一种新型的混频多波段DFB激光器驱动系统

    公开(公告)号:CN116316053A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310374862.X

    申请日:2023-04-10

    Inventor: 刘向 姜杨 陶治

    Abstract: 本发明公开了半导体激光技术领域的一种新型的DFB激光器控制驱动系统,包括驱动电路、射频选择输出器、光滤波模块、主控模块、电流滤波模块、监控模块和DFB激光器组,驱动电路与DFB激光器组和射频选择输出器连接,DFB激光器组与监控模块连接,监控模块与射频选择输出器连接,射频选择输出器与光滤波模块和主控模块连接,主控模块与电流滤波模块连接。本发明系统对不同波长的DFB激光器实现精准稳定的驱动控制,可有选择的打开某一路的激光信号输出通道;首先滤除光信号中的干扰波长与噪声,再次去除输出信号中的低频信号,保证了输出信号的准确性;实现了电路系统与上位机的数据通信,可以实时显示电路系统的各种数据,及时进行分析处理。

    一种量子点集成微型紫外光谱传感芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN114582991A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210162068.4

    申请日:2022-02-22

    Abstract: 本发明提供一种量子点集成微型紫外光谱传感芯片及其制备方法,包括:基底;设置在基底底部的传感电极、量子点层和底部填充层;所述基底顶部设有第一反射层和第一驱动电极;与所述第一反射层相对地设有第二反射层,所述第二反射层设置在支承梁底部,所述支承梁底部还设有第二驱动电极,所述支撑梁与两侧的悬臂梁连接,所述悬臂梁通过键合层与所述基底连接;所述第一反射层、第二反射层与之间的空气间隙构成法布里‑珀罗干涉腔。本发明还提供了上述芯片的制备方法。本发明的传感芯片直接集成量子点紫外传感与变间隙法布里‑珀罗干涉滤波腔,工艺成本低,集成度高,方便作为微型紫外光谱仪应用于手机、可穿戴便携设备的紧凑空间使用。

    具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN107267142B

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201710543758.3

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下:将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合,在60℃恒定温度强力搅拌下,通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程,加入正庚烷,离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1),溶解后再次离心,干燥得到产物,可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比,其显著优点是:本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数,制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点,直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV,可用于日盲紫外光电探测。

    一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108649082B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201810347600.3

    申请日:2018-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法,所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点‑碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液,然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点‑碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中,由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题,提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法,利用碳量子点作为载流子传输层,可以极大程度的提高探测器的光响应电流,从而提高响应度,达到提高器件性能的目的。

    一种柔性日盲紫外探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN108538927A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810286974.9

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明提供了一种柔性日盲紫外探测器。所述柔性日盲紫外探测器,其特征在于:包括从下往上依次设置的透明基底、石墨烯网格层和ZnS量子点层,且所述石墨烯网格层是由石墨烯刻蚀后的石墨烯网格形成。本发明的有益效果在于:所述柔性日盲紫外探测器制备工艺简单、可实现柔性以及大面积应用。所制备的日盲紫外探测器,对日盲区内紫外光响应度高而对日盲区外响应度低,减少背景干扰影响。本发明还提供一种柔性日盲紫外探测器的制备方法。

    一种应用于激光光谱仪的晶体管型光谱传感器

    公开(公告)号:CN116839731B

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202310839835.5

    申请日:2023-07-10

    Inventor: 徐晖 王华来 刘向

    Abstract: 本发明公开一种应用于激光光谱仪的晶体管型光谱传感器,属于激光光谱探测技术领域,并整体采用“电”栅极代替光栅,构建以p‑i‑n晶体管异质结为核心的光谱传感器。本发明开发的光谱传感器可以利用电栅压对不同波段的激光进行分光采集,利用深度学习方法实现了多组分激光光谱寻址和重构;构建高性能的光谱可调的p‑i‑n晶体管异质结改善激光动态响应的特性,从而降低高频高速环境下的激光信号的非线性失真,衰减以及频移;实现了传感器对不同波段激光分光,可以快速重构激光光谱,及时采集数据进行分析处理。

    一种FET氢气传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118090867A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410494694.2

    申请日:2024-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种FET氢气传感器及其制备方法,涉及氢气检测设备技术领域,旨在解决现有技术中氢气传感器存在响应时间长、低灵敏度、高浓度检测分辨率低、成本高、选择性不足等问题,所述氢气传感器从下到上依次包括衬底、沟道层、栅介质层、FET电极、隔离层、缓冲层、氢气感应层和叉指电极,还提供氢气传感器的制备方法。本发明可提供多种氢气检测方案,从而有效实现低浓度氢气的高分辨率检测,具有广阔的应用场景。

    基于GeSe二维纳米材料红外光谱探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114709291B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202210345928.8

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明公开一种基于GeSe二维纳米材料红外光谱探测器及其制备方法,属于红外光谱探测器器件领域,该红外光谱探测器包括基底上利用喷墨打印形成的栅极电极,绝缘层,源漏电极,二维纳米材料层,半导体有源层,本发明能够感知宽光谱红外信号并且将光信号转化为电信号,结合机器学习的方法来进行光谱的分光识别和处理,代替了传统光谱传感器利用光栅进行分光,所用的二维纳米GeSe片在红外波段感光性强,提高了光谱传感器灵敏度,此外该材料构成的传感器靶面与读出电路匹配,器件的集成度高。

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