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公开(公告)号：CN118486769A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410339866.9
申请日：2024-03-25
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：衬底，依次层叠在所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述有源层包括依次层叠的应力释放层和发光层，所述应力释放层包括依次层叠的第一前级有源层、第一插入层、第二前级有源层和第二插入层；所述第一前级有源层中的In的组分含量高于所述第一插入层、所述第二前级有源层和所述第二插入层的In的组分含量，所述第一插入层中的In的组分含量高于所述第二插入层的In的组分含量，所述第一前级有源层中的In的组分含量低于所述发光层的In的组分含量。
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公开(公告)号：CN117936672A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311653699.7
申请日：2023-12-05
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括：N型半导体层以及依次位于N型半导体层上的多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括沿远离多量子阱层的方向依次层叠的掺杂Mg的第一GaN层、未掺杂Mg的第二GaN层和掺杂Mg的第三GaN层；第三GaN层包括交替层叠的多个具有第一Mg掺杂浓度的第一子层和多个具有第二Mg掺杂浓度的第二子层，第二Mg掺杂浓度大于第一Mg掺杂浓度。本公开实施例能提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN117810319A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311520102.1
申请日：2023-11-15
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种非极性GaN基的发光二极管芯片及其制作方法，属于光电子技术领域。该芯片包括：非极性的第一GaN层、掩膜层、外延叠层、第一电极和第二电极。所述掩膜层位于所述第一GaN层的生长面，所述生长面垂直于所述第一GaN层的生长方向。所述外延叠层包括依次层叠的非极性的第二GaN层、有源层和第三GaN层，所述第二GaN层与所述掩膜层和所述第一GaN层连接，所述有源层和所述第三GaN层分别与所述掩膜层连接；所述第一电极贯穿所述掩膜层并与所述第一GaN层连接，所述第二电极与所述第三GaN层连接。本公开能提高非极性GaN基的发光二极管芯片的质量及性能。
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公开(公告)号：CN117410328A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311265954.0
申请日：2023-09-27
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/20
摘要： 本公开提供了一种功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。该功率半导体器件，包括：衬底和在衬底的一面依次生长的第一半导体层、复合层和第二半导体层；复合层包括AlN层和多个GaN柱，多个GaN柱位于AlN层内，多个GaN柱相互间隔，且沿复合层的生长方向延伸。本公开能够在厚度一定的情况下，有效的提高功率半导体器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN116885055A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310815681.6
申请日：2023-07-05
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：向反应腔内通入Ga源，以在衬底的表面生长GaN层；停止通入所述Ga源持续第一时长；通入Al源持续第二时长，使Al源与所述GaN层反应形成第一AlGaN层；通入所述Ga源和所述Al源，在所述第一AlGaN层的基础上继续生长第二AlGaN层，得到缓冲层。本公开实施例能释放缓冲层内的应力，改善缓冲层容易出现翘曲的问题。
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公开(公告)号：CN116859648A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310594322.2
申请日：2023-05-24
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： G02F1/1675 , H01L27/15 , H01L33/44 , H01L33/00 , G02F1/1676 , G02F1/1685 , G02F1/167 , G09G3/34 , G09G3/32
摘要： 本公开提供了一种显示面板及其显示方法、显示装置，属于显示器件领域。所述显示面板包括衬底以及位于衬底上的多个像素单元，每个像素单元包括，位于衬底上的LED子单元和第一电子墨水子单元、以及覆盖LED子单元和第一电子墨水子单元的钝化层；LED子单元包括依次层叠在衬底上的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，以及位于第一导电型半导体层上的第一电极和位于第二导电型半导体层上的第二电极；第一电子墨水子单元包括依次层叠在衬底上的第一像素电极、阻光层、第一电子墨水微球、导光层和第二像素电极，以及一端与第一像素电极连接、另一端穿过阻光层和导光层的电极延伸部。
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公开(公告)号：CN114395797B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111423875.9
申请日：2021-11-26
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种高阻硅外延片生长方法及生长设备，属于半导体器件制备技术领域。先对高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理，F等离子体对高阻硅衬底的表面进行处理，一方面F等离子体不易渗入高阻硅衬底中出现高阻硅衬底电性出现问题的情况；另一方面F等离子体可以增强高阻硅衬底表面的电负性。在后续N等离子体处理的过程中，N等离子体处理与F等离子体处理在高阻硅衬底的表面可以形成非常致密且绝缘的保护层。有效避免了后续生长的AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体中Al原子或Ga原子混合或者掺杂进高阻硅衬底中，保证了高阻硅衬底的绝缘状态，减少了高阻硅衬底的寄生电容区，降低了射频器件在应用中引入的损耗。
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公开(公告)号：CN115332145A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210729159.1
申请日：2022-06-24
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/68
摘要： 本公开提供了一种芯粒转移装置及方法，属于显示面板制造领域。该芯粒转移装置包括基座、输料组件和光镊组件；基座具有用于放置驱动面板的支撑面，基座内具有电磁线圈；输料组件的输料口朝向基座的支撑面；光镊组件与输料组件位于基座的同一侧，光镊组件被配置为，驱动输料组件输出的芯粒进入驱动面板的对应孔位中。本公开能够高效的完成巨量转移。
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公开(公告)号：CN118398739A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410317907.4
申请日：2024-03-20
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种用于释放外延材料应力的衬底和发光二极管，属于光电子制造技术领域。该衬底包括基底和位于所述基底的表面的多个凸起，所述多个凸起间隔排布；所述凸起的至少部分为氧化硅材料，所述凸起为氧化硅材料的部分至少位于所述凸起的远离所述基底的一端。本公开能释放衬底上生长的外延层的应力，改善外延层容易出现裂纹的问题。
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