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公开(公告)号：CN104134694A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410184065.6
申请日：2014-05-04
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/404 , H01L21/31144 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66871 , H01L29/78 , H01L29/812
摘要： 一种半导体器件(100)形成有在至少三个相继区域(104)(106)(108)和(110)上的阶梯式场板(134)，其中该阶梯式场板之下的每个区域中的总电介质厚度与前一区域相比至少厚10％。每个区域中的总电介质厚度是一致的。该阶梯式场板被形成在至少两个电介质层(116)和(122)之上，所述至少两个电介质层之中的至少总数减一数目的电介质层被图案化，以使得该阶梯式场板的一个或多个区域中的至少一部分图案化电介质层被移除。
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公开(公告)号：CN1638149A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410103700.X
申请日：2004-12-27
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/41 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66871 , H01L21/28 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/8128
摘要： 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。
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公开(公告)号：CN108962822A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710355416.9
申请日：2017-05-19
发明人： 周飞
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088
CPC分类号： H01L29/66803 , H01L21/30625 , H01L29/0638 , H01L29/1083 , H01L29/66545 , H01L29/66871 , H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L27/0886
摘要： 本申请公开了一种半导体装置以及制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底，在该衬底上的半导体鳍片，以及在该半导体鳍片上的伪栅极结构，该伪栅极结构包括：在该半导体鳍片表面上的伪栅极电介质层和在该伪栅极电介质层上的伪栅极；在该半导体结构上形成层间电介质层；对形成层间电介质层之后的半导体结构执行平坦化，以露出伪栅极的上表面；以及经由伪栅极对半导体鳍片执行第一掺杂，以在该半导体鳍片中形成抗穿通区域。本申请可以防止源极和漏极穿通，而且可以减小器件的漏电流和寄生电容，从而可以提高器件性能。
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公开(公告)号：CN100563032C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200410103700.X
申请日：2004-12-27
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/41 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66871 , H01L21/28 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/8128
摘要： 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。
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公开(公告)号：CN105374857A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410425850.6
申请日：2014-08-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/321 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L23/53223 , H01L29/42372 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66871 , H01L29/7833
摘要： 本发明提供了一种金属栅极结构及其形成方法。所述金属栅极结构中，介质层的凹槽的侧壁以及底部设有作为扩散阻挡层的氮化钛层，所述氮化钛层从靠近所述凹槽内表面到远离所述凹槽内表面的方向依次包括TiNx、TiN和TiNy，其中x＜1，y＞1。相比与现有的扩散阻挡层，具有上述结构的氮化钛层可有效减少金属栅极内金属原子向介质层的扩散的问题，所述扩散阻挡层具有较好的扩散阻挡能力，从而提高了后续形成的半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN101133498B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200680006840.2
申请日：2006-01-03
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66871 , H01L29/7784
摘要： 可以利用置换金属栅极法来形成量子阱晶体管或高电子迁移率晶体管。可以利用虚拟栅极来定义侧壁间隔物和源漏接触金属。可以移除虚拟栅极，并利用剩余结构作为掩模来蚀刻掺杂层以形成与所述开口自对准的源极和漏极。高介电常数材料可以涂覆所述开口的侧面，然后可以沉积金属栅极。结果，源极和漏极得以与金属栅极自对准。此外，金属栅极通过该高介电常数材料而与下面的阻挡层隔离。
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公开(公告)号：CN1251313C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN02803622.0
申请日：2002-01-14
申请人： 单片集成电路半导体两合股份有限公司
发明人： 达格·贝哈莫尔
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66871 , H01L21/28587 , H01L29/66462
摘要： 具有横截面为T形的金属接触电极的半导体器件的制造方法，特别是具有T形栅场效应晶体管的半导体件的制造方法，其中借助在材料边缘上形成隔离层实现栅基和栅头的自调位置。
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公开(公告)号：CN105374857B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201410425850.6
申请日：2014-08-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/321 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L23/53223 , H01L29/42372 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66871 , H01L29/7833
摘要： 本发明提供了一种金属栅极结构及其形成方法。所述金属栅极结构中，介质层的凹槽的侧壁以及底部设有作为扩散阻挡层的氮化钛层，所述氮化钛层从靠近所述凹槽内表面到远离所述凹槽内表面的方向依次包括TiNx、TiN和TiNy，其中x＜1，y＞1。相比与现有的扩散阻挡层，具有上述结构的氮化钛层可有效减少金属栅极内金属原子向介质层的扩散的问题，所述扩散阻挡层具有较好的扩散阻挡能力，从而提高了后续形成的半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN104681616B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410705319.4
申请日：2014-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66636 , H01L29/66871 , H01L29/7843 , H01L29/7847 , H01L29/785 , H01L2924/13067
摘要： 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、位于沟道区域上方的栅极结构、邻近栅极结构的层间介电(ILD)层以及邻近栅极结构的顶部且位于ILD上方的ILD应力层。栅极结构包括第一侧壁、第二侧壁和顶部。还提供了第一应力记忆区域。第一应力记忆区域邻近栅极结构的顶部。还提供了制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104681616A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410705319.4
申请日：2014-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66636 , H01L29/66871 , H01L29/7843 , H01L29/7847 , H01L29/785 , H01L2924/13067
摘要： 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、位于沟道区域上方的栅极结构、邻近栅极结构的层间介电(ILD)层以及邻近栅极结构的顶部且位于ILD上方的ILD应力层。栅极结构包括第一侧壁、第二侧壁和顶部。还提供了第一应力记忆区域。第一应力记忆区域邻近栅极结构的顶部。还提供了制造半导体器件的方法。
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