一种多阶段交直流混联配电网直流升级改造的规划方法

    公开(公告)号:CN110350605A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910610836.6

    申请日:2019-07-08

    摘要: 本发明涉及一种多阶段交直流混联配电网直流升级改造的规划方法,包括:基于当前实际源荷运行场景,采用遗传算法,对上一阶段规划得到的交直流混联配电网拓扑结构中的交流线路和交流节点直流改造,得到并基于配电网拓扑结构的多个配电网拓扑子代,以机组出力最小为子目标并以投资费用和运行费用总和最小为主目标进行嵌套优化,筛选最优配电网拓扑子代,得到其对应的交直流混联配电网拓扑结构,并重复上述过程。本发明仅对上一次规划结果中的交流线路和交流节点进行直流改造,并以整个改造过程的总费用最低为主目标,进行多阶段逐级改造,可有效实现配电网直流成分有序引入。另外,引入双层优化思想,改进遗传算法进行最优规划,实现规划问题求解。

    一种多阶段交直流混联配电网直流升级改造的规划方法

    公开(公告)号:CN110350605B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910610836.6

    申请日:2019-07-08

    IPC分类号: G06Q10/04

    摘要: 本发明涉及一种多阶段交直流混联配电网直流升级改造的规划方法,包括:基于当前实际源荷运行场景,采用遗传算法,对上一阶段规划得到的交直流混联配电网拓扑结构中的交流线路和交流节点直流改造,得到并基于配电网拓扑结构的多个配电网拓扑子代,以机组出力最小为子目标并以投资费用和运行费用总和最小为主目标进行嵌套优化,筛选最优配电网拓扑子代,得到其对应的交直流混联配电网拓扑结构,并重复上述过程。本发明仅对上一次规划结果中的交流线路和交流节点进行直流改造,并以整个改造过程的总费用最低为主目标,进行多阶段逐级改造,可有效实现配电网直流成分有序引入。另外,引入双层优化思想,改进遗传算法进行最优规划,实现规划问题求解。

    一种35kV以上的高压交直流穿墙套管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112002463B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202010838145.4

    申请日:2020-08-19

    摘要: 本发明公开了一种35kV以上的高压交直流穿墙套管及其制备方法,该穿墙套管适用于35kV以上电压等级,包括导杆,以及套设于导杆的主绝缘,主绝缘包括由内向外依次设置的均压层和限流层,均压层套设于导杆,限流层的靠近中间的位置设置有法兰和电极延伸层,电极延伸层嵌设于限流层,法兰套设于电极延伸层,还包括多个外绝缘伞裙,多个外绝缘伞裙套设于主绝缘,且多个外绝缘伞裙分别位于法兰的轴向两侧。本发明结构简单,简化了制备工艺,便于加工,另外能够大幅降低主绝缘尺寸,缩小套管体积,改善高电压等级下套管的散热问题,提升了套管的可靠性,满足电气设备小型化的发展方向。

    一种高压交直流穿墙套管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112002463A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010838145.4

    申请日:2020-08-19

    摘要: 本发明公开了一种高压交直流穿墙套管及其制备方法,该穿墙套管适用于35kV以上电压等级,包括导杆,以及套设于导杆的主绝缘,主绝缘包括由内向外依次设置的均压层和限流层,均压层套设于导杆,限流层的靠近中间的位置设置有法兰和电极延伸层,电极延伸层嵌设于限流层,法兰套设于电极延伸层,还包括多个外绝缘伞裙,多个外绝缘伞裙套设于主绝缘,且多个外绝缘伞裙分别位于法兰的轴向两侧。本发明结构简单,简化了制备工艺,便于加工,另外能够大幅降低主绝缘尺寸,缩小套管体积,改善高电压等级下套管的散热问题,提升了套管的可靠性,满足电气设备小型化的发展方向。

    一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104713914B

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201510053331.6

    申请日:2015-02-02

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。气体传感器包括绝缘衬底、信号电极和气敏层;气敏层由半导体纳米晶复合材料和石墨烯构成。利用胶态法合成半导体纳米晶溶液,能在室温下直接成膜,不需要经过高温处理,能耗小,且不会造成纳米颗粒的团聚,能够最大限度地发挥纳米颗粒比表面积大的优势,有利于气体吸附,提高传感器的灵敏度,使传感器能在较低的工作温度甚至常温下检测低浓度目标气体。制备方法简单,易于实现大规模批量生产。

    一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104614413B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201510067819.4

    申请日:2015-02-09

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的应用前景。