区以及基区上，且相互之间不接触，所述发射区、集电区的材料均为N型ZnO，所述基底为硅，达到提高其压电效应的稳定性和可调控性的技术效果。

公开(公告)号：CN118610235A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410846320.2

申请日：2024-06-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  胡世娇 ,  许庭玮 ,  包晓庆 ,  彭煜 ,  邓怀成 ,  甘卓成 ,  文郅淇 ,  张文豪

IPC: H01L29/267 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/428

Abstract: 本发明涉及一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件、制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明同质PN结器件包括硅衬底、SiO2氧化层、Cu掺杂的P型MoS2薄膜和N型MoS2薄膜。制备方法为：将硫源和钼源加入到溶剂中，再加入铜盐，得到前驱体溶液，采用激光辐照前驱体溶液制备Cu掺杂P型MoS2薄膜与衬底上表面接触，再制备N型MoS2薄膜与P型MoS2薄膜接触，由此形成MoS2同质PN结。本发明实现了薄膜生长与掺杂一步完成，使用该方法制备的P型MoS2薄膜均匀性良好、结晶度得到良好提升；实现了无需转移制备PN结，采用同质结构，界面态少。

公开(公告)号：CN118782679A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410837676.X

申请日：2024-06-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  邓怀成 ,  许庭玮 ,  包晓庆 ,  胡世娇 ,  彭煜 ,  张文豪 ,  甘卓成 ,  文郅淇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明涉及一种光电探测器的全背面无开孔钝化方法，属于光电子器件技术领域。该方法以本征硅做为处理对象，在本征硅两端用离子注入制备P型区和N型区，形成PIN结构，在PIN结构的N型掺杂面沉积全背面钝化隧穿功能层，全背面钝化隧穿功能层的材料为氧化物或氮化物；在全背面钝化隧穿功能层上沉积N型多晶硅，并在保护性气氛条件下退火，N型多晶硅与全背面钝化隧穿功能层共同形成无开孔背面钝化层。该方法不仅提供了一种无需开孔的背面钝化技术，有效降低器件的暗电流，同时在背面形成异质结促进多子的传输，提升了PIN光电探测器的性能。