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公开(公告)号：CN103258718B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310182159.5
申请日：2013-05-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于硅基LED与太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法。本发明采用单面抛光的P(111)单晶硅片，先通过溅射-退火手段在表面形成一层非连续的Ag纳米颗粒，然后利用一定波长激光照射酸刻蚀硅过程，在表面制备出“弹坑状”多孔硅结构方法。本发明首次把激光照射Ag纳米颗粒表面激发的局域表面等离子激元效应与传统的酸刻蚀技术相结合，采用了完备、简单、实用的硅片清洗与溅射-退火银纳米颗粒沉积的工艺过程，这种全新的制备方法为研发新型多孔硅材料提供了一种有效的技术手段，同时也为硅基LED及太阳能电池的开发提出了新思路。
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公开(公告)号：CN103258718A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310182159.5
申请日：2013-05-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于硅基LED与太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法。本发明采用单面抛光的P(111)单晶硅片，先通过溅射-退火手段在表面形成一层非连续的Ag纳米颗粒，然后利用一定波长激光照射酸刻蚀硅过程，在表面制备出“弹坑状”多孔硅结构方法。本发明首次把激光照射Ag纳米颗粒表面激发的局域表面等离子激元效应与传统的酸刻蚀技术相结合，采用了完备、简单、实用的硅片清洗与溅射-退火银纳米颗粒沉积的工艺过程，这种全新的制备方法为研发新型多孔硅材料提供了一种有效的技术手段，同时也为硅基LED及太阳能电池的开发提出了新思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103011133A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310008135.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备技术领域的一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。此方法将镀有过渡金属催化剂薄膜的基底在Ar氛围内，放入已升温至某一温度的石英管内，并继续升温至生长温度；向管内通入一定量的H2后，引入碳源气体，通过周期性得增加H2的流量以刻蚀多余的非晶碳，可获得高度大于1mm的碳纳米管阵列。本发明方法不需要快速升温处理，制备工艺简单，保证了设备的连续工作，缩短了升温环节所用时间，有效降低了碳纳米管阵列制备的成本和能耗。同时匀气装置的引入，可以实现同时放入多个样品而不相互影响制备结果，进而减少了反复制备的次数和降低了总的成本和能耗。
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公开(公告)号：CN103011133B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310008135.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备技术领域的一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。此方法将镀有过渡金属催化剂薄膜的基底在Ar氛围内，放入已升温至某一温度的石英管内，并继续升温至生长温度；向管内通入一定量的H2后，引入碳源气体，通过周期性得增加H2的流量以刻蚀多余的非晶碳，可获得高度大于1mm的碳纳米管阵列。本发明方法不需要快速升温处理，制备工艺简单，保证了设备的连续工作，缩短了升温环节所用时间，有效降低了碳纳米管阵列制备的成本和能耗。同时匀气装置的引入，可以实现同时放入多个样品而不相互影响制备结果，进而减少了反复制备的次数和降低了总的成本和能耗。
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公开(公告)号：CN103820861A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410101292.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及一种银纳米线AgNWs材料的定向方法。本发明采用普通载波片，利用洗涤剂与超声清洗的方法得到清洁的基片表面。采用液体铺展技术对AgNWs乙醇或异丙醇悬浊液在普通载玻片上实现AgNWs的大范围的定向排列。本发明提出一种全新的AgNWs定向工艺，并且该工艺具有：不依赖设备，操作简单，可重复性好，成本极低，耗时极短等优点，并最终可以在衬底上得到大范围的AgNWs的定向排布。而且该方法无毒无残留，可以广泛应用于半导体、生物、与医学等领域。
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公开(公告)号：CN103022266B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310009297.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程，提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法，利用常温湿法刻蚀手段，结合LSP效应，获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果，该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN103022266A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310009297.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程，提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法，利用常温湿法刻蚀手段，结合LSP效应，获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果，该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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