一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法

    公开(公告)号:CN112630615A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011452092.9

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法,包括:压力夹具,施压装置,压力传感器,压力均衡装置,第一、第二环氧树脂板,压接型IGBT芯片,加热板,碟簧,叠层母排,母线电容,负载电感,续流二极管,直流电压源,驱动脉冲生成器,电流和电压测量装置;母线电容连直流电压源;叠层母排连直流电压源和续流二极管;续流二极管连压接型IGBT芯片;负载电感连续流二极管;驱动脉冲生成器连压接型IGBT芯片;压接型IGBT芯片连直流电压源;碟簧、第一环氧树脂板、加热板、压接型IGBT芯片、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器、施压装置从下到上依次堆叠;压力夹具固定该叠层结构。本发明能测量压接型IGBT芯片在电‑热‑力综合影响下的动态特性。

    一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法

    公开(公告)号:CN112630615B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202011452092.9

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法,包括:压力夹具,施压装置,压力传感器,压力均衡装置,第一、第二环氧树脂板,压接型IGBT芯片,加热板,碟簧,叠层母排,母线电容,负载电感,续流二极管,直流电压源,驱动脉冲生成器,电流和电压测量装置;母线电容连直流电压源;叠层母排连直流电压源和续流二极管;续流二极管连压接型IGBT芯片;负载电感连续流二极管;驱动脉冲生成器连压接型IGBT芯片;压接型IGBT芯片连直流电压源;碟簧、第一环氧树脂板、加热板、压接型IGBT芯片、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器、施压装置从下到上依次堆叠;压力夹具固定该叠层结构。本发明能测量压接型IGBT芯片在电‑热‑力综合影响下的动态特性。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种功率器件关断失效特性测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN115113014B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211036455.X

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种功率器件关断失效特性测试装置及测试方法,包括:充放电回路、测试回路和关断失效装置电路保护逻辑单元;充放电回路包括直流电压源、充电功率器件、充电电阻、隔离二极管、放电功率器件、放电电阻和电容;测试回路包括续流二极管,负载电感,至少一个被测功率器件、至少一个栅极驱动电阻和栅极驱动信号单元;关断失效装置电路保护逻辑单元,用于根据获取的被测功率器件的集电极电压和被测功率器件的栅极电压判定被测功率器件的工作状态进而控制充电功率器件和放电功率器件放电。通过关断失效装置电路保护逻辑单元仅获取被测功率器件的集电极电压与栅极驱动电压实现保护控制,无需借助电流信号,保护逻辑可靠且简单。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    一种功率器件关断失效特性测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN115113014A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202211036455.X

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种功率器件关断失效特性测试装置及测试方法,包括:充放电回路、测试回路和关断失效装置电路保护逻辑单元;充放电回路包括直流电压源、充电功率器件、充电电阻、隔离二极管、放电功率器件、放电电阻和电容;测试回路包括续流二极管,负载电感,至少一个被测功率器件、至少一个栅极驱动电阻和栅极驱动信号单元;关断失效装置电路保护逻辑单元,用于根据获取的被测功率器件的集电极电压和被测功率器件的栅极电压判定被测功率器件的工作状态进而控制充电功率器件和放电功率器件放电。通过关断失效装置电路保护逻辑单元仅获取被测功率器件的集电极电压与栅极驱动电压实现保护控制,无需借助电流信号,保护逻辑可靠且简单。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法

    公开(公告)号:CN110232234A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910481319.3

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法,所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环;所述坡莫合金环为环状结构;所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端,所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端;将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上,通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控,并放置于工业界的IGBT模块中,作为监测模块的辅助装置,在监测时调节线圈电流,以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

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