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公开(公告)号：CN116887648A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311091651.1
申请日：2023-08-28
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能集团技术创新中心有限公司
摘要： 本申请提供了一种介孔钙钛矿电池的制备方法及介孔钙钛矿电池，该制备方法包括：提供导电基底，在导电基底上依次形成电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层、电极。电子传输层包括致密层和介孔层，介孔层内部具有多个空腔。该制备方法还包括制备钙钛矿活性层之前，向介孔层的空腔注入钙钛矿前驱液，之后加热干燥去除钙钛矿前驱液中的溶质，保留钙钛矿活性物质于空腔中，再在介孔层背离导电基底的一侧形成钙钛矿活性层。由此可见，该制备方法包括在介孔层的空腔中填充钙钛矿活性物质，之后再在介孔层上沉积钙钛矿活性层，可以避免由于介孔层与钙钛矿前驱液浸润性差导致孔洞的存在，从而该制备方法可以改善制得的钙钛矿电池的性能。
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公开(公告)号：CN116669509A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310666327.1
申请日：2023-06-06
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能集团技术创新中心有限公司
摘要： 本申请提供了一种钙钛矿薄膜的制备方法以及钙钛矿太阳能电池，该制备方法包括：在支撑结构上形成具有预设高度的无机骨架，无机骨架由第一组分组成，并且内部具有多个第一孔洞，向多个第一孔洞中填充包括第二组分的前驱液，利用高温退火使得无机骨架的第一组分与第一孔洞中的第二组分反应形成钙钛矿薄膜。该制备方法利用具有预设高度的无机骨架的第一组分与第一孔洞中的第二组分进行反应即可形成钙钛矿薄膜，因此制得的钙钛矿薄膜的厚度与无机骨架的高度有关，且呈正相关，从而可以通过控制无机骨架的高度，以控制最终形成的钙钛矿薄膜的厚度，而不受钙钛矿薄膜面积的限制，从而在利用该制备方法可以制得厚度较厚的钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN220402263U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202321350698.0
申请日：2023-05-30
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能集团技术创新中心有限公司
摘要： 本申请公开了一种封装的钙钛矿太阳能电池组件，包括基板、背板和钙钛矿电池，基板的第一面设置有导电层；钙钛矿电池设置于第一面；且钙钛矿电池位于背板和基板之间形成的封装腔内，封装腔填充有甲胺气体。本申请提供的钙钛矿太阳能电池组件通过合理的结构设计，能够有效抑制钙钛矿材料析出甲胺，从而提升钙钛矿太阳能电池的稳定性，有利于延长电池器件的寿命。
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公开(公告)号：CN220693636U
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202321725471.X
申请日：2023-07-03
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能集团技术创新中心有限公司
发明人： 蔡子贺 , 赵志国 , 李卫东 , 赵东明 , 张赟 , 赵政晶 , 刘云 , 蔺子甄 , 周养盈 , 王兴涛 , 张迟 , 熊继光 , 王力军 , 赵建勇 , 刘庆伏 , 叶林 , 王建国 , 冯笑丹 , 王森 , 张华
IPC分类号： H10K30/80 , H10K30/88 , H10K30/50 , H01L31/048
摘要： 本申请提供了一种钙钛矿光伏组件和光伏设备，该钙钛矿光伏组件包括：基底，位于基底表面的钙钛矿电池，位于钙钛矿电池背离基底一侧的盖板。位于基底表面沿第一方向延伸的第一胶层，其与盖板相接形成一腔体，钙钛矿电池位于该腔体中，并与第一胶层粘接。位于基底表面且位于第一胶层背离钙钛矿电池一侧的铅离子传感器，还与第一胶层粘接。由上述可知，该钙钛矿光伏组件配备有铅离子传感器，并且该铅离子传感器位于第一胶层背离钙钛矿电池的一侧，使得钙钛矿电池中的铅离子穿过第一胶层溢出时，即发生铅离子泄漏时，会被铅离子传感器检测到，进而使得该钙钛矿光伏组件能够实现对铅离子泄漏的监测，有助于缓解用户对于铅离子泄漏的顾虑。
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公开(公告)号：CN114156370B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111469770.7
申请日：2021-12-03
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0465 , H01L31/0463 , H10K39/15 , H10K71/00
摘要： 本申请提供一种太阳能电池器件及其制造方法，第一刻划线、第二刻划线和第三刻划线为同心圆环，多个电池单元沿径向排布。也就是说，本申请实施例中，对太阳能电池器件的刻划不再使用相互平行的多条直线，而是通过同心圆环的多个刻划线实现器件的划分，从而适应在径向上存在差异的薄膜材料层，能够兼容难以实现均匀成膜的工艺，避免各个电池单元差异较大而导致的串联后性能较差以及可靠性较低的问题。对太阳能电池器件的刻划根据功能材料层的电致发光亮度确定，从而使各个电池单元的电致发光亮度接近，从而使各个电池单元具有接近的光电转化性能，进一步兼容难以实现均匀成膜的工艺。
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公开(公告)号：CN116669435A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310699140.1
申请日：2023-06-13
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种基于层状二维材料与三维铯铅溴钙钛矿的太阳能电池及其制备方法，包括依次设置的基底、空穴传输层、三维CsPbBr3钙钛矿、层状二维过渡金属硫化物、电子传输层和电极。本发明将层状二维过渡金属硫化物堆叠到三维CsPbBr3钙钛矿表面，原子层级平整的层状二维材料有效隔绝水氧对钙钛矿层的破坏；过渡金属硫化物能有效吸收700nm以下的短波部分，提高器件对太阳光谱的利用率；二维过渡金属硫化物材料对三维CsPbBr3钙钛矿中电子的快速提取能增强电子从钙钛矿层到电子传输层的传输性能；二维过渡金属硫化物材料中的空穴能有效被钙钛矿层提取并传输至空穴传输层，进一步提升器件电流密度。
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公开(公告)号：CN116546864A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310512090.1
申请日：2023-05-08
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
IPC分类号： H10K71/12 , H10K85/50 , H01L31/18 , H01L31/0264
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿薄膜制备方法和钙钛矿薄膜制备装置。该钙钛矿薄膜制备方法包括步骤：S1：通过卷对卷设备将需要制备钙钛矿膜层的基底浸入钙钛矿无机成分前驱体溶液中，在基底上进行第一次化学沉积；S2：通过卷对卷设备将沉积有钙钛矿无机成分前驱体溶液的基底输送至第一加热组件，进行加热固化，得到无机成分固化薄膜；S3：通过卷对卷设备将步骤S2中得到的无机成分固化薄膜浸入钙钛矿有机成分前驱体溶液中，在无机成分固化薄膜上进行第二次化学沉积；S4：通过卷对卷设备将步骤S3中形成的沉积有钙钛矿有机成分前驱体溶液的基底输送至第二加热组件，通过第二加热组件将沉积有钙钛矿有机成分前驱体溶液的基底进行加热固化，形成钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN116535852A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310624525.1
申请日：2023-05-30
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
摘要： 本发明涉及复合材料技术领域，具体涉及一种导电态聚苯胺复合材料及其制备方法。本发明的导电态聚苯胺复合材料包括：氮化钛/二氧化钛/碳复合材料；以及设置在氮化钛/二氧化钛/碳复合材料表面的导电态聚苯胺；所述氮化钛/二氧化钛/碳复合材料包括：碳层；设置在碳层上的二氧化钛纤维；设置在二氧化钛纤维表面的氮化钛层。与现有技术相比，本发明的导电态聚苯胺复合材料包含导电态聚苯胺/氮化钛界面、氮化钛/二氧化钛界面和二氧化钛/碳界，多种界面结构的引入打破了复合热电材料塞贝克系数和电导率的耦合关系，进而大幅度提高了材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN113258006B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110519044.5
申请日：2021-05-12
申请人： 华能新能源股份有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种含有栅线的钙钛矿电池结构，属于钙钛矿太阳能薄膜电组件领域，从下至上依次包括玻璃基板、透明导电薄膜、第一传输层和钙钛矿吸收层、第二传输层和金属电极层，玻璃基板上与透明导电薄膜接触的一面开设有凹槽，凹槽内沉积有栅线。通过在玻璃基板表面刻蚀形成凹槽，埋入金属栅线的方式，解决了常规制备栅线表面凸起导致的后续镀膜不均匀和难以刮涂的技术难题。通过将栅线埋入玻璃内部，避免了栅线的高度导致的玻璃基板不平，有利于后续的刮涂、磁控和蒸镀等工序形成均匀的膜层。
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公开(公告)号：CN115274931A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210951304.0
申请日：2022-08-09
申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种具有P1线槽的导电基底的制备方法，包括：提供一基底，所述基底的表面包括互补的第一区域和第二区域；在所述基底的第一区域上形成光刻胶，所述第一区域为所述基底上需要形成P1线槽的区域；在所述基底的第二区域上形成导电层；去除所述光刻胶，形成所述P1线槽。该制备方法在基底上形成导电层和P1线槽时，无需对导电层进行划刻处理，也就避免了现有技术中对导电层进行划刻处理形成P1线槽所带来的缺陷，进而减少对后续沉积膜层质量的影响；当该导电基底用于太阳能电池的制作时，还会减小对电池电荷传输和效率的影响。
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