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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN115166601A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210703998.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 齐磊 , 刘一阳 , 张翔宇 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 本发明涉及一种MMC子模块状态在线监测方法及系统，该方法通过测量负载电流及在IGBT器件导通过程中电容器的电压变化量，获得电容器的容值，通过测量IGBT器件关断过程中的电容器的电压过充峰值，获得IGBT器件的结温，实现了电容器的容值和IGBT器件的结温的一体化监测，而且本发明在电容器的容值的获取过程中无需改变换流器的工作状态，不会对变流器的运行产生影响，可实现在线监测。
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公开(公告)号：CN117929955A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211252026.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种多参量的IGBT结温标定系统，包括电压源、IGBT驱动模块、上位机、数据采集模块、红外热像仪、未填充硅胶的IGBT模块、水冷模块和功率输出模块，本发明解决了现有IGBT结温标定结温系统复杂的问题，从而提高了IGBT结温标定的效率。本发明还公开了一种IGBT结温标定方法，首先上位机向IGBT驱动模块发送驱动信号，功率输出模块输出恒定电流，然后通过控制控流阀使红外热像仪中IGBT芯片的温度不再发生变化，最后记录IGBT的结温及对应的电参数值，从而精确地实现结温标定，本发明提升了IGBT结温监测的准确度，从而提高IGBT结温标定系统的可靠性和标定精度。
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公开(公告)号：CN117419876A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311396876.8
申请日：2023-10-26
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01M3/32
Abstract: 本发明公开了一种水氢氢发电机冷却水箱内漏氢量的测量方法及装置，属于发电机技术领域，目的在于克服现有水氢氢发电机充氮型定子冷却水箱内漏氢量测量存在不准确的缺陷。本发明通过新增气体总量和新增氢气总量两个角度综合测量计算最终漏氢量，同时无需持续打开排气阀，避免了氢气积聚的安全隐患和定子冷却水箱排气管路改造的时间和资金成本，并且能够减少定子冷却水箱内非理想气体分布对漏氢量测量的影响，提高漏氢量测量的准确性。
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公开(公告)号：CN108169702A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810186527.6
申请日：2018-03-07
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 武汉市康达电气有限公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种水内冷发电机专用绝缘电阻表检定平台及检定方法。本发明的检定平台包括高压高阻标准器Rx、双极性电压表V、双极性电流表A、电阻RY、电阻RH、开关K1、绕组接口L、汇水管接口G和机座接口E；所述的双极性电压表V连接在所述的绕组接口L和汇水管接口G之间；所述的双极性电流表A一端接在所述的汇水管接口G，所述的双极性电流表A另一端接在所述开关K1的下端；所述的电阻RY的上端连接在绕组端口L，所述的电阻RY的下端连接在开关K1的上端；所述的电阻RH连接在所述的汇水管接口G和所述的机座接口E之间。本发明使得测试结果更加符合现场工况，更加精确，同时为水内冷发电机专用绝缘电阻表的性能评估提供更完善的保障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119828118A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510154765.9
申请日：2025-02-12
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种海底电缆走向与绝缘性能一体化测试装置及应用其的测试方法，解决现有技术存在的问题，采用的技术方案：包括连接结构体，设置在所述连接结构体上的仪器舱，与仪器舱配合的磁测量阵列，与磁测量阵列配合的电场测量组件，罩设于磁测量阵列和电场测量组件外围的保护筒，保护筒的开口端与仪器舱的壳体配合，使保护筒的内腔为密封内腔，电场测量组件用于测量电场分布，磁测量阵列用于测量磁场分布。基于海底电缆本身电磁信号提取，利用外部探测器在需要的时候进行巡检的方法，通过测量得到空间磁场和电场分布特性来建立电缆走向以及绝缘性之间的关联，进行走向判别和绝缘性评估，为海洋探测提供一种一体化的高效检测技术手段。
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公开(公告)号：CN119534963A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411654590.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种零磁通电流传感器和零磁通绝缘漏电流检测方法，属于漏电检测技术领域。本发明的一种零磁通电流传感器，对传感器铁芯、线圈和电路进行设计，通过设置感应铁芯单元、测量线圈单元和检测电路模块，形成一种零磁通闭环反馈式结构，用于对绝缘漏电流进行检测，从而可以实现微弱交直流泄漏电流的测量，结构简单、实用，便于生产制造。进一步，本发明通过设置第一激励线圈、第二激励线圈和补偿线圈，形成一种磁场调制电流反馈补偿结构，并可以达到磁场平衡，进而实现消噪检测，从而使得本发明的传感器具有测量精度高、抗干扰能力强、性能稳定的优点，因而可以实现几百μA～几mA级的微小电流的检测。
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公开(公告)号：CN113884850A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111098043.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
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公开(公告)号：CN112986782A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202946.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。
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公开(公告)号：CN119571300A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411567169.5
申请日：2024-11-05
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 江东金具设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种ZnFeP‑微粒梯度抗磨蚀化学复合镀层及其制备方法。本发明的ZnFeP‑微粒梯度抗磨蚀化学复合镀层，由表及里分为钝化层、低铁ZnFeP‑微粒化学复合镀层和高铁ZnFeP‑微粒化学复合镀层，形成腐蚀电位由低到高的梯度镀层；所述低铁ZnFeP‑微粒化学复合镀层中铁含量为0.03wt%‑1.0wt%，厚度为8μm‑18μm，硬度为150‑300HV；所述高铁ZnFeP‑微粒化学复合镀层中铁含量为5wt%‑30wt%，厚度为8μm‑18μm，硬度为500～650HV。本发明的ZnFeP‑微粒梯度抗磨蚀化学复合镀层可以使金属构件抗磨损、耐腐蚀，从而明显提高电力金具等金属构件在磨蚀工况中的服役能力。
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