-
公开(公告)号：CN103011133B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310008135.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备技术领域的一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。此方法将镀有过渡金属催化剂薄膜的基底在Ar氛围内，放入已升温至某一温度的石英管内，并继续升温至生长温度；向管内通入一定量的H2后，引入碳源气体，通过周期性得增加H2的流量以刻蚀多余的非晶碳，可获得高度大于1mm的碳纳米管阵列。本发明方法不需要快速升温处理，制备工艺简单，保证了设备的连续工作，缩短了升温环节所用时间，有效降低了碳纳米管阵列制备的成本和能耗。同时匀气装置的引入，可以实现同时放入多个样品而不相互影响制备结果，进而减少了反复制备的次数和降低了总的成本和能耗。
-
公开(公告)号：CN103022266B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310009297.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程，提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法，利用常温湿法刻蚀手段，结合LSP效应，获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果，该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
-
-
公开(公告)号：CN103022266A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310009297.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程，提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法，利用常温湿法刻蚀手段，结合LSP效应，获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果，该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102698776B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210169981.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于水热法合成光催化材料的方法技术领域，特别涉及一种花状微米结构氯化银颗粒的制备方法。本发明采用水热法还原混合有浓HCl的AgNO3、FeCl3和PVP的EG溶液，反应一定时间后冷却溶液，通过离心提取样品，最终获得具有高含量的花状微米结构AgCl颗粒。该方法步骤简单，操作简便，由于加入了较大比例的浓HCl，使得产物为AgCl晶体，而非人们常用此反应组成物及方法得到的Ag单质。此外，经扫描电镜观察可知，本发明方法得到的微米结构AgCl晶体颗粒的结构统一为含有八个相同的三条棱花瓣组成的花状。经过性能测试，这种花状微米结构氯化银颗粒具有良好的光催化降解有机污染物的性能。
-
公开(公告)号：CN103011133A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310008135.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备技术领域的一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。此方法将镀有过渡金属催化剂薄膜的基底在Ar氛围内，放入已升温至某一温度的石英管内，并继续升温至生长温度；向管内通入一定量的H2后，引入碳源气体，通过周期性得增加H2的流量以刻蚀多余的非晶碳，可获得高度大于1mm的碳纳米管阵列。本发明方法不需要快速升温处理，制备工艺简单，保证了设备的连续工作，缩短了升温环节所用时间，有效降低了碳纳米管阵列制备的成本和能耗。同时匀气装置的引入，可以实现同时放入多个样品而不相互影响制备结果，进而减少了反复制备的次数和降低了总的成本和能耗。
-
公开(公告)号：CN102698776A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210169981.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于水热法合成光催化材料的方法技术领域，特别涉及一种花状微米结构氯化银颗粒的制备方法。本发明采用水热法还原混合有浓HCl的AgNO3、FeCl3和PVP的EG溶液，反应一定时间后冷却溶液，通过离心提取样品，最终获得具有高含量的花状微米结构AgCl颗粒。该方法步骤简单，操作简便，由于加入了较大比例的浓HCl，使得产物为AgCl晶体，而非人们常用此反应组成物及方法得到的Ag单质。此外，经扫描电镜观察可知，本发明方法得到的微米结构AgCl晶体颗粒的结构统一为含有八个相同的三条棱花瓣组成的花状。经过性能测试，这种花状微米结构氯化银颗粒具有良好的光催化降解有机污染物的性能。
-
公开(公告)号：CN103241733A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310182429.2
申请日：2013-05-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于新型材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种适于大面积石墨烯无污染无褶皱的转移方法。本发明无需用PMMA等有机物作为石墨烯的保护层，而是直接用腐蚀液将金属基底去除，得到漂浮在液面上的石墨烯膜。然后将腐蚀液稀释至近乎纯水，再以适合的速度使水面平稳下降；石墨烯在随水面下降的过程中与置于其下方的倾斜目标基底接触，并在水面张力的“拉展”作用下平展地铺在目标基底上，实现了石墨烯无污染无褶皱的转移，此法适用于大面积石墨烯的转移。本发明工艺简单优化，成本低，从根本上抑制了有机物对石墨烯的污染，并且减小了转移过程中对石墨烯的损伤，同时避免了微小“褶皱”的形成。
-
公开(公告)号：CN103117356A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310064539.9
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L33/64
Abstract: 本发明属于芯片散热领域，特别涉及一种基于碳纳米管阵列的芯片散热方法。本发明采用热沉作为衬底，采用CVD方法沉积高取向、稠密碳纳米管阵列，将该阵列按芯片尺寸及形状切割，然后采用简单的工艺技术使碳纳米管阵列与芯片紧密接触，并将该结构封装、固化。本发明充分发挥了碳纳米管阵列的轴向高导热率的特性，实现了芯片与热沉之间的高效热传导，获得了LED芯片等发热芯片的高度散热效果，保持了LED等器件的高稳定性工作，并可延长其寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.024 seconds)
