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公开(公告)号：CN113281623B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110525921.X
申请日：2021-05-14
Abstract: 本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体，所述硅凝胶灌封腔体包括：绝缘腔体、钨针和低压端金属电极；所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端；所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上；在进行测试时，待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面；向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体，待硅凝胶液体固化后，所述钨针输入正极性重复方波，所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面，不会在腔体上发生放电，而且本发明设置了钨针，以为沿面放电界面构建极不均匀电场，本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置。
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公开(公告)号：CN113433437A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110719763.1
申请日：2021-06-28
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种提取放电电流脉冲的方法及系统，获取沿面放电实验中不同采样时刻的沿面放电电流，沿面放电电流包括放电电流脉冲、极化电流和去极化电流，根据光电流峰值时刻获取沿面放电电流峰值的采样时刻，将沿面放电电流峰值时刻对应的沿面放电电流设置为空，构成缺省沿面放电电流序列，对缺省沿面放电电流序列进行三次样条插值拟合，获得拟合沿面放电电流序列，拟合沿面放电电流序列中的拟合沿面放电电流只包含极化电流和去极化电流，因此将沿面放电电流序列减去拟合沿面放电电流序列后的电流即为放电电流脉冲，实现了在重合于极化电流和去极化电流中准确提取放电电流脉冲。
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公开(公告)号：CN114927428A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210568697.7
申请日：2022-05-24
Abstract: 本发明涉及一种高致密硅凝胶灌封方法，属于弹性压接型功率器件领域，通过逐层灌封与分阶段脱气相结合的方法，减小每层要脱气的硅凝胶厚度，降低狭小缝隙处硅凝胶的压强，使气泡更容易膨大，进而使其容易脱离缝隙，减少器件封装用硅凝胶中残存气泡，提高封装材料的绝缘能力，进而提升器件的整体耐压能力。
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公开(公告)号：CN117034678A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310841712.5
申请日：2023-07-11
Abstract: 并联电容器组叠层母排的寄生电感建模和测量方法，包括：建立并联电容器叠层母排的基本结构；建立叠层母排自感和互感的电路模型；对叠层母排中的自感和互感进行解耦，建立电感计算模型。本发明提出的多个电容器并联叠层母排寄生电感计算模型的建立方法，实现了对叠层母排各回路自感和回路间互感的解耦，可以对任意数量电容器并联的叠层母排的寄生电感进行计算；通过有限元仿真设计了一种可抵消对叠层母排寄生电感测量影响的夹具，消除了夹具在测量时与叠层母排之间产生互感的影响；提出多电容器并联叠层母排寄生电感的测量方法，实现了多电容器并联叠层母排寄生电感的直接测量。
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公开(公告)号：CN113281623A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110525921.X
申请日：2021-05-14
Abstract: 本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体，所述硅凝胶灌封腔体包括：绝缘腔体、钨针和低压端金属电极；所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端；所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上；在进行测试时，待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面；向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体，待硅凝胶液体固化后，所述钨针输入正极性重复方波，所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面，不会在腔体上发生放电，而且本发明设置了钨针，以为沿面放电界面构建极不均匀电场，本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117825781A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410018645.1
申请日：2024-01-05
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供了一种传输线阻抗匹配的Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，电流传感器包括Rogowski线圈、无源积分器、传输线驱动器、同轴传输线、驱动器电源连接线、阻抗匹配电阻及有源积分器；Rogowski线圈与无源积分器的输入端口连接，无源积分器的输出端口与传输线驱动器的输入端口连接，传输线驱动器的输出端口与同轴传输线连接，传输线驱动器的电源端与驱动器电源连接线连接；同轴传输线与有源积分器的信号输入端口连接；驱动器电源连接线与有源积分器的电源网络连接；阻抗匹配电阻并联连接于有源积分器的信号输入端口。本发明能够准确测量高频率的电流。
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公开(公告)号：CN114548013A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210254942.7
申请日：2022-03-15
IPC: G06F30/367
Abstract: 一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法，包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路，包括：ugs达到阈值电压Vth前，列写驱动回路KVL方程和KCL方程；按照IEC标准，当ugs大小为10％的驱动正压VGH时，时间t的值为开通延时的起点ta；ugs达到阈值电压Vth后，列写驱动回路KCL方程、KVL方程，将id与ugs建模为线性关系，得到此阶段ugs表达式；利用饱和电流表达式修正id，求导得到电流变化率，根据主功率回路KVL方程，求得uds的表达式；按照IEC标准，当uds达到到90％的负载电压VDD时，时间t的值为开通延时的终点tb；求得tb与ta之间的差值，即为开通延时td(on)。
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公开(公告)号：CN114548013B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210254942.7
申请日：2022-03-15
IPC: G06F30/367
Abstract: 一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法，包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路，包括：ugs达到阈值电压Vth前，列写驱动回路KVL方程和KCL方程；按照IEC标准，当ugs大小为10％的驱动正压VGH时，时间t的值为开通延时的起点ta；ugs达到阈值电压Vth后，列写驱动回路KCL方程、KVL方程，将id与ugs建模为线性关系，得到此阶段ugs表达式；利用饱和电流表达式修正id，求导得到电流变化率，根据主功率回路KVL方程，求得uds的表达式；按照IEC标准，当uds达到到90％的负载电压VDD时，时间t的值为开通延时的终点tb；求得tb与ta之间的差值，即为开通延时td(on)。
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公开(公告)号：CN113433437B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110719763.1
申请日：2021-06-28
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种提取放电电流脉冲的方法及系统，获取沿面放电实验中不同采样时刻的沿面放电电流，沿面放电电流包括放电电流脉冲、极化电流和去极化电流，根据光电流峰值时刻获取沿面放电电流峰值的采样时刻，将沿面放电电流峰值时刻对应的沿面放电电流设置为空，构成缺省沿面放电电流序列，对缺省沿面放电电流序列进行三次样条插值拟合，获得拟合沿面放电电流序列，拟合沿面放电电流序列中的拟合沿面放电电流只包含极化电流和去极化电流，因此将沿面放电电流序列减去拟合沿面放电电流序列后的电流即为放电电流脉冲，实现了在重合于极化电流和去极化电流中准确提取放电电流脉冲。
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公开(公告)号：CN115472355B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202211124115.2
申请日：2022-09-15
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学
Abstract: 本发明提供一种用于气液混合态介质内的绝缘装置，属于高压绝缘领域，绝缘装置包括：第一绝缘子段、第二绝缘子段及第三绝缘子段；第一绝缘子段和第二绝缘子段均为圆台形；第三绝缘子段为圆柱形；第一绝缘子段的上底面与高电位金属体连接，下底面与第二绝缘子段的下底面固定；第三绝缘子段的一个底面与低电位金属体连接，另一个底面与第二绝缘子段的上底面固定；第一绝缘子段的侧面、第二绝缘子段的侧面及第三绝缘子段的侧面在轴向上均为正弦函数曲线形状。避免了气液混合态介质在绝缘装置表面聚集导致绝缘性能下降的问题，即提高了绝缘装置在气液混合态介质内的绝缘性能。
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