公开(公告)号：CN117198945A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311327624.X

申请日：2023-10-13

申请人： 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

发明人： 曹坤 ,  洪子晗 ,  陈蓉 ,  单斌 ,  张城睿

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B08B3/08 ,  B08B5/02 ,  B08B13/00

摘要： 本申请涉及一种晶圆加工设备，包括喷气组件、翻转机构和液相浸泡平台，喷气组件位于翻转机构的上方，液相浸泡平台位于翻转机构的下方，且翻转机构用于承接晶圆并对晶圆进行翻转；喷气组件用于对晶圆的待处理面进行喷气清洗；液相浸泡平台用于对晶圆的待处理面进行浸泡处理。本申请的晶圆加工设备，利用翻转机构可以实现对晶圆的0°～180°旋转，使得晶圆的待处理面可以翻转至与喷气组件，也可以翻转至与液相浸泡平台相对。如此，既可以满足喷气组件对晶圆进行清洗的需要，又可以将晶圆倒扣浸泡在液相浸泡平台的化学处理液中。这种集成清洗功能和浸泡功能的方式，不仅优化了晶圆加工设备的功能，而且改善了晶圆加工品质。

公开(公告)号：CN117587378A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311637258.8

申请日：2023-12-01

申请人： 华中科技大学

发明人： 陈蓉 ,  洪子晗 ,  曹坤 ,  单斌 ,  张城睿

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01S5/028

摘要： 本申请涉及一种半导体激光器的腔面镀膜方法，包括步骤S102，在半导体激光器解理条的电极表面区域选择性生长分子层，以形成具有疏水特性的阻隔层；步骤S104，对形成有阻隔层的半导体激光器解理条进行原子层沉积，以于半导体激光器解理条的除阻隔层覆盖区域以外的区域形成钝化薄膜。本申请的半导体激光器的腔面镀膜方法，实现了在半导体激光器解理条的腔面上沉积钝化薄膜并避免了半导体激光器的电极表面出现钝化薄膜，且不容易出现半导体激光器解理条受应力不均而产生机械损伤的问题。