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公开(公告)号：CN103011133B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310008135.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备技术领域的一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。此方法将镀有过渡金属催化剂薄膜的基底在Ar氛围内，放入已升温至某一温度的石英管内，并继续升温至生长温度；向管内通入一定量的H2后，引入碳源气体，通过周期性得增加H2的流量以刻蚀多余的非晶碳，可获得高度大于1mm的碳纳米管阵列。本发明方法不需要快速升温处理，制备工艺简单，保证了设备的连续工作，缩短了升温环节所用时间，有效降低了碳纳米管阵列制备的成本和能耗。同时匀气装置的引入，可以实现同时放入多个样品而不相互影响制备结果，进而减少了反复制备的次数和降低了总的成本和能耗。
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公开(公告)号：CN103050378B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210470483.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理，得到表面清洁光滑的硅片；然后将硅片放在两个电极之间，并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应，得到不同长度的硅纳米线阵列；在刻蚀结束前的10~15min时，加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束；最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低；首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列，解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN103030100A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201310007946.6
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于纳米技术领域，特别涉及一种具有减反射特性的亚波长硅纳米线阵列的制备方法。本发明采用n型（100）硅片，利用高真空磁控溅射技术在其表面沉积具有网状结构的银膜，然后采用湿法刻蚀技术，在硅表面获得具有减反射特性的亚波长锥形硅纳米线阵列，经测试，其反射率低于1%。本发明首次利用银膜催化刻蚀硅技术，具有无掩模与常温常压的工艺特征，操作简单，重复性与可控性好，为制备具有亚波长尺度的超减反硅表面纳米结构提供了新思路，为设计和构建新型高效硅太阳能电池提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN103241733A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310182429.2
申请日：2013-05-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于新型材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种适于大面积石墨烯无污染无褶皱的转移方法。本发明无需用PMMA等有机物作为石墨烯的保护层，而是直接用腐蚀液将金属基底去除，得到漂浮在液面上的石墨烯膜。然后将腐蚀液稀释至近乎纯水，再以适合的速度使水面平稳下降；石墨烯在随水面下降的过程中与置于其下方的倾斜目标基底接触，并在水面张力的“拉展”作用下平展地铺在目标基底上，实现了石墨烯无污染无褶皱的转移，此法适用于大面积石墨烯的转移。本发明工艺简单优化，成本低，从根本上抑制了有机物对石墨烯的污染，并且减小了转移过程中对石墨烯的损伤，同时避免了微小“褶皱”的形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103117356A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310064539.9
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L33/64
Abstract: 本发明属于芯片散热领域，特别涉及一种基于碳纳米管阵列的芯片散热方法。本发明采用热沉作为衬底，采用CVD方法沉积高取向、稠密碳纳米管阵列，将该阵列按芯片尺寸及形状切割，然后采用简单的工艺技术使碳纳米管阵列与芯片紧密接触，并将该结构封装、固化。本发明充分发挥了碳纳米管阵列的轴向高导热率的特性，实现了芯片与热沉之间的高效热传导，获得了LED芯片等发热芯片的高度散热效果，保持了LED等器件的高稳定性工作，并可延长其寿命。
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公开(公告)号：CN103050378A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210470483.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理，得到表面清洁光滑的硅片；然后将硅片放在两个电极之间，并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应，得到不同长度的硅纳米线阵列；在刻蚀结束前的10~15min时，加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束；最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低；首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列，解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN102817084A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210276363.9
申请日：2012-08-03
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制备方法技术领域，特别涉及一种硅纳米线双层阵列结构材料的制备方法。本发明采用（100）单晶硅片，利用金属纳米粒子催化刻蚀技术减薄硅片，使其厚度低于100μm。把获得的薄单晶硅片用聚四氟乙烯夹具夹持并放入刻蚀液，在薄硅片上、下表面同时刻蚀，控制反应温度与时间获得硅纳米线双层阵列结构材料。本发明首次利用薄硅片上、下表面刻蚀形成硅纳米线双层阵列结构材料，调控薄单晶硅片的厚度可控制硅纳米线阵列双层结构的厚度。本发明成本低、操作步骤简单、且与现有纳米器件制备工艺相兼容，可降低新型纳米器件的制作成本。
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公开(公告)号：CN102815689A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210300689.0
申请日：2012-08-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明属于无机非金属材料制备方法技术领域，特别涉及一种粒径均匀的碳微米球材料的制备方法。本发明采用水热还原法，用EG作为碳源和溶剂，溶解FeCl3、PVP和AgNO3，最后加入浓HCl，在内衬为聚四氟乙烯的反应釜和恒温干燥箱中，保持高温高压条件，制备出碳微米球材料。经扫描电镜观察和EDS检测，本发明能够制备出高产量、粒径均匀的碳微米球材料。本发明采用水热法相比于以往常用的制备方法所需温度低、时间短，同时以此方法制备出的碳微米球材料粒径分布范围窄，产量高。
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公开(公告)号：CN105439126B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410439978.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明属于先进碳材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种大面积单晶石墨烯的简便、稳定的制备方法，适用于毫米级单晶石墨烯的制备。本发明在1000℃下以甲烷（CH4）为碳源、氢气为还原性气体利用低压化学气相沉积(LPCVD)法生长单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行丙酮、乙醇等超声处理，无需采用复杂的电化学方法对铜箔进行抛光等预处理过程，也无需长达数小时、高氢气流量的退火过程，只需要在升温之前抽尽反应器中的空气并保证在升温过程中没有气体通入，通过这一简便处理方法可以大幅度降低石墨烯在铜箔上的成核密度，且只需通过2‑3小时的生长时间即可以生长出对边距离达到1mm大小的单晶石墨烯。样品经扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱分析（Raman）等手段表征证明为单晶石墨烯且具有较少的缺陷。
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