公开(公告)号：CN108565213A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810079084.0

申请日：2018-01-26

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 闫未霞

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： H01L21/28587

摘要： 本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，包括以下步骤：S1、在半导体基板上涂布第一光阻层，并形成第一下层根部腔体；S2、进行烘烤热变形，形成具有圆弧边角的第一下层根部腔体；S3、对第一下层根部腔体表面进行全曝光；S4、涂布一层水溶性微缩层，进行所述微缩层扩散烘烤，形成表面具有扩散微缩层厚度的扩散微缩层；S5、水洗以去除光酸未扩散的微缩层材料，形成了第二下层根部腔体；S6、低功率离子轰击以形成表面反应聚合物隔离层；S7、形成上层头部腔体；S8、沉积栅极金属层并剥离。本发明通过热变形、全曝光、微缩层扩散及低功率离子轰击的步骤，进一步缩短了T型栅的栅长。

公开(公告)号：CN105164811B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201480016477.7

申请日：2014-02-13

申请人： 创世舫电子有限公司

发明人： 斯拉班缇·乔杜里 ,  乌梅什·米什拉 ,  尤瓦扎·多拉

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/28593 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种III‑N半导体HEMT器件，其包括在III‑N材料结构上的电极界定层。该电极界定层具有凹进部，该凹进部具有接近于漏极的第一侧壁和接近于源极的第二侧壁，每个侧壁都包括多个台阶。远离III‑N材料结构的凹进部的部分比接近III‑N材料结构的凹进部的部分具有更大的宽度。电极在凹进部中，该电极包括在第一侧壁上方的延伸部分。电极界定层的一部分在延伸部分和III‑N材料结构之间。第一侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第一有效角，第二侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第二有效角，第二有效角大于第一有效角。

公开(公告)号：CN105493246B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201480022203.9

申请日：2014-03-20

申请人： 于利奇研究中心有限公司

发明人： M.米库利克斯 ,  H.哈特德根 ,  D.格吕茨马歇尔

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L23/528 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66856 ,  H01L29/765 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408

摘要： 本发明涉及具有改善传导能力的高频导体。它包括至少一个导电的基础材料。根据本发明基础材料的可由电流穿透外部和内部表面对基础材料的总体积的比例通过a）基础材料垂直于电流方向分成至少两个节段，该至少两个节段通过导电的插件分隔以及电和机械彼此相连，和/或b）在基础材料的表面中或上的地形结构和/或c）基础材料的至少一个部分的内部多孔性比较基础材料的成型提高，在成型中省略相应特征。可认识到，可通过成型有关的措施如此空间上布置相同数量的基础材料，使得较大部分的基础材料位于从外部或内部表面的最高的趋肤深度的距离并且因此参与电流传输。因此较小部分由于趋肤效应保持未使用。

公开(公告)号：CN104576742B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201410772862.6

申请日：2010-08-20

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 储荣明 ,  罗伯特·科菲

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及III‑N器件及其形成方法。描述了一种III‑N器件，其具有III‑N材料层，位于III‑N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III‑N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层的相反侧上的电极限定层。凹陷形成在电极限定层中。电极形成在凹陷中。绝缘体能够具有精确控制的厚度，尤其是在电极和III‑N材料层之间。

公开(公告)号：CN104882373A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510199007.5

申请日：2015-04-24

申请人： 石以瑄 ,  石宇琦 ,  邱树农 ,  韩露 ,  邱星星

发明人： 石以瑄 ,  杨光宇 ,  邱树农 ,  韩露 ,  石恩地 ,  邱星星 ,  石宇琦

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/335 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  G03F7/2037 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28587

摘要： 本发明提出了一种用于微波、毫米波集成电路的高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法。该方法的特点之一是利用两次散焦来形成T形栅的结构以增强其机械强度和可靠性，特点之二是在制造过程中采用了微缩步骤和热变形步骤以减少T形栅的根部腔体的尺寸，从而制造出了较小栅极长度的T形栅。

公开(公告)号：CN102598275B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080048522.9

申请日：2010-08-20

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 储荣明 ,  罗伯特·科菲

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 描述了一种III-N器件，其具有III-N材料层，位于III-N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III-N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层的相反侧上的电极限定层。凹陷形成在电极限定层中。电极形成在凹陷中。绝缘体能够具有精确控制的厚度，尤其是在电极和III-N材料层之间。

公开(公告)号：CN102598275A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048522.9

申请日：2010-08-20

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 储荣明 ,  罗伯特·科菲

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 描述了一种III-N器件，其具有III-N材料层，位于III-N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III-N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层的相反侧上的电极限定层。凹陷形成在电极限定层中。电极形成在凹陷中。绝缘体能够具有精确控制的厚度，尤其是在电极和III-N材料层之间。

公开(公告)号：CN1192587A

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：CN98100840.2

申请日：1998-02-20

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 田边充

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7784

摘要： 场效应晶体管是在铁掺杂的半绝缘性铟磷衬底上,顺次层叠由未掺杂铟0.52铝0.48砷构成的第一缓冲层,具有未掺杂铟0.52铝0.48砷和未掺杂铝0.25镓0.75砷的超晶格结构的第二缓冲层,由未掺杂铟0.52铝0.48砷构成的第三缓冲层,由未掺杂铟0.53镓0.47砷构成的沟道层,由未掺杂铟0.52铝0.48砷构成的间隔层,硅的δ掺杂层,未掺杂铟0.52铝0.48砷构成的肖特基层。在肖特基层上形成具有凹槽结构的管底层。在管底层上形成源极电极以及漏极电极,管底层的凹槽区域形成栅极电极。

公开(公告)号：CN105789296A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201511016882.1

申请日：2015-12-29

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 任春江 ,  陈堂胜

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/246 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/454 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/778 ,  H01L29/0843

摘要： 本发明揭示了一种具有铝镓氮化合物插入层应变平衡的氮化物高迁移率晶体管。按照包括：衬底和位于衬底上的GaN缓冲层；AlyGa1?yN插入层位于GaN缓冲层上；与GaN缓冲层相对的位于AlyGa1?yN插入层上的AlxGa1?xN势垒层；位于AlxGa1?xN势垒层上的GaN帽层；GaN帽层和部分厚度的AlxGa1?xN势垒层被去除形成凹槽，凹槽中提供“Г”型源电极和漏电极；栅电极位于源电极和漏电极之间。按照本发明的另一个实施例，在AlxGa1?xN势垒层和GaN帽层之间还包含了一AlzGa1?zN插入层。本发明的优点：采用高Al组分AlGaN插入层实现AlN插入层的性能，使工艺可控性更强；引入“Г”型源电极和漏电极便于形成欧姆接触，同时结合GaN帽层可更好的对外延层整体应力进行控制，保证器件可靠性同时使性能最优化。

公开(公告)号：CN1606139B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410080087.4

申请日：2004-09-24

申请人： 英特尔公司

发明人： 彼得·J·汉贝里

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01S5/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L21/28587

摘要： 本发明提供了一种用于提供低电阻互连的方法和装置。在牺牲层中靠近有源层界定孔洞。在孔洞中以及牺牲层与孔洞相邻的部分上形成过度生长层。在过度生长层中界定脊部分，并去除牺牲层的一些部分，以在脊部分下方的过度生长层中界定轴部分。所述脊部分具有比所述轴部分更大的横向尺寸，以减小有源层和将要被电耦合到脊部分的电互连之间的电阻。