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公开(公告)号：CN108011041B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201610966561.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜及其制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管的稳定性，提升薄膜晶体管的性能。半导体薄膜包括叠层设置的n型半导体层和p型半导体层，以及位于n型半导体层和p型半导体层之间与n型半导体层和p型半导体层接触的自组装层；自组装层的材料为磷酸酯类自组装材料。
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公开(公告)号：CN110657904A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910900701.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 一种基于竖直石墨烯的可拉伸应力传感器,其拉伸率大于50％并能识别音频，能识别频率大于f赫兹的音频，f为100、800或者2500，在50％的拉伸状态下灵敏度因子大于100。竖直石墨烯包含底部平面层和竖直层，还含有高密度网状裂缝，裂缝方向包括横向、竖向和斜向，网状的裂缝将竖直石墨烯分割成多个小块，相邻小块之间通过竖直层电性相连；在拉伸状态下，裂缝变宽，但依然能够通过竖直层桥接，裂缝两侧依然保持电性相连，传感器保持有效。每个小块的平面的平均直径范围为5-20微米。该基于竖直石墨烯的可拉伸应力传感器具有拉伸率高、灵敏度高、能识别音频的特点，相比于其它的可拉伸应力传感器用途更加广泛。
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公开(公告)号：CN110148632A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910414063.4
申请日：2019-05-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 一种巨介电薄膜晶体管，设置有栅极和半导体以及位于栅极和半导体层之间的栅绝缘层。所述栅绝缘层为采用巨介电材料作为栅绝缘层。巨介电材料处于陶瓷块状态时，在频率1kHz下相对介电常数大于10000，巨介电材料处于薄膜状态时，在1kHz下相对介电常数大于500。所述巨介电材料为非铁电陶瓷材料。与离子双电层作为TFT的栅绝缘层相比，本发明的巨介电薄膜晶体管具有频率响应好的优势，反相器频率响应大于500Hz，并且低耗电路，因此在显示器领域中具有良好的应用潜力。同时本发明的巨介电薄膜晶体管采用为非铁电材料制备而成，因此无迟滞现象。
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公开(公告)号：CN108011041A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610966561.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜及其制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管的稳定性，提升薄膜晶体管的性能。半导体薄膜包括叠层设置的n型半导体层和p型半导体层，以及位于n型半导体层和p型半导体层之间与n型半导体层和p型半导体层接触的自组装层；自组装层的材料为磷酸酯类自组装材料。
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公开(公告)号：CN105449109B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201511017376.4
申请日：2015-12-28
Applicant: 工业和信息化部电子第五研究所 , 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及一种模拟太阳光的有机电致发光器件及其制备方法，属于电致发光器件技术领域。该器件包括基板、阳极、阴极和介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层；所述有机功能层包括蓝色荧光层、磷光层和间隔层，所述间隔层将蓝色荧光层与磷光层隔开；所述蓝色荧光层由发光波长小于500nm的非掺杂发光材料制成，所述磷光层包括红色磷光层，所述红色磷光层由发光波长大于585nm的非掺杂发光材料制成，所述间隔层由空穴迁移率大于电子迁移率的空穴型有机半导体材料中的至少一种构成。该有机电致发光器件具有太阳光的CCT特性，并且可通过非掺杂技术制备得到，具有结构简单、制备工艺要求低的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105914150A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610282800.6
申请日：2016-04-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，可采用溶液法制备高迁移率的金属氧化物薄膜晶体管。该薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上制备形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；通过溶液法制备形成所述有源层，所述有源层的材料为氧化锆铟半导体材料。
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公开(公告)号：CN105845832A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610118901.X
申请日：2016-03-03
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明开发出一种新颖的具有CRI> 90的高显色指数的有机电致发光器件，设置有基板、阳极、阴极、以及介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层，以上所有层都采用非掺杂技术制备。所述有机功能层设有发光层，所述发光层数目至少两层，至少一层蓝色荧光层、至少一层红色磷光层，所述两个发光层通过电子型间隔层隔开。该器件采用多色有机发光材料来制备具有太阳光特性的OLED，通过非掺杂技术能够非常有效的简化器件的工艺，降低生产成本，利于器件的商业化。
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公开(公告)号：CN105742342A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610098295.X
申请日：2016-02-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/24 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L29/7869
Abstract: 一种氧化物半导体薄膜及其低温溶液制备方法，薄膜的主要成分为InLiOX，其中X为Cl或F中的至少一种；In:(In+Li)的范围为70%～99%，Li:(In+Li)的范围为1%～30%，X:(In+Li)的范围为0.5%～10%。其制备方法包括，（1）将前驱体溶液涂布形成前驱体薄膜；（2）前烘；（3）将待图形化的前驱体薄膜放入掩膜板中；（4）紫外光照射；（5）浸泡剂浸泡；（6）经浸泡处理后的薄膜进行热处理得到目标氧化物薄膜；（7）重复以上步骤得到需要厚度的成品氧化物薄膜。该氧化物半导体薄膜及其制备方法满足在低温下通过溶液法制备，且该氧化物半导体薄膜的迁移率高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN105552114A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510931171.0
申请日：2015-12-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L29/247 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；所述的有源层是以非晶氧化物SiSnO薄膜作为有源层。本发明基于背沟道刻蚀型薄膜晶体管结构，引入了非晶锡硅氧化物SiSnO作为有源层。该氧化物抗刻蚀能力强，能够大大减少刻蚀源漏电极的过程中对薄膜晶体管背沟道的损伤，且阈值电压较好。使用本发明制作背沟道刻蚀型薄膜晶体管稳定性大大提升，满足了薄膜晶体管产品化的要求，因此具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN105321827A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510705040.0
申请日：2015-10-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一种湿法刻蚀型氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括栅极、栅绝缘层、有源层及源漏电极的制备，在栅极绝缘层上制备有源层，对有源层采用湿法刻蚀图形化后，对图形化的有源层进行退火处理，然后再在退火处理后的有源层上直接制备源漏电极薄膜层，并对源漏电极薄膜层采用湿法刻蚀图形化形成源漏电极。本发明的制备方法解决了源漏电极刻蚀对有源层造成的损伤，且不需要像现有技术中那样制备刻蚀阻挡层增加特殊的光刻工艺，具有制备工艺简单，所制备的薄膜晶体管性能良好。
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