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公开(公告)号：CN118507610A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410378670.0
申请日：2024-03-29
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法。该发光二极管包括：衬底，依次层叠在衬底的第一半导体层、插入层、有源层和第二半导体层；插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层、第五子层、第六子层和第七子层，第一子层至第七子层均为Si掺杂的GaN子层；第一子层中的Si的掺杂浓度低于第三子层，第三子层中的Si的掺杂浓度低于第五子层；第二子层中的Si的掺杂浓度低于第一子层，第四子层中的Si的掺杂浓度低于第三子层，第六子层中的Si的掺杂浓度低于第五子层；第七子层中的Si的掺杂浓度高于第六子层且低于第一子层。
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公开(公告)号：CN118380518A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410378641.4
申请日：2024-03-29
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括：采用第一生长温度且持续第一生长时间，形成具有第一Mg掺杂浓度的第一GaN层；采用第二生长温度且持续第二生长时间，形成具有第二Mg掺杂浓度的第二GaN层；采用第三生长温度且持续第三生长时间，形成具有第三Mg掺杂浓度的第三GaN层；采用第四生长温度且持续第四生长时间，形成具有第四Mg掺杂浓度的第四GaN层；第一生长温度至第四生长温度逐渐升高，第一生长时间至第三生长时间逐渐增加，第一Mg掺杂浓度至第四Mg掺杂浓度逐渐升高。本公开实施例能保证LED的质量较好的同时，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN118380517A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410369931.2
申请日：2024-03-29
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法。该方法包括：在衬底上制作GaN填平层；在所述GaN填平层上制作第一GaN子层，所述第一GaN层的生长温度低于所述GaN填平层的生长温度；在所述第一GaN子层上制作第二GaN子层，所述第二GaN子层的生长压力低于所述第一GaN子层的生长压力；在所述第二GaN子层上制作第三GaN子层，所述第三GaN子层的生长速度低于所述第二GaN子层的生长速度，所述第三GaN子层中掺杂有Si，所述第一GaN子层、所述第二GaN子层和所述第三GaN子层形成应力释放层；在所述应力释放层上依次制作第一半导体层、有源层和第二半导体层。
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公开(公告)号：CN118248806A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410169477.6
申请日：2024-02-06
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种具有低翘曲变化的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：第一半导体层、以及依次设置在第一半导体层一面的有源层和第二半导体层；第一半导体层包括非掺杂子层和多个掺杂子层，多个掺杂子层依次设置在非掺杂子层的一面，对于任意相邻两个掺杂子层，第一个掺杂子层的Si掺杂浓度范围的最小值，大于第二个掺杂子层的Si掺杂浓度范围的最小值，第一个掺杂子层的Si掺杂浓度范围的最大值，大于第二个掺杂子层的Si掺杂浓度范围的最大值。本公开能够有效的降低翘曲变化。
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公开(公告)号：CN118039748A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410005232.X
申请日：2024-01-02
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善抗静电能力的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、成核层、填平层和外延层，填平层的生长方式包括：依次进行多个工艺阶段，各工艺阶段均包括依次进行的第一生长阶段和第二生长阶段，第一生长阶段包括控制生长温度为第一温度，控制石墨盘转速为第一转速，第二生长阶段包括控制生长温度从第一温度降低至第二温度，控制石墨盘转速保持第一转速；其中，相邻的两个工艺阶段中，后一个工艺阶段的第一温度大于前一个工艺阶段的第二温度，后一个工艺阶段的第一转速大于前一个工艺阶段的第一转速。本公开实施例能提升填平层的制备质量，提升发光二极管的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN118039747A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410004203.1
申请日：2024-01-02
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上生长缓冲层、成核层、填平层和外延层，所述成核层为三维岛状结构，所述填平层用于填平所述成核层的远离所述衬底的表面；所述成核层的生长方式包括：交替进行多个升温阶段和多个降温阶段，在相邻的所述升温阶段和所述降温阶段中，降温阶段的生长温度低于升温阶段的生长温度，且任意所述降温阶段的生长温度不低于第一个升温阶段的生长温度。本公开实施例能降低成核层的应力，改善发光二极管翘曲的问题。
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公开(公告)号：CN117650209A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311424228.9
申请日：2023-10-31
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种具有微结构层的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：微结构层，以及依次生长在微结构层一面的第一N型半导体层、第一有源层和第一P型半导体层；微结构层朝向第一N型半导体层的一面具有多个凹孔，多个凹孔相互间隔排布。本公开能够有效的缓解发光二极管在机械加工或组装过程中的外形变应力。
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公开(公告)号：CN115832121A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211242847.1
申请日：2022-10-11
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/36 , H01L21/285
摘要： 本公开提供了一种改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管制备方法包括：提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域；在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层；在所述开口中蒸镀形成电极。本公开能改善电极对电流阻挡层和透明导电层的包覆性。
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公开(公告)号：CN112993097B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110084111.5
申请日：2021-01-21
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型GaN层与多量子阱层之间插入第一AgGaN插入层，第一AgGaN插入层中的AgGa金属化合物，又可以实现对电子进行有效捕捉，在保持第一AgGaN插入层较薄的前提下，有效阻挡电子并合理控制整体成本。而位于多量子阱层上的第二AgGaN插入层，则可以对多量子阱层内的电子做进一步的限制，减小多量子阱层中电流溢流至p型GaN层内消耗空穴的情况出现，空穴具有更多的时间可以进入多量子阱层，且同时避免了空穴被溢出的电子无意义消耗，进入多量子阱层内的空穴数量大幅度增加，有效提高发光二极管的发光效率。
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