公开(公告)号：CN1484853A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02803622.0

申请日：2002-01-14

Applicant: 单片集成电路半导体两合股份有限公司

Inventor： 达格·贝哈莫尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/66462

Abstract: 具有横截面为T形的金属接触电极的半导体器件的制造方法，特别是具有T形栅场效应晶体管的半导体件的制造方法，其中借助在材料边缘上形成隔离层实现栅基和栅头的自调位置。

公开(公告)号：CN1251313C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN02803622.0

申请日：2002-01-14

Applicant: 单片集成电路半导体两合股份有限公司

Inventor： 达格·贝哈莫尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/66462

Abstract: 具有横截面为T形的金属接触电极的半导体器件的制造方法，特别是具有T形栅场效应晶体管的半导体件的制造方法，其中借助在材料边缘上形成隔离层实现栅基和栅头的自调位置。

公开(公告)号：CN1447985A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814189.7

申请日：2001-08-01

Applicant: 单片集成电路半导体两合股份有限公司

Inventor： 达格·贝哈莫尔

IPC: H01L27/01 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/822 ,  H01L27/016 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明涉及在衬底上制造无源元件的方法。所述方法允许以低水平的复杂性和良好的结果在衬底上制造不同元件，特别是高电阻和低电阻值电阻器元件和/或具有每单位长度高电容的电容器元件和具有每单位长度低电容的电容器元件。特别是在决定性构形的情况下，可大程度地省去卸下工艺，并且可以用选择方式对元件进行干和/或湿化学刻蚀。