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公开(公告)号：CN108777250B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN109402735B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108777250A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN109402735A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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