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公开(公告)号：CN104724758B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510101103.1
申请日：2015-03-06
Applicant: 华北电力大学 , 华北电力大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种多纳米片层WO3阵列材料的制备方法。本发明的方法直接用导电玻璃为衬底，采用钨酸钠为钨源，控制溶液在一定pH值条件下，利用一步水热法合成WO3纳米片层阵列材料。本发明方法简单安全，制备成本低，易于控制；制备出的纳米阵列形貌均一，且直接生长于FTO 衬底上，可与导电基底形成更好的导电通道，在太阳能电池领域及光催化领域将有更广阔的应用前景，同时也是制备电致变色薄膜、光致变色薄膜、气敏传感器的理想材料。
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公开(公告)号：CN104724758A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510101103.1
申请日：2015-03-06
Applicant: 华北电力大学 , 华北电力大学苏州研究院
CPC classification number: C01G41/02 , B82Y30/00 , C01P2004/36 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种多纳米片层WO3阵列材料的制备方法。本发明的方法直接用导电玻璃为衬底，采用钨酸钠为钨源，控制溶液在一定pH值条件下，利用一步水热法合成WO3纳米片层阵列材料。本发明方法简单安全，制备成本低，易于控制；制备出的纳米阵列形貌均一，且直接生长于FTO衬底上，可与导电基底形成更好的导电通道，在太阳能电池领域及光催化领域将有更广阔的应用前景，同时也是制备电致变色薄膜、光致变色薄膜、气敏传感器的理想材料。
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公开(公告)号：CN103011133B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310008135.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备技术领域的一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。此方法将镀有过渡金属催化剂薄膜的基底在Ar氛围内，放入已升温至某一温度的石英管内，并继续升温至生长温度；向管内通入一定量的H2后，引入碳源气体，通过周期性得增加H2的流量以刻蚀多余的非晶碳，可获得高度大于1mm的碳纳米管阵列。本发明方法不需要快速升温处理，制备工艺简单，保证了设备的连续工作，缩短了升温环节所用时间，有效降低了碳纳米管阵列制备的成本和能耗。同时匀气装置的引入，可以实现同时放入多个样品而不相互影响制备结果，进而减少了反复制备的次数和降低了总的成本和能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103011133A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310008135.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备技术领域的一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。此方法将镀有过渡金属催化剂薄膜的基底在Ar氛围内，放入已升温至某一温度的石英管内，并继续升温至生长温度；向管内通入一定量的H2后，引入碳源气体，通过周期性得增加H2的流量以刻蚀多余的非晶碳，可获得高度大于1mm的碳纳米管阵列。本发明方法不需要快速升温处理，制备工艺简单，保证了设备的连续工作，缩短了升温环节所用时间，有效降低了碳纳米管阵列制备的成本和能耗。同时匀气装置的引入，可以实现同时放入多个样品而不相互影响制备结果，进而减少了反复制备的次数和降低了总的成本和能耗。
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公开(公告)号：CN103022266B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310009297.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程，提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法，利用常温湿法刻蚀手段，结合LSP效应，获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果，该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN103022266A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310009297.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程，提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法，利用常温湿法刻蚀手段，结合LSP效应，获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果，该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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