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公开(公告)号：CN109524469B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108336135B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810213140.5
申请日：2018-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例的Nd元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Nd‑IZO高载流子浓度有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，可以优化器件的电学性能，以获得高性能的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109887991B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910135861.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、第一层有源层、第二层有源层和源漏电极；其中第一层有源层为硅的质量百分含量为0～3％的硅掺杂氧化锡，第二层有源层为硅的质量百分含量为5～10％的硅掺杂氧化锡。本发明采用硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过搭配不同硅掺杂含量氧化锡有源层材料，制备叠层有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN110228818A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910481472.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域，公开了一种形貌可控大尺寸氧化亚锡晶体材料的制备方法。将SnCl2·2H2O作为溶质，溶解在稀盐酸中，然后滴加NaOH溶液，调节溶液pH值至11.8～12.3，将所得溶液在恒温箱中50～100℃加热处理，得到黑色沉淀物质，用乙醇和去离子水依次洗涤，干燥得到目标产物。本发明提供形貌可控、大尺寸晶体氧化亚锡半导体材料的制备方法，利用溶胶凝胶机理。这种方法实验操作简单，所需的药品都为绿色环保且价格低廉。并且所制得的氧化亚锡晶体形状规则且尺寸大。加热处理采用恒温箱来调控，长出来的晶体尺寸更大，且实现了形貌的可控，效果更为明显。
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公开(公告)号：CN109346242A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811147467.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法，具体制备步骤为：将PVP和乙二醇加入反应器中，加热搅拌溶解；向反应器中加入NaCl乙二醇溶液；在搅拌条件下并加入AgNO3乙二醇溶液，然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min，结束反应后离心分离产物，制得银纳米线，将银纳米线分散于乙醇中；将上述银纳米线乙醇悬浊液离心处理，离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面，随后进行退火处理，得到基于银纳米线的透明电极。本发明通过控制银纳米线的制备工艺与涂布工艺，制得的银纳米线产率达到80％，制得的透明电极平均透过率为91.9％、方阻为45.7Ω/sq。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109130493A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810938139.9
申请日：2018-08-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: B41J2/01 , C09D11/033 , C09D11/03
CPC classification number: B41J2/01 , C09D11/03 , C09D11/033
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，涉及氧化物薄膜的喷墨打印制备工艺，具体涉及一种改善喷墨打印墨水沉积均匀性的方法。所述方法包括以下步骤：打印机基板保持50～60℃，墨滴速度10m/s，喷头不升温，墨滴间距取30～40μm，在衬底上进行多喷头喷墨打印，喷头数量为3～4个；打印结束后退火1h；喷墨打印中使用的墨水溶剂为以体积比1/2～2/1混合的乙二醇与乙二醇甲醚，墨水中还含有相当于所述溶剂质量3～5％的聚乙烯吡咯烷酮，以及浓度为0.1～1.0M的八水合氯氧化锆。相比传统的凝胶模板法，本发明通过对打印机参数的简单改进，解决了非牛顿流体墨水在快干打印工艺中的沉积不均问题。
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公开(公告)号：CN108493237A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810353578.3
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后在基底上通过等离子体增强化学气相沉积制备ITO栅极和Si3N4栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；然后使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；最后在室温下使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到AZO源漏电极透明薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积室温制备AZO源漏电极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。
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公开(公告)号：CN108447790A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810314156.5
申请日：2018-04-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/445 , H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法。将Zr(NO3)4·5H2O溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后在200℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜；然后通过磁控溅射镀IGZO，在200℃下退火处理1h，得到有源层；在有源层上通过磁控溅射源/漏电极，得到基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管。本发明通过Zr(NO3)4·5H2O得到含硝酸基ZrO2绝缘层的前驱体溶液，从而降低溶液法制备氧化锆绝缘层薄膜所需的退火温度，结合溅射工艺得到的有源层，从而可以在较低温度下制备氧化物薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN108231905A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711323516.X
申请日：2017-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种激光处理非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法。在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极并图形化，然后通过阳极氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层，再采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积非晶氧化物半导体薄膜作为有源层，将所得的器件在能量密度范围为40～70mJ/cm2的266nm全固态激光条件下进行照射，最后利用掩膜法在非晶氧化物半导体薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明的TFT器件利用266nm波长的全固态激光器快速处理，无需长时间热退火处理获得器件性能，有效地节约生产成本。
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公开(公告)号：CN109402735B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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