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公开(公告)号：CN114548013A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210254942.7
申请日：2022-03-15
IPC: G06F30/367
Abstract: 一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法，包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路，包括：ugs达到阈值电压Vth前，列写驱动回路KVL方程和KCL方程；按照IEC标准，当ugs大小为10％的驱动正压VGH时，时间t的值为开通延时的起点ta；ugs达到阈值电压Vth后，列写驱动回路KCL方程、KVL方程，将id与ugs建模为线性关系，得到此阶段ugs表达式；利用饱和电流表达式修正id，求导得到电流变化率，根据主功率回路KVL方程，求得uds的表达式；按照IEC标准，当uds达到到90％的负载电压VDD时，时间t的值为开通延时的终点tb；求得tb与ta之间的差值，即为开通延时td(on)。
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公开(公告)号：CN114548013B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210254942.7
申请日：2022-03-15
IPC: G06F30/367
Abstract: 一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法，包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路，包括：ugs达到阈值电压Vth前，列写驱动回路KVL方程和KCL方程；按照IEC标准，当ugs大小为10％的驱动正压VGH时，时间t的值为开通延时的起点ta；ugs达到阈值电压Vth后，列写驱动回路KCL方程、KVL方程，将id与ugs建模为线性关系，得到此阶段ugs表达式；利用饱和电流表达式修正id，求导得到电流变化率，根据主功率回路KVL方程，求得uds的表达式；按照IEC标准，当uds达到到90％的负载电压VDD时，时间t的值为开通延时的终点tb；求得tb与ta之间的差值，即为开通延时td(on)。
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公开(公告)号：CN117034678A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310841712.5
申请日：2023-07-11
Abstract: 并联电容器组叠层母排的寄生电感建模和测量方法，包括：建立并联电容器叠层母排的基本结构；建立叠层母排自感和互感的电路模型；对叠层母排中的自感和互感进行解耦，建立电感计算模型。本发明提出的多个电容器并联叠层母排寄生电感计算模型的建立方法，实现了对叠层母排各回路自感和回路间互感的解耦，可以对任意数量电容器并联的叠层母排的寄生电感进行计算；通过有限元仿真设计了一种可抵消对叠层母排寄生电感测量影响的夹具，消除了夹具在测量时与叠层母排之间产生互感的影响；提出多电容器并联叠层母排寄生电感的测量方法，实现了多电容器并联叠层母排寄生电感的直接测量。
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公开(公告)号：CN114414975B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN117970006A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410223386.6
申请日：2024-02-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本申请提供的一种高温功率循环测试装置及测试方法，包括：电源单元，旁路单元，多个测试单元，数据采集单元，上位机，主开关单元，开关组单元；所述测试单元包括散热单元，连接单元，温度传感器单元，驱动单元。通过温度传感器单元实时采集待测器件的壳温，通过预先获取的待测器件的结壳热阻，实时计算当待测器件的当前结温，当前结温达到预设结温阈值时，使旁路单元导通，待测器件断开。本申请对器件栅氧退化的影响进行部分补偿，避免器件老化应力不合理，保证了测试的准确，并通过直流母线的方式为多个测试单元供电，实现多器件并行测试，增加了测试器件的数量，测试效率提高，且待测器件之间相互独立、互不影响，测试平台更加灵活易拓展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113325292B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110776525.4
申请日：2021-07-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 功率半导体器件栅氧性能参数测量电路及其测量方法，包括继电器模块，信号控制端，三轴直插BNC母座，同轴直插BNC母座，绝缘插座，BIAS端子，PCB板；继电器模块包括多个继电器，多个所述控制器用于与功率半导体器件的栅极、漏极和源极连接；所述信号控制端用于接收控制继电器模块中继电器通断的信号；所述绝缘插座用于固定被测功率半导体器件；BIAS端子包括BIAS+端子和BIAS‑端子，用于施加偏置电压；所述PCB板，实现上述部件之间的电信号连接。本发明能够直观分析在器件退化过程中的栅极结构参数变化，进而分析影响栅极可靠性的因素，为器件的栅极使用及结构设计提供重要的理论指导。
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公开(公告)号：CN113541461A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110971757.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 抑制碳化硅MOSFET电压过冲的栅极电感匹配方法，包括：搭建基于碳化硅MOSFET的双脉冲测试平台；获取电感匹配计算所需的电路参数，包括碳化硅MOSFET器件漏源极电容CDS、栅漏极电容CGD以及功率回路共源极电感LS；计算栅极电感匹配值；提取栅极回路设计所引入的寄生电感；计算栅极电感附加电感值，并将相应电感值的电感元器件串联接入栅极回路；进行双脉冲测试。通过调整碳化硅MOSFET栅极回路的寄生电感、附加电感值，对器件关断漏源极电压过冲实现有效抑制，对提高碳化硅MOSFET在应用中的经济性和可靠性具有重要意义，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN112540280A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011594012.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件的测试夹具及测试方法。该测试夹具包括：PCB板和设置在PCB板上的绝缘插座、第一继电器、第二继电器、第三继电器、第一BNC母座以及第二BNC母座。第一继电器控制功率半导体器件的栅极和第一BNC母座的信号端或者屏蔽端连接，第二继电器控制第二BNC母座的屏蔽端和功率半导体器件的源极或者漏极连接，第三继电器控制第二BNC母座的信号端和功率半导体器件的源极或者漏极连接。该功率半导体器件的测试夹具通过继电器来改变连接关系，无需对被测器件的第三端进行弯折即可完成测试，防止了被测器件的损伤，同时，无需对被测器件进行位置更换即可切换被测参数，简化了测试工序。
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公开(公告)号：CN109817612A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910191808.5
申请日：2019-03-14
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种改善焊接型碳化硅功率模块电热性能的封装结构，该封装结构包括铜底板，DBC板，碳化硅芯片，驱动信号端子和功率回路端子；所述碳化硅芯片，以每两个为一个单元进行并联，长边沿着所述铜底板的长边平行排列放置，每两个单元共用一块DBC板，所述两个单元为串联结构，所述DBC板固定在所述铜底板上；所述驱动信号端子采用顶针方式直接引出；所述功率回路端子采用带有螺纹的铜块引出。本发明通过优化碳化硅芯片放置方式、DBC分布方式和端子的引出方式，减小了电流路径长度，增大了电流路径宽度，提高了DBC板的底板面积利用率，增大了散热面积，减小了散热热阻，从而提高封装的电热性能。
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公开(公告)号：CN118914625A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410968197.1
申请日：2024-07-18
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本申请涉及一种罗氏线圈信号处理电路、电流传感器及信号处理方法，该电路至少包括积分电路、缓冲器、半波整流电路、二阶高通滤波电路以及二阶低通滤波电路；其中缓冲器用于隔离缓冲器前后的电路信号相互影响并保持电压跟随；二阶高通滤波电路用于对积分电路输出信号进行高通滤波，保留高频成分；二阶低通滤波电路用于对半波整流电路输出信号进行低通滤波，保留低频成分。通过二阶滤波电路分别获取积分电路输出信号的高频部分和低频部分并互补叠加，获得完整的暂态振荡波形正确且无下垂失真的被测电流信号，其提高了传感器测量精准度并实现长时间测量。同时缓冲器可避免前后电路的信号影响并保证前后电压跟随，进而提高最终输出信号的准确性。
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