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公开(公告)号：CN107805787B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710785172.8
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法。所述方法为：将基板清洗和烘干，然后送入磁控溅射设备真空仓中，进行抽气，使本底真空度达到目标值；设置溅射参数，调控脉冲波形的频率和占空比，在室温下对IGZO靶材进行脉冲直流溅射，得到所述IGZO半导体薄膜。本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲波形，在室温下对同一块IGZO靶材进行脉冲直流溅射，具有工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力，以及能够实现人为调控半导体薄膜特性以应用于不同领域的技术优势。
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公开(公告)号：CN107749423A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710947177.6
申请日：2017-10-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66742
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、聚酰亚胺柔性基底层、SiO2缓冲层、源/漏电极、非晶掺硅氧化锡有源层、SiO2栅绝缘层，Si3N4栅绝缘层和栅极构成；其中，源/漏电极位于有源层和SiO2栅绝缘层两侧，Si3N4栅绝缘层覆盖于SiO2栅绝缘层上表面并与源/漏电极接触。本发明的TFT器件采用非晶掺硅氧化锡作为有源层，并将器件功能层置于层叠结构的中心面，在弯曲时使得功能层受到最低应力或者无应力，无需退火即可获得不错的器件性能，具有较强的抗弯折特性，可促进柔性电子器件的发展。
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公开(公告)号：CN107507866A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710582068.9
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/22
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/22 , H01L29/66522 , H01L29/66742
Abstract: 本发明属于柔性显示器件技术领域，公开了一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述多晶氧化物柔性薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、柔性衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，其中诱导层位于栅极绝缘层一侧。本发明的薄膜晶体管有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，通过诱导层表面的金属离子诱导多晶氧化物半导体晶化，改善结晶性，提升薄膜晶体管的性能，能够在室温下实现高性能的柔性薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN107403832A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710617004.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/0684
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其用途，该薄膜晶体管其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是源电极和漏电极；在本发明的薄膜晶体管中，富铟层提高了载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率；所述的源电极和漏电极含有铜，含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟。本发明的薄膜晶体管使用真空法制备，制备方法简单，有利于大规模生产。所制得的薄膜晶体管同时具有高迁移率、高稳定性和低电阻率源/漏电极的优点。
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公开(公告)号：CN107170833A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710448040.6
申请日：2017-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/428 , H01L29/66969
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，再在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；最后所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明采用全固态激光处理TFT器件，器件性能可达到与热退火处理器件性能相近，有效地节约生产成本。
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公开(公告)号：CN109402735B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108346703A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810078353.1
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/445
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管的技术领域，公开了一种提高溶液法氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法。方法为：在旋涂制备薄膜晶体管的绝缘层时，将低浓度的金属氧化物绝缘层前驱体溶液进行多次旋涂，每一次旋涂完后进行退火处理，得到金属氧化物绝缘层薄膜，薄膜晶体管以该薄膜作为绝缘层；所述金属氧化物绝缘层前驱体溶液的浓度为0～0.3mol/L且不为0。本发明的方法能够减少薄膜晶体管中绝缘层内部的缺陷，提高薄膜晶体管的偏压稳定性。
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公开(公告)号：CN107799608A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711112822.9
申请日：2017-11-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本发明使用电阻率较低的铜来取代传统的铝作为源漏电极材料，所得器件获得了低阻抗延迟的效果，而且通过在器件外表面沉积一层钝化层，会在有源层表面提高载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率。
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公开(公告)号：CN107731930A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710947178.0
申请日：2017-10-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/66227
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法。所述氧化锡基半导体薄膜晶体管由玻璃基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述的有源层为非晶掺硅氧化锡薄膜。本发明以非晶掺硅氧化锡作为有源层，所得TFT器件无需退火即可获得不错的器件性能，有效地节约生产成本。具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107546262A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710581574.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。本发明采用锶铟氧化物作为有源层，仅需要非常低的退火温度就能够大幅度地提升电子的传输效率。
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