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公开(公告)号：CN110298555A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910484409.8
申请日：2019-06-05
摘要： 本发明属于电力市场领域，特别是针对市场评价指标，尤其涉及一种降低权重偏误的电力现货市场价格指数计算方法。其特征在于，结合了拉氏现货价格指数和帕氏现货价格指数的特性又平衡了两者的偏误，基于马埃指数体系推导了新的电力现货市场的价格指数计算公式；用历史电量数据来修正现货价格指数的权重，以降低报告期和基期的季节与气候差距过大带来的偏误。采用该指数计算方法不仅解决了拉氏指数和帕氏指数的偏误问题，也避免了报告期和基期的季节和气候因素差距过大引起的偏差，指数计算结果相较于一般的加权平均价格更加科学准确。
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公开(公告)号：CN114002575B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111293944.9
申请日：2021-11-03
IPC分类号： G01R31/27
摘要： 本发明公开了一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置。该方法包括：采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压；当判断所述集电极电压到零时，对当前集电极电压负向过冲进行采样；建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值；将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较；根据比较结果确定所述IGBT模块的运行状态。利用半桥结构动作器件关断过程的集电极电压负向过冲监测IGBT芯片失效，该方法受电容电压变化影响小，且在不同的负载电流下依然可以保持较高的变化率，能够对IGBT模块发射极键合线部分断裂进行有效监测。
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公开(公告)号：CN111585293B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010639272.1
申请日：2020-07-06
申请人： 华北电力大学 , 北京四方继保工程技术有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： G06F17/10
摘要： 本发明公开了一种孤岛暂态稳定性确定方法及系统，所述方法：基于发电机的电力系统动态方程，建立孤岛中每台发电机的状态向量解析式；将状态向量解析式转化至COI坐标系，获得孤岛中每台发电机的COI坐标系下的状态向量解析式；基于每台发电机的COI坐标系下的状态向量解析式，利用孤岛的暂态能量函数，计算孤岛的暂态能量；基于每台发电机的状态向量解析式和COI坐标系下的状态向量解析式，计算使孤岛稳定的临界能量；计算所述临界能量和所述暂态能量的差值作为孤岛稳定裕度；并根据孤岛稳定裕度确定孤岛暂态稳定性。本发明结合继电保护所能感知的故障持续时间信息，将能量函数应用于解列后孤岛之中，摆脱时域仿真的束缚，保证精度的前提下提高计算效率。
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公开(公告)号：CN112630615A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011452092.9
申请日：2020-12-10
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法，包括：压力夹具，施压装置，压力传感器，压力均衡装置，第一、第二环氧树脂板，压接型IGBT芯片，加热板，碟簧，叠层母排，母线电容，负载电感，续流二极管，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流和电压测量装置；母线电容连直流电压源；叠层母排连直流电压源和续流二极管；续流二极管连压接型IGBT芯片；负载电感连续流二极管；驱动脉冲生成器连压接型IGBT芯片；压接型IGBT芯片连直流电压源；碟簧、第一环氧树脂板、加热板、压接型IGBT芯片、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器、施压装置从下到上依次堆叠；压力夹具固定该叠层结构。本发明能测量压接型IGBT芯片在电‑热‑力综合影响下的动态特性。
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公开(公告)号：CN112307918A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011132498.9
申请日：2020-10-21
摘要： 本发明公开了一种基于模糊神经网络的变压器振动故障诊断方法，将采集到的变压器振动信号输入网络进行训练，并基于训练好的神经网络进行参数拟合，得到基于振动的变压器直流偏磁故障概率曲线，可以实现变压器直流偏磁的在线诊断，根据振动信号，实时判断变压器是否发生直流偏磁，同时在诊断方法中引入先验知识，减小了样本需求量，且提高了故障诊断的准确率。
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公开(公告)号：CN113783173A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110977779.2
申请日：2021-08-24
摘要： 高压固态半导体开关器件及提高该电压利用率方法和应用，包括高压固态半导体开关器件，所述每一个高压固态半导体开关器件的集电极与发射极之间并联一个模块化间隙避雷器；所述模块化间隙避雷器包括压敏电阻MOV与可击穿间隙串联组成。与现有半导体固态开关中由纯MOV构成的限压电路相比，本发明在保障固态半导体开关器件安全的前提下，与MOV串联的可击穿间隙可以在静态时额外分担一部分直流电压，从而提高固态半导体开关器件的额定直流电压VDC，有效提高器件电压利用率。在固态半导体开关器件的关断暂态，与MOV串联的可击穿间隙击穿并呈现低阻态，然后避雷器吸收故障能量并限制半导体开关器件电压，从而保护固态半导体开关器件。
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公开(公告)号：CN112420812A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011292087.6
申请日：2020-11-18
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种高压功率芯片的深结复合终端结构，所述复合终端结构包括:横向变掺杂区域、结终端延伸区域和SIPOS结构；所述横向变掺杂区域为在多个不同渐变掺杂区窗口的遮掩下注入铝离子，再经高温扩散形成的区域；所述结终端延伸区域设置在所述横向变掺杂区域(VLD)的末端，并与所述横向变掺杂区域呈部分交叠设置，所述结终端延伸区域(JTE)为棚离子在高温下扩散形成的区域；所述SIPOS结构设置在所述横向变掺杂区域和结终端延伸区域的上部。本发明将SIPOS结构覆盖于横向变掺杂区域和结终端延伸区域之上来减少终端区的面积，提高其终端效率，降低界面电荷对终端结构击穿电压的影响，达到在存在界面电荷的情况下满足3.3kV等级的耐压要求。
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公开(公告)号：CN112327218A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011132426.4
申请日：2020-10-21
摘要： 本发明公开了一种应用于变压器在线监测与故障诊断的方法，包括四个步骤。第一步：使用采用多种传感器，采集变压器的不同测点或不同相的振动、电流、电压、温度等共计n路信号的瞬时值。第二步：对采集到的n路信号分别用离散S变换进行处理，将计算结果组成n通道的复矩阵。第三步：对n通道复矩阵中的每一个元素取模，得到n通道的实矩阵，即信号的特征图像；第四步：将信号的特征图像输入训练好的无监督深度学习框架，得到诊断结果。
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公开(公告)号：CN112327218B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202011132426.4
申请日：2020-10-21
摘要： 本发明公开了一种应用于变压器在线监测与故障诊断的方法，包括四个步骤。第一步：使用采用多种传感器，采集变压器的不同测点或不同相的振动、电流、电压、温度等共计n路信号的瞬时值。第二步：对采集到的n路信号分别用离散S变换进行处理，将计算结果组成n通道的复矩阵。第三步：对n通道复矩阵中的每一个元素取模，得到n通道的实矩阵，即信号的特征图像；第四步：将信号的特征图像输入训练好的无监督深度学习框架，得到诊断结果。
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公开(公告)号：CN114002575A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111293944.9
申请日：2021-11-03
IPC分类号： G01R31/27
摘要： 本发明公开了一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置。该方法包括：采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压；当判断所述集电极电压到零时，对当前集电极电压负向过冲进行采样；建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值；将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较；根据比较结果确定所述IGBT模块的运行状态。利用半桥结构动作器件关断过程的集电极电压负向过冲监测IGBT芯片失效，该方法受电容电压变化影响小，且在不同的负载电流下依然可以保持较高的变化率，能够对IGBT模块发射极键合线部分断裂进行有效监测。
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