公开(公告)号：CN119677393A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202311214532.0

申请日：2023-09-19

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 中野阳介 ,  陆霄宇 ,  野村幸治 ,  张强

IPC: H10N30/00 ,  H10N30/853 ,  H10N30/87 ,  H10N30/097 ,  H10N30/053

Abstract: 压电单元及其制备方法和电子设备，涉及压电器件制备技术领域，包括层叠设置的基板、单晶电介质氧化物层、第一电极层、钙钛矿型单晶籽晶层和压电层，所述压电层的晶格取向率(100)/((100)+(001))在0.7至0.8范围内。本申请所述的压电单元具有较高的压电常数，以使得压电单元能够更好地进行驱动；同时控制压电层的介电常数在较低的范围内，降低驱动时消耗的电能以及发出的热量。

公开(公告)号：CN119519840A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202311078633.X

申请日：2023-08-24

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 张强 ,  王泽亮 ,  郑珍荣

IPC: H04B10/40 ,  H04B10/516

Abstract: 本申请实施例提供了一种光信号收发设备、控制方法及光通信系统，应用于光通信技术领域。该光信号收发设备包括发射机、接收机、参考光源和控制电路。其中：参考光源用于：输出参考光信号。接收机用于：接收第一光信号。根据参考光信号对第一光信号进行拍频。发射机用于：对参考光信号进行调制得到第二光信号，发射第二光信号。控制电路用于：根据参考光信号和第一光信号的频差，向参考光源输出第一控制信号。第一控制信号用于：调整参考光信号的频率，以控制第一光信号和第二光信号之间的频差小于第一阈值。本申请实施例通过上述方案，在使用单光源进行相干光传输的情况下，实现了对第一光信号和第二光信号之间的频率对准。

公开(公告)号：CN118825058A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310464076.9

申请日：2023-04-21

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 张强 ,  赵春松 ,  侯朝昭 ,  董耀旗 ,  许俊豪

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请实施例提供一种低功耗晶体管及芯片，其中，低功耗晶体管包括衬底、层叠于衬底上的源极、沟道、栅极绝缘层、栅极、以及与源极间隔设置的漏极；其中，在平行于衬底方向上，源极通过沟道与漏极电连接；栅极绝缘层层叠于沟道之上，栅极层叠于栅极绝缘层之上；源极为线状的源极，源极对应的第一个范霍夫奇点VHS对应的沟道势垒介于低功耗晶体管的阈值电压和开态电压对应的沟道势垒之间，第一个范霍夫奇点VHS与源极的本征费米面ESF之间的差值在预设范围之内。实施本申请实施例可以降低晶体管功耗。

公开(公告)号：CN118431300A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202310118949.0

申请日：2023-01-31

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 甘维卓 ,  侯朝昭 ,  张强 ,  王嘉乐 ,  许俊豪

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L27/095

Abstract: 本申请实施例提供一种冷源肖特基晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于在减小冷源肖特基晶体管的亚阈值摆幅的同时，提高冷源肖特基晶体管的开态电流。冷源肖特基晶体管包括沟道层、源极和漏极。源极位于沟道层的一侧，且与沟道层电连接。源极包括相互连接的第一部分和第二部分，第二部分位于第一部分与沟道层之间。漏极位于沟道层远离源极的一侧，且与沟道层电连接。其中，第二部分包括靠近沟道层的第一表面，第一表面上至少存在两点，在平行于沟道层的下表面的方向上，到漏极靠近沟道层的表面的距离不同。冷源肖特基晶体管应用于电子设备中，以提高电子设备的性能。

公开(公告)号：CN118249767A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211668260.7

申请日：2022-12-23

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李起 ,  程阳 ,  侯帅 ,  张强 ,  张礼峰

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/02

Abstract: 本申请实施例提供了一种体声波谐振器及其制备方法、电子设备，涉及终端设备技术领域。体声波谐振器包括基板、第一电极、压电层、第二电极、支撑环和钝化层。第一电极、压电层和第二电极依次设于基板上。在向基板的正投影中，第一电极、压电层和第二电极交叠，三者交叠的区域形成谐振区域。支撑环设于第二电极远离压电层的一侧；支撑环沿谐振区域的边缘设置。钝化层覆盖压电层、第二电极以及支撑环。其中，钝化层包括第一组成部，及围绕第一组成部且与第一组成部连接的第二组成部，第一组成部位于谐振区域内，第二组成部的部分位于支撑环上。第一组成部的厚度小于第二组成部的厚度。该体声波谐振器具有较高的Q值，其制备过程简捷，制备成本较低。

公开(公告)号：CN118053896A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211468693.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 王嘉乐 ,  王洁尘 ,  聂晓昂 ,  侯朝昭 ,  张强 ,  董耀旗 ,  许俊豪

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请实施例提供了一种冷源晶体管及其制备方法，涉及半导体器件，用于进一步提升冷源晶体管。该冷源晶体管包括沟道区、冷源区和漏区，冷源区和漏区分别位于沟道区的两侧，且分别与沟道区接触。冷源区包括相接触的第一部分与第二部分，第一部分的材料包括金属半导体合金，沟道区与第一部分接触；第二部分位于第一部分远离沟道区的一侧，第二部分的材料为半导体材料，且第二部分与沟道区的材料不同。第二部分与第一部分之间具有能够对沟道区产生应变增强的晶格失配。上述冷源晶体管可以应用于电子设备。

公开(公告)号：CN116825805A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202210286284.X

申请日：2022-03-22

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 侯朝昭 ,  张强 ,  李伟 ,  许俊豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/792

Abstract: 本申请提供一种冷源晶体管、其制作方法及集成电路，包括：半导体衬底、源极、漏极以及栅极；半导体衬底具有源区、漏区及位于源区与漏区之间的沟道区，源极耦合于源区，漏极耦合于漏区，栅极设置于沟道区上；沟道区包括第一掺杂区及沟道，第一掺杂区在源区一侧，沟道在漏区一侧；源区包括第二掺杂区及导体区，导体区设置在第一掺杂区和第二掺杂区之间；漏区包括第三掺杂区；第一与第三掺杂区属同一掺杂类型，第二与第三掺杂区属不同的掺杂类型。本申请的冷源晶体管其栅极设置在沟道区上，当冷载流子越过肖特基势垒，从第一掺杂区进入沟道时，使得冷载流子不再受到被外部重新热化，因此可以降低由热化的冷载流子造成的漏电，从而降低亚阈值摆幅。

公开(公告)号：CN116782098A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210243217.X

申请日：2022-03-11

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 刘存帅 ,  张强 ,  陈智 ,  许超 ,  陈志鹏

IPC: H04R9/02 ,  H04R9/04 ,  H04R9/06 ,  H04R3/02 ,  H04R3/04

Abstract: 本申请公开了一种抑制电流音的电路，应用于使用扬声器的应用场景。该抑制电流音的电路包括：电桥模块、反相器以及目标扬声器。其中，电桥模块，用于提取第一电势，且该第一电势为第一扬声器相关的耦合电势，而第一扬声器为电桥模块中的扬声器；反相器，用于将由电桥模块发送的第一电势进行反相处理得到第二电势，并将第二电势向目标扬声器发送，目标扬声器，用于通过第二电势削弱所述第一电势产生的电流音。本申请中，电桥模块能够提取第一电势并发送给反相器进行反相处理得到第二电势，并发送给目标扬声器，使得目标扬声器通过与第一电势相位相反的第二电势削弱第一电势的电流音，从而降低电流音对扬声器的音效的影响，提供用户的体验感。

公开(公告)号：CN116647793A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202210138398.X

申请日：2022-02-15

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 张铁男 ,  贾锋超 ,  陈志鹏 ,  张强 ,  刘存帅

IPC: H04R9/06 ,  H04R9/04 ,  H04R9/02 ,  H04R1/10

Abstract: 本申请实施例提供一种扬声器及电子设备，通过在盆架的侧壁内部设置多组导电结构，并将每组导电结构中导电插件的第二端裸露于盆架的外侧壁，这样，在盆架内装配多个发声单元时，只需将每个发声单元与对应的导电结构中导电插件的第一端电连接，便可将每个发声单元的引脚通过导电结构引出至盆架的外侧壁，外部电路只需与导电结构中导电插件的第二端电连接，便可对相应的发声单元供电，简化了每个发声单元的引脚引出至扬声器外部的结构，另外，通过将至少一组导电结构中每个导电插件的第一端裸露于盆架侧壁外表面，使得该导电结构中导电插件的第一端与对应的发声单元之间的电连接工序更加方便可靠。

公开(公告)号：CN116017211A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202111233677.6

申请日：2021-10-22

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 唐海涛 ,  张强 ,  陈杰

IPC: H04Q11/00 ,  H04B10/275

Abstract: 本申请提供了一种扩容的方法、装置、设备和存储介质，属于光通信技术领域。该方法应用于相干光系统中，该系统包括局点设备和多个接入站点设备，局点设备和多个接入站点设备通过光纤环形连接。在检测到至少一个接入站点设备的扩容需求时，确定每个接入站点设备所需的带宽。控制局点设备与每个接入站点设备使用第一波长的子载波进行业务通信，并基于每个接入站点设备所需的带宽，重新为每个接入站点设备分配第二波长的子载波。通知局点设备和每个接入站点设备为每个接入站点设备分配第二波长的子载波。采用本申请，在为接入站点设备扩容时，不仅能够实现无损扩容，而且还能最大效率的使用每个接入站点设备的带宽。