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公开(公告)号：CN117270322A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311184949.7
申请日：2023-09-14
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
摘要： 本申请公开了一种光刻洗边工艺的监控方法和系统，该方法包括：对晶圆进行缺角预校准；量测晶圆的切边数据，切边数据是对晶圆进行光刻洗边工艺后进行量测得到的数据；获取晶圆中至少两个区域的切边数据；根据至少两个区域的切边数据对涂胶显影设备的机械手臂的运动轨迹进行补偿。本申请通过在光刻洗边工艺中，在进行工艺前先对晶圆进行缺角预校准，在进行工艺后通过获取晶圆中至少两个区域的切边数据对涂胶显影设备的机械手臂的运动轨迹进行补偿，解决了由于传送机械手臂的行程误差导致晶圆位置存在偏差的问题，提高了晶圆洗边的均匀性。
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公开(公告)号：CN115228826A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210748392.4
申请日：2022-06-29
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
摘要： 本发明属于微电子加工制造技术领域，尤其涉及一种清洗时序控制方法、装置、介质、模组及涂胶设备；本发明方法实施例通过优化设备转速和清洗/维护时间，达到了清洗不同区域、污染状态残胶的效果；具体地，通过逐阶段或工况设置不同的清洗间隔时间、转速等工艺参数，使得清洗效能、化学品用量、清洁时间和产能等得到优化。
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公开(公告)号：CN112198766A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011096036.6
申请日：2020-10-14
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本申请公开了一种异味去除装置和涂胶显影机台，该装置包括：挡板，其悬挂于涂胶显影机台的背面散发异味的位置；挂钩，其设置于所述挡板上，用于将挡板悬挂在散发异味的位置；出气管，其设置于挡板上，其一端通孔与散发异味的位置连通，其通孔的另一端与排气管的一端连接，排气管的另一端与I线光刻设备所在的厂房的排气系统连接；其中，挡板上设置有通孔，该通孔用于分配挡板内侧的气体压力。本申请该装置通过通孔能够分配挡板内侧气体压力，通过出气管和排气管能够将散发异味的气体输出至排气系统，从而能够较为彻底地去除I线光刻工艺的涂胶显影机台背面散发的异味。
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公开(公告)号：CN114985149A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210597515.9
申请日：2022-05-30
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC分类号： B05B12/08
摘要： 本申请公开了一种供液系统，其用于向半导体制造业中的生产系统提供特定液体材料，该特定液体材料为光刻胶、顶部抗反射涂层或聚酰亚胺，该系统包括：存储罐，其用于存储特定液体材料；至少一个缓存罐，每个缓存罐用于缓存从存储罐中输送的特定液体材料，在缓存的过程中，当需要对缓存罐进行抽真空处理时，通过真空系统对缓存罐进行抽真空处理，使缓存罐内部的压力降至预设气压以下；控制器，用于对加压系统、供给系统和真空系统进行控制，加压系统是与存储罐和缓存罐连接用于施加气压的管道系统，供给系统是与存储罐和缓存罐连接用于流通特定液体材料的管道系统，真空系统是与缓存罐连通用于对缓存罐进行抽真空处理的管道系统。
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公开(公告)号：CN117492327A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311363750.0
申请日：2023-10-20
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
摘要： 本申请涉及半导体集成电路技术领域，本申请涉及一种晶片边缘残胶去除方法。晶片边缘残胶去除方法包括以下步骤：将完成光刻胶涂布工艺后的晶片置于洗边装置的机台上；洗边装置的喷淋头喷淋洗边溶剂的同时从开始位置向机台靠近直至喷淋头对准晶片的边缘；在机台以第一转速转动的状态下，喷淋头向晶片的边缘喷淋第一时长的洗边溶剂；喷淋头离开机台回到开始位置后再次靠近机台；在喷淋头离开机台的时刻机台提速至第二转速，在喷淋头离开机台回到开始位置后再次靠近机台的期间内机台以第二转速保持转动；喷淋头回到对准晶片边缘位置处；在机台以第一转速转动的状态下，喷淋头向晶片的边缘喷淋第二时长的洗边溶剂。
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公开(公告)号：CN115274470A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210875036.9
申请日：2022-07-25
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
摘要： 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种晶片非感光聚酰亚胺层制作方法。所述晶片非感光聚酰亚胺层制作方法包括以下依次进行的步骤：在晶片上涂布非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤；对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。本申请提供了的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，可以解决相关技术在制作非感光聚酰亚胺层时，聚酰亚胺溢流至加热板上，沾污该加热板，使得后续对其他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。
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公开(公告)号：CN111645031B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010465029.2
申请日：2020-05-28
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC分类号： B25B27/14
摘要： 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光阻喷嘴更换装置。光阻喷嘴更换装置包括：轴套组件，轴套组件包括同轴设置的花键外轴套和内嵌轴套，内嵌轴套内部中空，内嵌在花键外轴套中；在周向上内嵌轴套与花键外轴套啮合，在轴向上内嵌轴套能够相对于花键外轴套作伸缩动作；传动底座，传动底座设于轴套组件的下端，与内嵌轴套的下端传动连接，通过带动内嵌轴套转动从而带动花键外轴套转动，并能够推动内嵌轴套在轴向上相对于花键外轴套作伸缩动作。本申请提供了一种阻喷嘴更换装置，可以解决相关技术中需要通过手动更换光阻喷嘴效率低的问题。
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公开(公告)号：CN118768164A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410781857.5
申请日：2024-06-17
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
摘要： 本申请公开了一种光阻流量的监控方法和监控系统，该系统包括：信息采集转换器，用于获取至少两组流量信息组，每组流量信息组包括光阻流量信息以及获取光阻流量信息的监控时间，该光阻流量信息是传感器监控涂胶机台的每根作业管道进行涂胶作业时得到的信息，光阻流量信息用于指示作业管道在喷涂光阻时的流量；同步服务器，用于获取至少两组作业信息，每组作业信息包括作业时间和作业管道信息，根据监控时间和作业时间得到匹配信息，该匹配信息包括每组流量信息组和其对应的作业管道信息；控制设备，用于根据匹配信息确定是否存在具有流量故障的作业管道。
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公开(公告)号：CN113093474B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110346334.4
申请日：2021-03-31
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
摘要： 本发明公开了一种光刻胶涂布设备的管路气泡消除方法，包括：步骤S1，使光刻胶涂布设备工作一预设时间；步骤S2，定位静电聚集部，所述静电聚集部位于光刻胶输送管路表面和/或光刻胶储存容器表面；步骤S3，安装静电消除装置，所述静电消除装置包括至少一根导电装置，将所述导电装置的一端粘贴在所述静电聚集部，将所述导电装置的另一端固定在光刻胶涂布设备外壳的接地点。
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公开(公告)号：CN113093474A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110346334.4
申请日：2021-03-31
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
摘要： 本发明公开了一种光刻胶涂布设备的管路气泡消除方法，包括：步骤S1，使光刻胶涂布设备工作一预设时间；步骤S2，定位静电聚集部，所述静电聚集部位于光刻胶输送管路表面和/或光刻胶储存容器表面；步骤S3，安装静电消除装置，所述静电消除装置包括至少一根导电装置，将所述导电装置的一端粘贴在所述静电聚集部，将所述导电装置的另一端固定在光刻胶涂布设备外壳的接地点。
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